公开(公告)号：WO2013109071A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/KR2013/000378

申请日：2013-01-17

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  마티브 웬가말로리 ,  강동환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法以及使用它的主动操作显示装置和主动操作传感器装置。 根据本发明的制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法包括：在衬底上沉积和图案化栅极层以形成栅电极的第一步骤; 在栅电极上依次沉积栅极绝缘膜，氧化物半导体和蚀刻阻挡层的第二步骤; 图案化氧化物半导体的第三步骤; 在图案化氧化物半导体上形成源电极和漏电极的第四步骤; 以及在所述源电极和所述漏电极上沉积保护层并在所述保护层中形成接触孔的第五步骤，其中所述氧化物半导体的厚度为4nm以下。