公开(公告)号：CN100438102C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580008342.7

申请日：2005-03-08

Applicant: 陶氏康宁东丽株式会社

Inventor： 中吉和己 ,  峰胜利 ,  小林昭彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H05K1/056 ,  H01L33/64 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/10106

Abstract: 一种用于光学装置的金属基电路衬底，它能有效地反射产生的光并从衬底辐射热，该衬底包括用铝或铝合金制成的金属基衬底，通过绝缘层支承着电路，其中的绝缘层由透明的交联有机硅体制成，而电路直接形成在绝缘层上。以及一种有效的制造前述衬底的方法，包括的步骤有：a)在铝或铝合金制成的金属基衬底表面之上，涂敷可交联的有机硅；b)使所述有机硅交联，据此由透明的交联的有机硅体形成绝缘层；和之后c)或者通过(i)，用电解或非电解镀形成导电层及随后的蚀刻，或者通过(ii)，用导电性油墨印刷，在所述绝缘层上直接形成电路。

公开(公告)号：CN1934718A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008342.7

申请日：2005-03-08

Applicant: 陶氏康宁东丽株式会社

Inventor： 中吉和己 ,  峰胜利 ,  小林昭彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H05K1/056 ,  H01L33/64 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/10106

Abstract: 一种用于光学装置的金属基电路衬底，它能有效地反射产生的光并从衬底辐射热，该衬底包括用铝或铝合金制成的金属基衬底，通过绝缘层支承着电路，其中的绝缘层由透明的交联有机硅体制成，而电路直接形成在绝缘层上。以及一种有效的制造前述衬底的方法，包括的步骤有：a)在铝或铝合金制成的金属基衬底表面之上，涂敷可交联的有机硅；b)使所述有机硅交联，据此由透明的交联的有机硅体形成绝缘层；和之后c)或者通过(i)，用电解或非电解镀形成导电层及随后的蚀刻，或者通过(ii)，用导电性油墨印刷，在所述绝缘层上直接形成电路。