公开(公告)号：WO2016171437A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/KR2016/003992

申请日：2016-04-18

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  이철연 ,  서주역

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 상호간에 크로스링킹이 가능한 무기질과 유기질의 혼합 물질로 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층이 형성된다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 메모리 절연층을 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)의 무기질 물질을 혼합한 하이브리드 절연층으로 형성되도록 하여, 무기 메모리와 유기 메모리 소자의 특성을 상호 보완하여 메모리 성능이 향상되며, 저온 뿐만 아니라 고온에서도 안정적으로 작동되어 사용범위가 매우 넓은 효과가 있다. 또한, 절연층을 폴리비닐페놀의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란의 무기질 물질의 크로스링킹을 통한 화학적 결합을 통해 유전율을 낮추면서도 히스테리시스 누설이 거의 없어 저전압에서 우수한 드레인 전류 특성을 가지도록 하여 저전압에서 구동이 가능한 효과가 있다. 또한, 폴리비닐페놀 물질을 실리콘 베이스 무기물인 비닐트리에톡시실란과 화학결합시켜 절연층이 단단해져 절연층 자체를 기판으로 사용할 수 있어, 별도의 기판 형성단계가 필요치 않아 제조시간을 단축할 수 있으며, 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 在包括形成在基板上的栅电极和源极和漏电极的存储器件中，通过无机材料和可交联的有机材料的混合物显示滞后的电可极化混合记忆绝缘层是 形成在栅极电极和源极和漏极之间。 根据本发明，形成作为混合绝缘层的记忆绝缘层，其中聚乙烯基苯酚的有机材料和乙烯基三乙氧基硅烷的无机材料混合，从而相互补充无机存储装置和有机存储装置的性质， 从而提高记忆性能，并能够在高温和低温下稳定运行，从而大大拓宽使用范围。 此外，由于通过聚乙烯基苯酚的有机材料和乙烯基三乙氧基硅烷的无机材料的交联而导致绝缘层的介电常数降低，并且绝缘层在低电压下具有优异的漏电流特性，因为存在 几乎没有滞后泄漏，从而使得能够在低电压下工作。 此外，通过聚乙烯基苯酚材料与作为硅系无机材料的乙烯基三乙氧基硅烷的化学键合，绝缘层变强，因此可以直接用作基材。 因此，不需要单独的基板形成步骤，从而缩短制造时间并降低制造成本。