公开(公告)号：WO2017078302A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：PCT/KR2016/011793

申请日：2016-10-20

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  한혜미

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/42 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0256

CPC classification number: C08G61/12 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0256 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 가시영역(VIS) 감광 전자-주게(p-형) 고분자 및 적외영역(NIR) 감광 전자-받게(n-형) 고분자의 나노구조화된 벌크이형접합층(BHT layers)들을 포함하여 근적외영역 내지 가시영역에 걸치는 광대역에서 감광이 가능한 광대역 감광 전-고분자 유기광전자소자에 관한 것으로서, 상기 광대역 감광 전-고분자 유기광전자소자는 전자주게 또는 전자받게로서의 근적외영역 감광 고분자를 포함함을 특징으로 한다:

Abstract translation: 本发明涉及可见（VIS）光敏电子接受（p型）聚合物和红外区（NIR）的纳米结构本体异质结构， 涉及一种高分子有机光电器件，宽感光I - - （BHT层）围绕感光可能宽光敏在宽带跨越近红外区域到可见光区域，包括聚合物有机光电子装置是电子供体或近红外作为电子受体 区域感光聚合物：＆lt; / p＆gt;

公开(公告)号：WO2016171437A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/KR2016/003992

申请日：2016-04-18

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  이철연 ,  서주역

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 상호간에 크로스링킹이 가능한 무기질과 유기질의 혼합 물질로 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 하이브리드 메모리 절연층이 형성된다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 메모리 절연층을 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란(Vinyltriethoxysilane)의 무기질 물질을 혼합한 하이브리드 절연층으로 형성되도록 하여, 무기 메모리와 유기 메모리 소자의 특성을 상호 보완하여 메모리 성능이 향상되며, 저온 뿐만 아니라 고온에서도 안정적으로 작동되어 사용범위가 매우 넓은 효과가 있다. 또한, 절연층을 폴리비닐페놀의 유기질 물질과 비닐트리에톡시실란의 무기질 물질의 크로스링킹을 통한 화학적 결합을 통해 유전율을 낮추면서도 히스테리시스 누설이 거의 없어 저전압에서 우수한 드레인 전류 특성을 가지도록 하여 저전압에서 구동이 가능한 효과가 있다. 또한, 폴리비닐페놀 물질을 실리콘 베이스 무기물인 비닐트리에톡시실란과 화학결합시켜 절연층이 단단해져 절연층 자체를 기판으로 사용할 수 있어, 별도의 기판 형성단계가 필요치 않아 제조시간을 단축할 수 있으며, 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 在包括形成在基板上的栅电极和源极和漏电极的存储器件中，通过无机材料和可交联的有机材料的混合物显示滞后的电可极化混合记忆绝缘层是 形成在栅极电极和源极和漏极之间。 根据本发明，形成作为混合绝缘层的记忆绝缘层，其中聚乙烯基苯酚的有机材料和乙烯基三乙氧基硅烷的无机材料混合，从而相互补充无机存储装置和有机存储装置的性质， 从而提高记忆性能，并能够在高温和低温下稳定运行，从而大大拓宽使用范围。 此外，由于通过聚乙烯基苯酚的有机材料和乙烯基三乙氧基硅烷的无机材料的交联而导致绝缘层的介电常数降低，并且绝缘层在低电压下具有优异的漏电流特性，因为存在 几乎没有滞后泄漏，从而使得能够在低电压下工作。 此外，通过聚乙烯基苯酚材料与作为硅系无机材料的乙烯基三乙氧基硅烷的化学键合，绝缘层变强，因此可以直接用作基材。 因此，不需要单独的基板形成步骤，从而缩短制造时间并降低制造成本。

公开(公告)号：WO2016171430A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/KR2016/003925

申请日：2016-04-15

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 서주역 ,  김화정 ,  김영규

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 본 발명은 폴리비닐알코올(PVA : Polyvinyl Alcohol)과 고분자 물질의 혼합 물질로 이루어진 고분자 메모리 절연층을 게이트 전극과 전하 수송층 사이에 형성하여, 히스테리시스(hysteresis)를 나타내는 전기적으로 분극 가능하도록 하여 드레인 전류가 히스테리시스 특성을 갖도록 함으로써 트랜지스터 구조를 가지면서 메모리 기능을 갖는 유기 메모리 소자 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한, 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 게이트 전극과 소오스 및 드레인 전극 사이에 폴리비닐알코올(PVA : Polyvinyl Alcohol)과 철 함유 단백질(Heme protein)의 혼합 물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것이다.

Abstract translation: 有机存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种有机存储器件及其制造方法，其中有机存储器件具有晶体管结构和存储功能，其中聚合物存储绝缘层由聚乙烯醇（PVA）和聚乙烯醇 聚合物材料形成在栅电极和电荷传输层之间，以使得聚合物存储器绝缘层能够电极化同时呈现滞后，从而漏极电流具有滞后特性。 为此，本发明涉及一种晶体管，其包括形成在基板上的栅极，源极和漏极，其中由聚乙烯醇（PVA）的混合材料形成的聚合物记忆绝缘层 并且在栅极和源极和漏极之间形成由此显示滞后并且可电极化的含铁蛋白（血红素蛋白）。

公开(公告)号：WO2017030267A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/KR2016/003923

申请日：2016-04-15

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  서주역

IPC: G02F1/1368 ,  G01L1/12

CPC classification number: G01L1/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 본 발명은 쌍극자 제어층을 포함한 액정-게이트-전계효과 트랜지스터 및 이를 이용한 촉각센서에 관한 것으로서, 기판 및 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극 및 상기 기판 상에 상기 게이트 전극과 이격되게 형성되는 소스 전극 및 상기 기판 상에 상기 소스 전극과 이격되게 형성되는 드레인 전극 및 상기 기판 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 형성되고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 채널층 및 상기 기판 상에 상기 게이트 전극과 상기 채널층을 연결하도록 형성되는 액정층 및 상기 액정층과 상기 채널층 간에 개재되어 상기 액정층이 상기 채널층에 전하 생성을 유도하는 것을 최소화하는 쌍극자 제어층을 포함하여 이루어진다. 상기와 같은 본 발명에 의하면, 기존의 액정-게이트-전계효과 트랜지스터의 구조에 유전율이 낮은 고분자 물질을 접목하여 '0'게이트 전압 상태에서 채널층을 통한 드레인 전류의 누설을 현저하게 감소시킴으로써, 트랜지스터의 기능을 제공하면서 센싱 감도가 현저하게 향상된 촉각센서의 기능도 동시에 제공할 수 있게 된다.

Abstract translation: 液晶栅场效应晶体管本发明涉及一种液晶栅场效应晶体管，其包括偶极控制层和使用其的触觉传感器，并包括：基板; 形成在所述基板上的栅电极; 形成在所述基板上以与所述栅电极间隔开的源电极; 形成在所述基板上以与所述源电极间隔开的漏电极; 形成在所述基板上以覆盖所述源电极和所述漏电极的沟道层，所述沟道层电连接所述源电极和所述漏电极; 形成在所述基板上以便连接所述栅电极和所述沟道层的液晶层; 以及插入在液晶层和沟道层之间的偶极子控制层，以便最小化通过液晶层在沟道层中产生电荷的感应。 如上所述，本发明将传统的液晶栅场效应晶体管结构与具有低介电常数的聚合物材料组合，使得在零栅极电压状态下通过沟道层的漏极电流的泄漏显着降低，由此 提供了晶体管的功能并且提供具有显着改善的感测灵敏度的触觉传感器的功能。

公开(公告)号：WO2016171436A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/KR2016/003977

申请日：2016-04-18

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  정재훈 ,  서주역

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 본 발명은 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 80℃ 이상의 고온에서 열처리하여 고분자 메모리 절연층을 형성시킴으로써 열적 안정성을 확보하면서도 저전압에서도 우수한 메모리 특성을 보일 수 있으며, 산성도가 적어 전하 수송층의 안정성을 높일 수 있고 유리전이온도가 매우 높아 300℃까지의 고온에서도 열처리가 가능한 술폰산(sulfonic acid) 계열의 유기물질을 메모리 저장층으로 적용시킨 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 유기 메모리 소자는, 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자이다.

Abstract translation: 有机存储装置及其制备方法技术领域本发明涉及一种使用高温热处理的有机存储装置及其制备方法，更具体地说，涉及即使在低电压下也能获得热稳定性以及优异的记忆特性的有机存储装置 通过在80℃以上的高温下进行热处理而形成聚合物记忆绝缘层。 并且本发明能够由于酸性低而能够提高电荷输送层的稳定性，并且向存储器层施加了玻璃化转变温度非常高的磺酸类有机材料，因此可以在 高温可达300°C。 为了达到上述目的，根据本发明的一个实施方案，在其上形成了包括源极和漏极以及形成在基板上的栅电极的晶体管中的有机存储器件，其上形成有电极化聚合物存储绝缘层， 由栅电极和源电极之间的热处理有机材料形成并显示滞后。