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公开(公告)号：CN108351373A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680059792.7
申请日：2016-08-19
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G01R15/20
Abstract: 本发明提供一种电流探测装置，将形成在反馈线圈上的屏蔽层形成为平坦的状态而防止绝缘层的龟裂，进而能够提高屏蔽层的饱和磁化。在基板(2)上形成有磁探测部(11、12、13、14)和覆盖它们的下部绝缘层(4)。在下部绝缘层(4)上形成有形成反馈线圈(30)的对置探测部(30a)的多条线圈层(35)，在线圈层(35)的两侧形成有高度调整层(36、37)。线圈层(35)和高度调整层(36、37)被上部绝缘层(9)覆盖，在其上形成有屏蔽层(3)。因此，能够将屏蔽层(3)形成为大致平坦的状态。
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公开(公告)号：CN102812376B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180013610.X
申请日：2011-03-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由固定电阻元件引起的AMR效应的发生的磁性传感器以及在环境温度产生了变化时能够得到十分稳定的输出特性的磁性平衡式电流传感器。本发明的磁性传感器的特征在于，由通过来自被测量电流的感应磁场的施加而使电阻值变化的磁性电阻效应元件和固定电阻元件构成，固定电阻元件具有介由反平行耦合膜(54)使第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)反强磁性地耦合而构成的自销止型的强磁性固定层，反平行耦合膜(54)是具有反强磁性耦合效应的第1峰值的厚度的Ru膜，第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)的磁化量的差实质上是零。
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公开(公告)号：CN106133934B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201580014136.0
申请日：2015-03-11
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/091 , G01R3/00 , G01R15/20 , G01R15/205 , G01R19/0092 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供的磁传感器(1)，具备固定磁性层(21)与自由磁性层(23)隔着非磁性材料层(22)而层叠的磁阻效应元件，在上述自由磁性层的与上述非磁性材料层对置一侧的相反侧设置反铁磁性层(24)，该反铁磁性层在其与上述自由磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使上述自由磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，在上述反铁磁性层的与上述自由磁性层对置一侧的相反侧设置铁磁性层(25)，该铁磁性层在其与上述反铁磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使该铁磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，基于上述自由磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向，是与基于上述铁磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向相同的方向，上述铁磁性层能够对上述自由磁性层赋予具有沿着上述灵敏度轴(D2)的方向的成分的闭合磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133934A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580014136.0
申请日：2015-03-11
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/091 , G01R3/00 , G01R15/20 , G01R15/205 , G01R19/0092 , G01R33/0052 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供的磁传感器(1)，具备固定磁性层(21)与自由磁性层(23)隔着非磁性材料层(22)而层叠的磁阻效应元件，在上述自由磁性层的与上述非磁性材料层对置一侧的相反侧设置反铁磁性层(24)，该反铁磁性层在其与上述自由磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使上述自由磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，在上述反铁磁性层的与上述自由磁性层对置一侧的相反侧设置铁磁性层(25)，该铁磁性层在其与上述反铁磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使该铁磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，基于上述自由磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向，是与基于上述铁磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向相同的方向，上述铁磁性层能够对上述自由磁性层赋予具有沿着上述灵敏度轴(D2)的方向的成分的闭合磁场。
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公开(公告)号：CN100557840C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg-O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg-O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN101150169A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152772.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明特别涉及由Mg－O形成绝缘障壁层的隧道型磁检测元件，提供可以得到高电阻变化率(ΔR/R)的隧道型磁检测元件及其制造方法。第2固定磁性层(4c)，从下面起，以由CoFeB或FeB形成的第1磁性层(4c1)、以及由CoFe或Fe形成的第2磁性层(4c2)的顺序层叠。所述第2固定磁性层(4c)上，形成有由Mg－O构成的绝缘障壁层(5)。像这样通过使第2固定磁性层(4c)为CoFeB或FeB/CoFe或Fe的层叠构造，可以得到高电阻变化率(ΔR/R)。
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公开(公告)号：CN103262276A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059287.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R15/205 , H01F10/3268 , H01F41/305 , H01L43/08
Abstract: 提供能降低磁阻效应元件的自由磁性层的磁化方向的分散、且跨宽范围测量精度高的磁传感器以及磁传感器的制造方法。本发明的磁传感器(1)是具备在特定的方向有灵敏度轴的磁阻效应元件(11)的磁传感器，磁阻效应元件(11)的特征在于，具有层叠构造，该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层(30)、非磁性中间层(26)、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层(27)、以及对自由磁性层(27)施加交换耦合磁场的反铁磁性层(28)。
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公开(公告)号：CN102812376A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180013610.X
申请日：2011-03-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R15/205
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由固定电阻元件引起的AMR效应的发生的磁性传感器以及在环境温度产生了变化时能够得到十分稳定的输出特性的磁性平衡式电流传感器。本发明的磁性传感器的特征在于，由通过来自被测量电流的感应磁场的施加而使电阻值变化的磁性电阻效应元件和固定电阻元件构成，固定电阻元件具有介由反平行耦合膜(54)使第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)反强磁性地耦合而构成的自销止型的强磁性固定层，反平行耦合膜(54)是具有反强磁性耦合效应的第1峰值的厚度的Ru膜，第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)的磁化量的差实质上是零。
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