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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016027925A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2014/009605
申请日：2014-10-14
Applicant: 경희대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/88 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B32/182 , C01B32/186 , C01B33/023 , C01B2204/22 , C01P2006/40 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/15 , H01L29/1606 , H01L29/66151 , H01L31/035218 , H01L31/1804 , H01L33/06 , Y10S977/734 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/843 , Y10S977/896 , Y10S977/932
Abstract: 실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 다이오드의 성능 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 터널링 다이오드를 제공한다. 본 발명의 이상적인 터널링 다이오드는 다이오드 기반의 광전자 소자에 활용이 가능하다.
Abstract translation: 提供了一种包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的隧道二极管，通过控制硅量子点的尺寸和石墨烯的掺杂浓度，隧道二极管具有增强的二极管性能和电性能。 根据本发明的优选的隧道二极管可以用于基于二极管的光电子器件。
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公开(公告)号：WO2016178452A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/KR2015/005501
申请日：2015-06-02
Applicant: 경희대학교산학협력단
CPC classification number: C23F1/10
Abstract: 귀금속이 아닌 그래핀을 촉매로 사용하여 경제적인 비용 부담을 낮추고, 독성이 높은 강산성의 용액을 사용하지 않아 상대적으로 안전한 그래핀을 촉매로 한 실리콘의 화학적 식각 방법을 제공한다.
Abstract translation: 提供了使用石墨烯作为催化剂的硅的化学蚀刻方法，其降低了由不是贵金属的石墨烯催化剂所使用的经济成本负担，并且相对安全，因为不使用任何高毒性 强酸性溶液。
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公开(公告)号：WO2016182118A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2015/006277
申请日：2015-06-22
Applicant: 경희대학교산학협력단
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 이온주입법을 이용하여 도펀트 이온을 지지층이 코팅된 그래핀에 주입하고, 도펀트 이온이 주입된 그래핀을 열처리하여 그래핀에 도펀트 이온을 도핑하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법에 관한 것으로, 성장된 그래핀에 지지층을 덮어 강한 이온 빔 에너지에 의한 그래핀 층의 손상을 최소화할 수 있고, 도펀트 이온들이 얇은 그래핀을 뚫고 지나가는 것을 차단할 수 있으며, 그래핀 표면에 도펀트 이온들을 최대한 분포시켜 넓은 면적에 균일하게 도핑할 수 있어, 차세대 광전자 소자 및 전자 소자 산업에 도핑된 그래핀의 응용 가능성을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过离子注入来掺杂支持层的石墨烯的方法，该方法通过使用离子注入法将掺杂剂离子注入支撑层涂覆的石墨烯中，并将掺杂剂离子热处理掺杂离子掺杂到石墨烯中 被注入的石墨烯。 支撑层覆盖在生长的石墨烯上，从而最小化由强离子束能量引起的石墨烯层的损伤，并防止掺杂剂离子穿透薄的石墨烯，并且掺杂剂离子最大程度地分布在石墨烯的表面上，从而允许在大的石墨烯上均匀掺杂 因此可以在下一代光电器件和电子器件行业中增加掺杂石墨烯的适用性。
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公开(公告)号：WO2016027934A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2014/011176
申请日：2014-11-20
Applicant: 경희대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B31/0484 , C01B32/182 , H01L31/0288 , H01L31/035218 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/09 , H01L31/10 , H01L31/109 , Y10S977/734 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/843 , Y10S977/847 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/948
Abstract: 실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드를 제공한다. 본 발명의 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드는 제작이 용이하고, 대면적 제작이 가능하며 자외선 영역에서 근적외선 영역까지 광검출 대역이 넓고, 선택적으로 흡수 에너지의 조절이 가능하다.
Abstract translation: 提供了包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的光电二极管，通过控制硅量子点的尺寸和石墨烯的掺杂浓度，光电二极管具有增强的光学特性和电性能。 包括石墨烯 - 硅量子点混合结构的光电二极管能够容易地制造，大面积制造和选择性地控制吸收的能量，并且具有从紫外区域到近红外区域的宽的光检测带。
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公开(公告)号：WO2018124390A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/002415
申请日：2017-03-07
Applicant: 경희대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C01B32/182
CPC classification number: C01B32/186 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 그래핀의 전기전도도를 높게 유지하면서 일함수 조절이 가능한 그래핀 전극을 이용한 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 페로브스카이트 태양전지 구조에 p형 그래핀 전극을 사용하여 그 도핑농도를 조절함으로써, 페로브스카이트 태양전지의 에너지 변환 효율을 증대시킬 수 있다.
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