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1.发明申请극저온 고전압 알루미늄 양극산화장치, 극저온 고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법, 및 극저온 고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법에 의하여 구비된 나노마스터 审中-公开低温/高电压铝阳极化装置，使用装置的阳极化方法和使用装置的阳离子化方法形成的纳米体系
公开(公告)号：WO2010058881A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/KR2009/000096
申请日：2009-01-08
Applicant: 제이엠아이 주식회사 , 이재숙 , 강원대학교산학협력단 , 박창민 , 손성기 , 신태규 , 고민수 , 강재권 , 김병희 , 서영호 , 신홍규 , 권종태 , 박용민
IPC: C25D11/04
CPC classification number: C25D11/04 , C25D11/005
Abstract: 본 발명은 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치 및 양극산화방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 극저온/고전압(LTHV) 상태에서 알루미늄 양극산화반응을 하도록 하기 때문에, 장치의 구성이 간단하고, 빠른 시간 내에 나노패턴이 형성되도록 하고, 전체 장치의 구성이 간단하고 처리 과정도 단순하게 되며, 양극산화시의 조건인 극저온의 온도와, 고전압의 전압을 원하는 정도로 알맞게 조절하게 되면, 원하는 형태의 나노패턴의 두께와 나노패턴의 인터포어 간격을 형성할 수 있어, 다양하고도 최적의 나노패턴을 손쉽게 생산할 수 있는 탁월한 장점이 있는 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치, 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법 및 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법에 의하여 구비된 나노마스터에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低温/高压铝阳极氧化设备及方法。 更具体地，本发明涉及低温/高压铝阳极氧化设备，使用该设备的阳极氧化方法，以及使用该设备通过阳极氧化方法形成的纳米聚合物。 本发明确保了该装置的简单结构，并且由于能够在低温/高电压（LTHV）条件下实现铝阳极氧化，所以可以在短时间内形成纳米图案并简化处理过程。 当适当地控制与阳极氧化条件匹配的LTHV的水平时，可以形成所需的纳米图案的厚度和间隔。 因此，本发明具有容易生产各种最佳纳米图案的优点。
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公开(公告)号：KR100749327B1
公开(公告)日：2007-08-14
申请号：KR1020060031840
申请日：2006-04-07
Applicant: 제이엠아이 주식회사 , 강원대학교산학협력단
IPC: G11B7/254
Abstract: A blue-ray disc is provided to more secure a storing space of data, simultaneously enhance quality, reduce a defective rate, and enhance the entire producing yield by being coated to prevent the generation of a mound at an edge which is an upper part of an external side end part of a cover layer formed as a polymer. A polymer flows in a polymer movement preventing part(110) formed in an external side end part of a substrate(100) to uniformly form the thickness of a blue-ray disc. The polymer movement preventing part(110) has a chamfer(111) which is slanted at 15 to 20 degrees toward an outward lower part from an upper part of the external side end part of the substrate(100).
Abstract translation: 提供蓝光盘以更安全地存储数据的存储空间，同时提高质量，减少不合格率，并且通过涂覆以提高整个生产产量，以防止在作为上部边缘的边缘处产生隆起 形成为聚合物的覆盖层的外侧端部。 聚合物流入形成在基板（100）的外侧端部中的聚合物移动防止部（110）以均匀地形成蓝光盘的厚度。 聚合物移动防止部（110）具有从基板（100）的外侧端部的上部向外下方倾斜15〜20度的倒角（111）。
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公开(公告)号：KR101165396B1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020110077111
申请日：2011-08-02
Applicant: 강원대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속 나노 링을 이용한 나노 구조물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노 구조물의 제조 방법은, 기판의 일면에 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 제1 단계와, 금속막을 양극산화시켜 금속막의 표면으로부터 기판을 향해 복수의 제1 나노 홀을 가지는 금속 산화막을 형성하며, 금속 산화막의 바닥면 일부가 기판과 면접촉하는 시점까지 양극산화를 진행하는 제2 단계와, 금속 산화막을 제거하여 남은 금속막으로 복수의 제2 나노 홀을 가지는 금속 나노 링 패턴을 형성하는 제3 단계와, 금속 나노 링 패턴을 식각 마스크로 사용하여 기판을 식각함으로써 기판에 제2 나노 홀과 같은 패턴의 복수의 제3 나노 홀을 형성하는 제4 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101106694B1
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020090107219
申请日：2009-11-06
Applicant: 강원대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속 나노 링 패턴의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 나노 링 패턴의 제조 방법은, 기판의 일면에 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 제1 단계와, 금속막을 양극산화시켜 금속막의 표면으로부터 기판을 향해 복수의 제1 나노 홀을 가지는 금속 산화막을 형성하며, 금속 산화막의 바닥면 일부가 기판과 면접촉하는 시점까지 양극산화를 진행하는 제2 단계와, 금속 산화막을 제거하여 남은 금속막으로 복수의 제2 나노 홀을 가지는 금속 나노 링 패턴을 형성하는 제3 단계를 포함한다.
기판, 금속막, 증착, 양극산화, 금속산화막, 나노홀, 나노링-
公开(公告)号：KR101071868B1
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020080114771
申请日：2008-11-18
Applicant: 제이엠아이 주식회사 , 강원대학교산학협력단
CPC classification number: C25D11/04 , C25D11/005
Abstract: 이를위한본 발명은내부에알루미늄(121)과실리콘(122)으로되는반응재(12)가내재되고전해액(13)이담겨진반응탱크(10)가구비되고, 상기반응탱크(10)의반응재(12)가저온이되도록하는극저온인가부(15)가구비되며, 상기반응탱크(10)에전기를공급하는고전압인가부(17)가구비되어지되, 상기고전압인가부(17)로부터양극전원을공급받는상기반응탱크(10)의양극(101)은상기반응탱크(10)의반응재(12)에연결되고, 상기고전압인가부(17)로부터음극전원을공급받는상기반응탱크(10)의음극(102)은상기반응탱크(10)의전해액(13)에접촉되도록구비되는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100055879A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080114771
申请日：2008-11-18
Applicant: 제이엠아이 주식회사 , 강원대학교산학협력단
CPC classification number: C25D11/04 , C25D11/005
Abstract: PURPOSE: An aluminium anodic oxidation apparatus and method with low temperature high voltage, and a nano-master prepared by the device are provided to form desired thickness and inter-pore interval of a nano-pattern by regulating the temperature and voltage properly. CONSTITUTION: An aluminium anodic oxidation apparatus with low temperature high voltage comprises a reaction tank(10) in which a reactive material(12) is embedded, an ultralow temperature application part(15) which lowers the temperature of the reactive material in the reaction tank, and a high voltage application part which provides electricity to the reaction tank. The anode(101) of the reaction tank is connected to the reactive material of the reaction tank, while the cathode(102) contacts with the electrolyte in the reaction tank.
Abstract translation: 目的：提供一种低温高压铝阳极氧化装置和方法，以及通过该装置制备的纳米母模，通过适当调节温度和电压，形成纳米图案所需的厚度和孔间距。 构成：具有低温高电压的铝阳极氧化装置包括其中嵌入反应性材料（12）的反应槽（10），超低温施加部件（15），其降低反应槽中的反应性材料的温度 以及向反应罐供电的高压施加部。 反应罐的阳极（101）与反应槽的反应性材料连接，而阴极（102）与反应罐中的电解质接触。
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公开(公告)号：KR100873667B1
公开(公告)日：2008-12-12
申请号：KR1020070071712
申请日：2007-07-18
Applicant: 강원대학교산학협력단
Abstract: An injection mold using a Peltier element is provided to heat up and cool the mold more rapidly so that the molded material is prevented from being scorched or torn. An injection mold using comprises a fixed plate(100b) and a movable plate(100a) in which injection molding plates(110) are fixed in the center and a combination groove(101) for binding the injection molding plate is formed on the contact surface of the fixed and movable plates, a Peltier element(114) which is combined to the injection molding plate for rapid heating and cooling, an insulation board(120) for blocking the heat transfer which is interposed between the combination groove and the injection molding plate and has a cut groove(121) formed on the contact side with the Peltier element, and an aluminium plate(130) formed on the cut groove for smooth heat transmission with the Peltier element.
Abstract translation: 提供了使用珀尔帖元件的注射模具，以更快速地加热和冷却模具，以防止模制材料被烧焦或撕裂。 一种注射模具，包括固定板（100b）和可移动板（100a），其中注射成型板（110）固定在中心，并且用于装配注射成型板的组合槽（101）形成在接触表面 固定和可移动板的一个珀耳帖元件（114），其组合到用于快速加热和冷却的注塑板上，用于阻挡热传递的绝缘板（120），所述隔热板插入在组合槽和注塑模板之间 并且在与珀耳帖元件的接触侧上形成有切割槽（121），以及形成在切割槽上的铝板（130），用于与珀尔帖元件平滑地传热。
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公开(公告)号：KR101192425B1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：KR1020100054548
申请日：2010-06-09
Applicant: 강원대학교산학협력단
Abstract: 비평면 형태(3차원)의 피처리 물체에 마이크로-나노 일체형 패턴을 형성할 수 있게 한 마스터 제조방법이 개시된다. 이를 위한, 마스터 제조방법은 기판 상에 비평면 형상의 마이크로패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에 알루미늄을 형성하는 단계와, 상기 알루미늄 상에 산화막을 생성하는 단계와, 상기 산화막을 제거하는 단계와, 상기 산화막이 제거된 알루미늄 상에 복수의 홈(pore)이 형성된 다공성 나노 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 패턴의 홈의 직경을 확장시키는 단계를 포함한다. 이에 따라, 비평면 형상의 표면을 갖는 소재의 표면에 마이크로-나노 일체형 구조물을 용이하게 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110134776A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100054548
申请日：2010-06-09
Applicant: 강원대학교산학협력단
CPC classification number: C25D11/045 , B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A base master manufacturing method is provided to enable a user to manufacture a nano single body unit structure on a surface of non-planar shaped material and to form porous-nano patterns on an oxide film on aluminum by using an anodic oxidation method. CONSTITUTION: A base master manufacturing method comprises the next step. The nano-pattern of non-planar shape is formed on the top of the substrate. The aluminum is formed on the top of the substrate. An oxide film is created on the aluminum. The oxide film is eliminated. The porous nano-pattern, having multiple pores, is formed on the aluminum from which the oxide film is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种基本主制造方法以使用户能够在非平面形状材料的表面上制造纳米单体单元结构，并通过使用阳极氧化方法在铝上的氧化物膜上形成多孔纳米图案。 构成：基本主制造方法包括下一步骤。 非平面形状的纳米图案形成在基板的顶部。 铝在基板的顶部形成。 在铝上形成氧化膜。 消除氧化膜。 在除去氧化膜的铝上形成具有多个孔的多孔纳米图案。
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公开(公告)号：KR1020110094261A
公开(公告)日：2011-08-23
申请号：KR1020110077111
申请日：2011-08-02
Applicant: 강원대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano structure using a metal nano-ring pattern is provided to cost-effectively improve the precision of the metal nano-ring pattern through a simplified manufacturing process. CONSTITUTION: A metal film is formed on one side of a substrate(12) by depositing metal. The metal film is anodized to form a metal oxide film without a plurality of first nano-holes, and the anodizing process is implemented until a part of the bottom side of the metal oxide film is in contact with the substrate. The metal oxide film is eliminated to form a metal nano-ring pattern(10) with a plurality of second nano-holes(141) is formed. The substrate is etched using the metal nano-ring pattern as an etching mask to form a plurality of third nano-holes(121) on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属纳米环图案制造纳米结构的方法，以通过简化的制造工艺成本有效地提高金属纳米环图案的精度。 构成：金属膜通过沉积金属形成在衬底（12）的一侧上。 金属膜被阳极氧化以形成没有多个第一纳米孔的金属氧化物膜，并且进行阳极氧化处理直到金属氧化物膜的底侧的一部分与基板接触。 消除金属氧化物膜以形成具有多个第二纳米孔（141）的金属纳米环图案（10）。 使用金属纳米环图案作为蚀刻掩模来蚀刻基板，以在基板上形成多个第三纳米孔（121）。
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