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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107070417A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610906154.6
申请日：2016-10-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F2200/108 , H03F2200/181 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/309 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/402 , H03F2200/451 , H03F2200/552 , H03F2200/75 , H01L2924/00014 , H03F1/56 , H04N5/147
Abstract: RF放大器和封装RF放大器装置的实施例各自包括晶体管、阻抗匹配电路和视频带宽电路。所述阻抗匹配电路在所述晶体管和RF I/O(例如，输入或输出引线)之间耦合。所述视频带宽电路在所述阻抗匹配电路的连接节点和接地参考节点之间耦合。所述视频带宽电路包括多个组件，所述多个组件包括在所述连接节点和所述接地参考节点之间串联耦合的包络电感器和包络电容器。所述视频带宽电路另外包括横跨所述视频带宽电路的所述多个组件中的一个或多个组件并联耦合的第一旁路电容器。
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公开(公告)号：CN106941083A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610832122.6
申请日：2016-09-19
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H03F1/301 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/481 , H01L23/4824 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2223/6644 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/32258 , H01L2224/3303 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2924/1304 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/1815 , H03F1/0288 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/447 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , H01L23/3672
Abstract: 实施例包括封装半导体装置和制造封装半导体装置的方法。半导体管芯包括耦合到所述管芯的底部表面的导电特征。所述导电特征仅仅部分地覆盖底部管芯表面以限定跨越所述底部管芯表面的部分的无导体区。所述管芯通过将包封材料附着到所述底部管芯表面(例如，包括所述无导体区上方)上来包封。所述包封材料包括暴露所述导电特征的开口。在包封所述管芯之后，将散热片置放于所述开口内，并且将所述散热片的表面附着到所述导电特征。因为在包封所述管芯之后附着所述散热片，所以散热片侧壁未直接键合到所述包封材料。
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公开(公告)号：CN106026935A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610098671.5
申请日：2016-02-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 一个放大器包括一个半导体衬底。一个第一导电特征仅仅部分地覆盖底衬底表面以定义一个所述底衬底表面的一个无导体区域。晶体管的一个第一电流传导终端电耦合于所述第一导电特征。第二和第三导电特征或可耦合于底衬底表面的其它区域。一个第一滤波器电路包括一个形成于与所述无导体区域相对的所述顶衬底表面的一个部分上的第一电感器。所述第一滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个第二传导终端和所述第二导电特征之间。一个第二滤波器电路或可电耦合于所述晶体管的一个控制终端和所述第三导电特征之间。导电引线或可耦合于所述第二和第三导电特征，或所述第二和第三导电特征或可耦合于一个印刷电路板。
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公开(公告)号：CN107070418A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610917150.8
申请日：2016-10-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H03F3/195 , H03F2200/108 , H03F2200/181 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/309 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/402 , H03F2200/451 , H03F2200/552 , H03F2200/75 , H01L2924/00014 , H03F1/56 , H03F3/19 , H04N5/147
Abstract: RF放大器的实施例包括具有控制端和第一和第二载流端的晶体管，以及在所述第一载流端和接地参考节点之间耦合的分路电路。所述分路电路包括串联耦合的第一分路电感、第二分路电感和分路电容器。所述第二分路电感和所述分路电容器在接近所述放大器的中心操作频率处形成串联谐振电路，并且RF冷点节点存在于所述第一和第二分路电感之间。所述RF放大器还包括在所述RF冷点节点和所述接地参考节点之间耦合的视频带宽电路。
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公开(公告)号：CN106470019A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610635339.8
申请日：2016-08-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 杰弗里·凯文·琼斯
CPC classification number: H03F3/195 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01L21/486 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L23/49568 , H01L23/49827 , H03F1/0288 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/108 , H03F2200/165 , H03F2200/171 , H03F2200/181 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/391 , H03F2200/42 , H03F2200/432 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/75 , H03F2203/21103 , H03F2203/21106 , H03F2203/21112 , H03F2203/21139 , H03F2203/21142 , H03F2203/21157 , H03F3/20 , H03F3/189 , H03F3/21
Abstract: 放大器模块包括模块衬底。导电互连结构和放大器装置耦合到该模块衬底的顶部表面。该互连结构部分覆盖该模块衬底顶部表面以限定该顶部表面处的无导体区。该放大器装置包括：半导体衬底；晶体管；导电特征，该导电特征耦合到该半导体衬底的底部表面且耦合到这些互连结构中的至少一个互连结构；以及滤波器电路，该滤波器电路电耦合到该晶体管。该导电特征仅部分覆盖该半导体衬底底部表面以限定跨越该底部表面的一部分的无导体区。该无导体区与该模块衬底顶部表面处的这些无导体区中的至少一个无导体区对准。该滤波器电路包括形成于该半导体衬底顶部表面的一部分上的无源组件，该半导体衬底顶部表面的一部分在该无导体区的正对面。
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