公开(公告)号：WO2016171436A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/KR2016/003977

申请日：2016-04-18

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 김영규 ,  김화정 ,  정재훈 ,  서주역

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 본 발명은 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 80℃ 이상의 고온에서 열처리하여 고분자 메모리 절연층을 형성시킴으로써 열적 안정성을 확보하면서도 저전압에서도 우수한 메모리 특성을 보일 수 있으며, 산성도가 적어 전하 수송층의 안정성을 높일 수 있고 유리전이온도가 매우 높아 300℃까지의 고온에서도 열처리가 가능한 술폰산(sulfonic acid) 계열의 유기물질을 메모리 저장층으로 적용시킨 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 유기 메모리 소자는, 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자이다.

Abstract translation: 有机存储装置及其制备方法技术领域本发明涉及一种使用高温热处理的有机存储装置及其制备方法，更具体地说，涉及即使在低电压下也能获得热稳定性以及优异的记忆特性的有机存储装置 通过在80℃以上的高温下进行热处理而形成聚合物记忆绝缘层。 并且本发明能够由于酸性低而能够提高电荷输送层的稳定性，并且向存储器层施加了玻璃化转变温度非常高的磺酸类有机材料，因此可以在 高温可达300°C。 为了达到上述目的，根据本发明的一个实施方案，在其上形成了包括源极和漏极以及形成在基板上的栅电极的晶体管中的有机存储器件，其上形成有电极化聚合物存储绝缘层， 由栅电极和源电极之间的热处理有机材料形成并显示滞后。