公开(公告)号：KR102199176B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190058529

申请日：2019-05-20

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 정형모 ,  김종순

IPC: C01G19/02

Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있으며, 상기 1차나노입자는산화주석또는주석합금을포함하는것인 SnO2 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 다공성나노입자는주석합금을포함하는 10nm 이하의 SnO2 1차나노입자로구성됨으로써격자구조및 전자구조가변형되어, 전자소자에적용시기계적특성, 광학적특성및 전기적특성이향상될수 있다. 본발명의 SnO2 다공성나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해 Sn 클러스터를분리하고, Sn과합금을형성하여, 주석합금을포함하는 10nm 이하의 1차나노입자가응집된형태의 SnO2 다공성나노입자형성을가능케한다.

公开(公告)号：KR1020200133416A

公开(公告)日：2020-11-30

申请号：KR1020190058529

申请日：2019-05-20

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 정형모 ,  김종순

IPC: C01G19/02

Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있으며, 상기 1차나노입자는산화주석또는주석합금을포함하는것인 SnO 2 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO 2 다공성나노입자는주석합금을포함하는 10nm 이하의 SnO 2 1차나노입자로구성됨으로써격자구조및 전자구조가변형되어, 전자소자에적용시기계적특성, 광학적특성및 전기적특성이향상될수 있다. 본발명의 SnO 2 다공성나노입자의제조방법은 SnO 2 격자내에양이온주입을통해 Sn 클러스터를분리하고, Sn과합금을형성하여, 주석합금을포함하는 10nm 이하의 1차나노입자가응집된형태의 SnO 2 다공성나노입자형성을가능케한다.

公开(公告)号：KR102214514B1

公开(公告)日：2021-02-08

申请号：KR1020190029924

申请日：2019-03-15

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 김종순 ,  고원석

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/054

Abstract: 본발명은전극활물질및 그의제조방법을제공한다. 상기전극활물질의제조방법은올리빈계나트륨인산화물의탈나트륨화반응을수행하는단계, 상기탈나트륨화된올리빈계나트륨인산화물에전도성고분자를코팅하는단계및 상기고분자가코팅된탈나트륨화된올리빈계나트륨인산화물에나트륨삽입반응을수행하여전도성고분자-올리빈계나트륨인산화물복합체를형성하는단계를포함하는것으로, 본발명에따른전극활물질을포함하는이차전지는우수한고율특성및 고용량특성등의전기화학적특성이향상되는효과를나타낼수 있다.

公开(公告)号：KR102144326B1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：KR1020190024562

申请日：2019-03-04

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 김종순 ,  이용석

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/04 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054