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公开(公告)号：WO2016027925A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2014/009605
申请日：2014-10-14
Applicant: 경희대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/88 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B32/182 , C01B32/186 , C01B33/023 , C01B2204/22 , C01P2006/40 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/15 , H01L29/1606 , H01L29/66151 , H01L31/035218 , H01L31/1804 , H01L33/06 , Y10S977/734 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/843 , Y10S977/896 , Y10S977/932
Abstract: 실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 다이오드의 성능 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 터널링 다이오드를 제공한다. 본 발명의 이상적인 터널링 다이오드는 다이오드 기반의 광전자 소자에 활용이 가능하다.
Abstract translation: 提供了一种包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的隧道二极管，通过控制硅量子点的尺寸和石墨烯的掺杂浓度，隧道二极管具有增强的二极管性能和电性能。 根据本发明的优选的隧道二极管可以用于基于二极管的光电子器件。
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公开(公告)号：WO2016027934A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2014/011176
申请日：2014-11-20
Applicant: 경희대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B31/0484 , C01B32/182 , H01L31/0288 , H01L31/035218 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/09 , H01L31/10 , H01L31/109 , Y10S977/734 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/843 , Y10S977/847 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/948
Abstract: 실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드를 제공한다. 본 발명의 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드는 제작이 용이하고, 대면적 제작이 가능하며 자외선 영역에서 근적외선 영역까지 광검출 대역이 넓고, 선택적으로 흡수 에너지의 조절이 가능하다.
Abstract translation: 提供了包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的光电二极管，通过控制硅量子点的尺寸和石墨烯的掺杂浓度，光电二极管具有增强的光学特性和电性能。 包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的光电二极管能够容易地制造，大面积制造和选择性地控制吸收的能量，并且具有从紫外区域到近红外区域的宽的光检测带。
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公开(公告)号：WO2018124390A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/002415
申请日：2017-03-07
Applicant: 경희대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C01B32/182
CPC classification number: C01B32/186 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 그래핀의 전기전도도를 높게 유지하면서 일함수 조절이 가능한 그래핀 전극을 이용한 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 페로브스카이트 태양전지 구조에 p형 그래핀 전극을 사용하여 그 도핑농도를 조절함으로써, 페로브스카이트 태양전지의 에너지 변환 효율을 증대시킬 수 있다.
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