SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109406040A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811419258.X

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器设计与制造。涉及压力传感器。所述压力传感器芯片设有压力腔、开槽天线及金属层。压力腔是由通过SiBCN薄膜和SiBCN体通过先驱体聚硼硅氮烷作为粘合剂经过多次烧结后达到键合目的形成压力腔;在键合前在SiBCN薄膜和SiBCN体的表面采用丝印方式形成金属谐振腔;在丝印的同时用聚酰亚胺保护形成信号传输用的开槽天线。高可靠性且适用于高温高压、酸碱、潮湿等恶劣环境。

    SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器

    公开(公告)号:CN209400123U

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201821957617.2

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器设计与制造。涉及压力传感器。所述压力传感器芯片设有压力腔、开槽天线及金属层。压力腔是由通过SiBCN薄膜和SiBCN体通过先驱体聚硼硅氮烷作为粘合剂经过多次烧结后达到键合目的形成压力腔;在键合前在SiBCN薄膜和SiBCN体的表面采用丝印方式形成金属谐振腔;在丝印的同时用聚酰亚胺保护形成信号传输用的开槽天线。高可靠性且适用于高温高压、酸碱、潮湿等恶劣环境。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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