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公开(公告)号：KR102225992B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058534A
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교 산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
CPC classification number: C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/12
Abstract: 본 발명은 표면 및 내부에 결함이 형성된 NiO 나노입자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는 종래기술과는 다르게 결함이 증대되어, 소결특성이 향상되고, 높은 비표면적을 가져 전자소자에 적용시 센싱, 촉매 등 기능특성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 NiO 나노입자의 제조방법은 NiO 격자 내에 양이온 주입을 통해 결함을 증대시켜, 비표면적이 향상된 NiO 나노입자 형성을 가능케 한다.-
2.发明专利
公开(公告)号：KR102225995B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058537A
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교 산학협력단 , 한국세라믹기술원
CPC classification number: C01G19/02 , B01J19/087 , C01P2004/64 , C01P2006/12
Abstract: 본 발명은 표면 및 내부에 결함이 형성된 SnO
2 나노입자를 제공한다.
이에 의하여, 본 발명의 SnO
2 나노입자는 SnO
2 나노입자는 종래기술과는 다르게 결함이 증대되어, 소결특성이 향상되고, 높은 비표면적을 가져 전자소자에 적용시 센싱, 촉매 등 기능특성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 SnO
2 나노입자의 제조방법은 SnO
2 격자 내에 양이온 주입을 통해 결함을 증대시켜, 비표면적이 향상된 SnO
2 나노입자 형성을 가능케 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102225230B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190058526A
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교 산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: C01G51/04
CPC classification number: C25B1/00 , C01G51/04 , C01P2002/02 , C01P2002/54 , C01P2004/04 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/16
Abstract: 본 발명은 비정질 1차 나노입자들이 응집된 형태로 구성되고, 상기 비정질 1차 나노입자들 사이에 기공이 형성되어 있는 Co
3 O
4 다공성 나노입자를 제공한다.
이에 의하여, 본 발명의 Co
3 O
4 다공성 나노입자는 종래기술과는 다르게 1nm 이하의 비정질 Co
3 O
4 1차 나노입자가 형태로, 종래 Co
3 O
4 입자에 비해 비표면적이 400배 이상 높고, 배터리 충방전 시에 발생하는 Co
3 O
4 의 격자 팽창 문제를 개선하여 배터리에 적용시 배터리 신뢰성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR102225992B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058534
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR1020200133418A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058534
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 NiO 나노입자를제공한다. 본발명에따르면, 본발명의 NiO 나노입자는 NiO 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 NiO 나노입자의제조방법은 NiO 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 NiO 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR102225995B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190058537
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 나노입자는 SnO2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO2 나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO2 나노입자형성을가능케한다.
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公开(公告)号：KR1020200133419A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR1020190058537
申请日：2019-05-20
Applicant: 강원대학교산학협력단 , 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO 2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO 2 나노입자는 SnO 2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO 2 나노입자의제조방법은 SnO 2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO 2 나노입자형성을가능케한다.
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