公开(公告)号：CN106169913A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610305891.0

申请日：2016-05-10

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 米歇尔·沃茨 ,  杰弗里·K·琼斯 ,  朱宁 ,  尤里·V·沃洛希纳

IPC: H03F1/56 ,  H03F1/32 ,  H03F3/189 ,  H01G4/30

CPC classification number: H03F1/565 ,  H01F27/2804 ,  H01F2027/2809 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/385 ,  H01G4/40 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/38 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10022 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2224/45099 ,  H03F1/56 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/189

Abstract: 装置包括多个陶瓷电容器和电流路径结构。第一陶瓷电容器包括在第一和第二电极之间的第一陶瓷材料。第二陶瓷电容器包括在第三和第四电极之间的第二陶瓷材料。所述第二陶瓷材料具有高于所述第一陶瓷材料的Q。所述电流路径结构包括定位在所述第一和第二陶瓷材料之间的横向导体，以及从所述横向导体的第一和第二端延伸到装置表面的第一和第二垂直导体。所述装置可耦合到封装射频放大器装置的基板，所述封装射频放大器装置还包括晶体管。举例来说，所述装置可形成耦合在所述晶体管的电流载送终端与所述射频放大器装置的输出导线之间的输出阻抗匹配电路的部分。

公开(公告)号：CN107070419A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610916081.9

申请日：2016-10-20

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 奥利维耶·朗贝 ,  朱宁 ,  达蒙·G·霍尔默斯

IPC: H03F3/19 ,  H03F1/56 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H03F1/565 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/402 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75 ,  H03F2203/21103 ,  H03F2203/21139 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种封装RF放大器器件，其包括晶体管和输出电路。该晶体管包括控制端和第一载流端和第二载流端。该输出电路被耦合在该第一载流端和输出引线之间。该输出电路包括串联耦合的第一电感元件和第二电感元件。可为第一接合线阵列或集成电感的该第一电感元件被耦合在该第一载流端和节点之间。包括第二接合线阵列的该第二电感元件被耦合在该节点和该输出引线之间。该器件还包括具有并联电容器的并联电路与在该第一载流端和该并联电容器之间耦合的第三接合线阵列。第一电感元件和第二电感元件以及第三接合线阵列被配置成具有所期望的互感。

公开(公告)号：CN107070418A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610917150.8

申请日：2016-10-20

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱宁 ,  达蒙·G·霍尔默斯 ,  杰弗里·凯文·琼斯

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H04N5/14

CPC classification number: H03F1/565 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/181 ,  H03F2200/216 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/309 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/402 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/552 ,  H03F2200/75 ,  H01L2924/00014 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H04N5/147

Abstract: RF放大器的实施例包括具有控制端和第一和第二载流端的晶体管，以及在所述第一载流端和接地参考节点之间耦合的分路电路。所述分路电路包括串联耦合的第一分路电感、第二分路电感和分路电容器。所述第二分路电感和所述分路电容器在接近所述放大器的中心操作频率处形成串联谐振电路，并且RF冷点节点存在于所述第一和第二分路电感之间。所述RF放大器还包括在所述RF冷点节点和所述接地参考节点之间耦合的视频带宽电路。

公开(公告)号：CN107070417A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610906154.6

申请日：2016-10-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱宁 ,  杰弗里·凯文·琼斯 ,  达蒙·G·霍尔默斯

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H04N5/14

CPC classification number: H03F1/565 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/181 ,  H03F2200/216 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/309 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/402 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/552 ,  H03F2200/75 ,  H01L2924/00014 ,  H03F1/56 ,  H04N5/147

Abstract: RF放大器和封装RF放大器装置的实施例各自包括晶体管、阻抗匹配电路和视频带宽电路。所述阻抗匹配电路在所述晶体管和RF I/O(例如，输入或输出引线)之间耦合。所述视频带宽电路在所述阻抗匹配电路的连接节点和接地参考节点之间耦合。所述视频带宽电路包括多个组件，所述多个组件包括在所述连接节点和所述接地参考节点之间串联耦合的包络电感器和包络电容器。所述视频带宽电路另外包括横跨所述视频带宽电路的所述多个组件中的一个或多个组件并联耦合的第一旁路电容器。