Co3O4 다공성 나노입자 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR102225230B1

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:KR1020190058526

    申请日:2019-05-20

    Inventor: 정형모 이규형

    Abstract: 본발명은비정질 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기비정질 1차나노입자들사이에기공이형성되어있는 Co3O4 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 Co3O4 다공성나노입자는종래기술과는다르게 1nm 이하의비정질 Co3O4 1차나노입자가형태로, 종래 Co3O4 입자에비해비표면적이 400배이상높고, 배터리충방전시에발생하는 Co3O4 의격자팽창문제를개선하여배터리에적용시배터리신뢰성을향상시킬수 있다.

    Co3O4 다공성 나노입자 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR1020200133414A

    公开(公告)日:2020-11-30

    申请号:KR1020190058526

    申请日:2019-05-20

    Inventor: 정형모 이규형

    Abstract: 본발명은비정질 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기비정질 1차나노입자들사이에기공이형성되어있는 Co 3 O 4 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 Co 3 O 4 다공성나노입자는종래기술과는다르게 1nm 이하의비정질 Co 3 O 4 1차나노입자가형태로, 종래 Co 3 O 4 입자에비해비표면적이 400배이상높고, 배터리충방전시에발생하는 Co 3 O 4 의격자팽창문제를개선하여배터리에적용시배터리신뢰성을향상시킬수 있다.

    결함이 증대된 NiO 나노입자 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR102225992B1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020190058534

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.

    결함이 증대된 NiO 나노입자 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR1020200133418A

    公开(公告)日:2020-11-30

    申请号:KR1020190058534

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.

    결함이 증대된 SnO2 나노입자 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR102225995B1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020190058537

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 나노입자는 SnO2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO2 나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO2 나노입자형성을가능케한다.

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