公开(公告)号：CN106548982A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610806026.4

申请日：2016-09-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 柳连俊 ,  大卫·蒙克

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00817 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L21/82 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/0174 ,  H01L27/0207

Abstract: 在单个半导体装置中集成不同传感器。在一些实施例中，一种制造传感器系统的方法可包括：形成具有衬底层（28）和位于所述衬底层的第一侧上的第一传感器（30、32、34）的第一结构20）；在所述衬底层的所述第一侧上的所述第一传感器上方接合顶盖结构（24）；以及在所述顶盖结构上方沉积第一介电层（131）。在接合所述顶盖结构和沉积所述第一介电层之后，在所述第一介电层上制造第二传感器（124、126、128）。所述第二传感器包括在用于将所述顶盖结构接合到所述衬底层的所述第一侧的温度下将受不利影响的材料。

公开(公告)号：CN106154185A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610308169.2

申请日：2016-05-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 佩奇·M·霍尔姆 ,  柳连俊

IPC: G01R33/02

Abstract: 一种传感器封装包括磁场传感器以及损坏检测和复位子系统。磁场传感器具有磁性感测元件和由基线磁性状态表征的铁磁性结构。子系统包括检测器元件、处理器和接近铁磁性结构定位的载流结构。由子系统实行的方法需要在检测器元件处检测铁磁性结构的变更的磁性状态，其中变更的磁性状态与基线磁性状态不同。方法另外需要在处理器处响应于变更的磁性状态确定何时需要复位动作，并且将复位磁场施加到铁磁性结构，以使铁磁性结构从变更的磁性状态复位为基线磁性状态。