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公开(公告)号：CN1265235C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200310118806.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B1/11 , G02B5/00
CPC classification number: G02B1/11 , G02B1/118 , G02B5/1809
Abstract: 本发明提供一种防止反射结构及照明装置和液晶显示装置以及防止反射膜。能够防止外光和照明光的反射，大大提高用外光和照明光显示的显示部分的视认性的防止反射结构。解决手段是：形成了防止反射结构(28)的防止反射膜(17)具备由从基准面(第1面)(18a)在防止反射膜(17)的厚度方向上挖出的许多微细坑(19)构成的防止反射结构(28)。坑(19)具备在基准面(18a)露出的开口(20a)和形成在第2面，即形成在粘贴面(18b)侧上的底面(20b)。由于入射到防止反射膜(17)上的光的大部分，从开口(20a)导入坑(19)，在底面(20b)被扩散，没有在一定角度反射。抑制成为光反射原因的连接面(29)的占有比例，提高开口(20a)的比例，能够最大限度地提高防止反射结构28的防止反射功能。
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公开(公告)号：CN100399423C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610092657.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明的目的特别在于提供一种磁检测元件及其制造方法，在利用层叠体形成用掩模层将具有固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的层叠体形成为预定形状时，能够将上述层叠体适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层的腐蚀。在自由磁性层(28)上层叠有中间层(35)、防腐蚀层(36)，上述防腐蚀层(36)防止由反应性离子蚀刻腐蚀自由磁性层(28)。由此，能够将层叠体(22)适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层(28)的腐蚀，能够制造再生特性良好的磁检测元件。
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公开(公告)号：CN1881418A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092657.0
申请日：2006-06-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01L43/12
Abstract: 本发明的目的特别在于提供一种磁检测元件及其制造方法，在利用层叠体形成用掩模层将具有固定磁性层、非磁性材料层、以及自由磁性层的层叠体形成为预定形状时，能够将上述层叠体适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层的腐蚀。在自由磁性层(28)上层叠有中间层(35)、防腐蚀层(36)，上述防腐蚀层(36)防止由反应性离子蚀刻腐蚀自由磁性层(28)。由此，能够将层叠体(22)适当地形成为预定形状，并且能够防止上述自由磁性层(28)的腐蚀，能够制造再生特性良好的磁检测元件。
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公开(公告)号：CN1504809A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118806.2
申请日：2003-11-28
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02B1/11 , G02B1/118 , G02B5/1809
Abstract: 本发明提供一种防止反射结构及照明装置和液晶显示装置以及防止反射膜。能够防止外光和照明光的反射，大大提高用外光和照明光显示的显示部分的视认性的防止反射结构。解决手段是：形成了防止反射结构(28)的防止反射膜(17)具备由从基准面(第1面)(18a)在防止反射膜(17)的厚度方向上挖出的许多微细坑(19)构成的防止反射结构(28)。坑(19)具备在基准面(18a)露出的开口(20a)和形成在第2面，即形成在粘贴面(18b)侧上的底面(20b)。由于入射到防止反射膜(17)上的光的大部分，从开口(20a)导入坑(19)，在底面(20b)被扩散，没有在一定角度反射。抑制成为光反射原因的连接面(29)的占有比例，提高开口(20a)的比例，能够最大限度地提高防止反射结构28的防止反射功能。
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