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公开(公告)号：KR102225992B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058534A
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교 산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
CPC classification number: C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/12
Abstract: 본 발명은 표면 및 내부에 결함이 형성된 NiO 나노입자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는 종래기술과는 다르게 결함이 증대되어, 소결특성이 향상되고, 높은 비표면적을 가져 전자소자에 적용시 센싱, 촉매 등 기능특성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 NiO 나노입자의 제조방법은 NiO 격자 내에 양이온 주입을 통해 결함을 증대시켜, 비표면적이 향상된 NiO 나노입자 형성을 가능케 한다.-
2.发明专利
公开(公告)号：KR102225995B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058537A
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교 산학협력단 , 한국세라믹기술원
CPC classification number: C01G19/02 , B01J19/087 , C01P2004/64 , C01P2006/12
Abstract: 본 발명은 표면 및 내부에 결함이 형성된 SnO
2 나노입자를 제공한다.
이에 의하여, 본 발명의 SnO
2 나노입자는 SnO
2 나노입자는 종래기술과는 다르게 결함이 증대되어, 소결특성이 향상되고, 높은 비표면적을 가져 전자소자에 적용시 센싱, 촉매 등 기능특성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 SnO
2 나노입자의 제조방법은 SnO
2 격자 내에 양이온 주입을 통해 결함을 증대시켜, 비표면적이 향상된 SnO
2 나노입자 형성을 가능케 한다.-
公开(公告)号：KR102225992B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058534
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR1020200133418A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058534
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR102225995B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058537
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 나노입자는 SnO2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO2 나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO2 나노입자형성을가능케한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020200133419A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058537
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO 2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO 2 나노입자는 SnO 2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO 2 나노입자의제조방법은 SnO 2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO 2 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR102201460B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190058532
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있는다공성망간산화물나노입자를제공한다 . 이에의하여, 본발명의다공성망간산화물나노입자는종래기술과는다르게 6nm 이하의 MnO2 1차나노입자및 Mn3O4 1차나노입자가혼합응집된형태로, 종래망간산화물입자에비해비표면적이 16배이상높고, 전지에적용시저장특성과안정성이우수하다.
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公开(公告)号：KR102225230B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190058526
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: C01G51/04
Abstract: 본발명은비정질 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기비정질 1차나노입자들사이에기공이형성되어있는 Co3O4 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 Co3O4 다공성나노입자는종래기술과는다르게 1nm 이하의비정질 Co3O4 1차나노입자가형태로, 종래 Co3O4 입자에비해비표면적이 400배이상높고, 배터리충방전시에발생하는 Co3O4 의격자팽창문제를개선하여배터리에적용시배터리신뢰성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020200133414A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058526
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: C01G51/04
Abstract: 본발명은비정질 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기비정질 1차나노입자들사이에기공이형성되어있는 Co 3 O 4 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 Co 3 O 4 다공성나노입자는종래기술과는다르게 1nm 이하의비정질 Co 3 O 4 1차나노입자가형태로, 종래 Co 3 O 4 입자에비해비표면적이 400배이상높고, 배터리충방전시에발생하는 Co 3 O 4 의격자팽창문제를개선하여배터리에적용시배터리신뢰성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR102199176B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020190058529
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 세종대학교산학협력단
IPC: C01G19/02
Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있으며, 상기 1차나노입자는산화주석또는주석합금을포함하는것인 SnO2 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 다공성나노입자는주석합금을포함하는 10nm 이하의 SnO2 1차나노입자로구성됨으로써격자구조및 전자구조가변형되어, 전자소자에적용시기계적특성, 광학적특성및 전기적특성이향상될수 있다. 본발명의 SnO2 다공성나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해 Sn 클러스터를분리하고, Sn과합금을형성하여, 주석합금을포함하는 10nm 이하의 1차나노입자가응집된형태의 SnO2 다공성나노입자형성을가능케한다.
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