公开(公告)号：CN105103307B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480017109.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 长州产业株式会社

Inventor： 小林英治

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的是提供填充因子高的光发电装置。光发电装置(10)包括：多层状的光伏元件(11)；以及层叠在光伏元件(11)的一个面上的第一集电构件(12)和层叠在另一个面上的第二集电构件(13)，光伏元件(11)包括：n型晶体半导体基板(14)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第一集电构件(12)侧的第一本征非晶系硅薄膜(15)、p型非晶系硅薄膜(16)和第一透明导电膜(17)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第二集电构件(13)侧的n型非晶系硅薄膜(19)和第二透明导电膜(20)，p型非晶系硅薄膜(16)的膜厚小于6nm，第一透明导电膜(17)表面中的第一集电构件(12)的非层叠区域(25)的最大宽度小于2mm。

公开(公告)号：CN105122467A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480016801.5

申请日：2014-03-18

Applicant: 长州产业株式会社

Inventor： 小林英治

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有足够的填充因数且能控制制造成本的光伏元件及其制造方法。所述光伏元件(10)包括：n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15)，所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12)，n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合，n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面。

公开(公告)号：CN105122467B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201480016801.5

申请日：2014-03-18

Applicant: 长州产业株式会社

Inventor： 小林英治

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有足够的填充因数且能控制制造成本的光伏元件及其制造方法。所述光伏元件(10)包括：n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15)，所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12)，n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合，n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面。

公开(公告)号：CN105144399A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480016819.5

申请日：2014-03-17

Applicant: 长州产业株式会社

Inventor： 小林英治

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光伏元件及其制造方法，不使用对人体有害的有机溶剂在硅基板上进行蚀刻并形成棱锥体状凹凸部，且能提高发电效率。所述光伏元件(10)具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板(11)、以及在棱锥体状凹凸部上由化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜(12)～(15)，选择蚀刻条件并用以下的公式定义，形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm。对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。

公开(公告)号：CN105103307A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480017109.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 长州产业株式会社

Inventor： 小林英治

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的是提供填充因子高的光发电装置。光发电装置(10)包括：多层状的光伏元件(11)；以及层叠在光伏元件(11)的一个面上的第一集电构件(12)和层叠在另一个面上的第二集电构件(13)，光伏元件(11)包括：n型晶体半导体基板(14)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第一集电构件(12)侧的第一本征非晶系硅薄膜(15)、p型非晶系硅薄膜(16)和第一透明导电膜(17)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第二集电构件(13)侧的n型非晶系硅薄膜(19)和第二透明导电膜(20)，p型非晶系硅薄膜(16)的膜厚小于6nm，第一透明导电膜(17)表面中的第一集电构件(12)的非层叠区域(25)的最大宽度小于2mm。