公开(公告)号：WO2016089131A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/KR2015/013148

申请日：2015-12-03

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  김효민 ,  김정기

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명은 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 음극, 발광층 및 전하 생성층을 포함하는 발광 소자로서, 상기 전하 생성층은 용액공정에 의해 유기 반도체로 이루어진 p형 층 및 산화물 반도체로 이루어진 n형 층이 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자가 제공된다.

Abstract translation: 本发明提供使用通过溶液法形成的电荷产生层的发光元件及其制造方法。 本发明提供一种发光元件，其包括正极，负极，发光层和电荷产生层，其特征在于，所述电荷产生层具有p型层，所述p型层包含 有机半导体和n型层，其包括通过溶液工艺以逐层结构形成的氧化物半导体。

公开(公告)号：WO2014200190A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/KR2014/004232

申请日：2014-05-12

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  석만주 ,  엄재광 ,  이수희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 산화물 반도체 트랜지스터는 디스플레이 장치의 화소 소자로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 위치하는 제2 게이트 전극;을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 전기적으로 연결되어 동일한 전압을 인가받고, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 公开了用作显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法。 所公开的氧化物半导体晶体管是用作显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管，包括：基板; 位于所述基板上的第一栅电极; 位于第一栅电极上的源电极和漏电极; 以及位于源电极和漏电极上的第二栅电极，其中第一栅电极和第二栅电极电连接以便施加相同的电压，并且第二栅电极的宽度比第二栅电极之间的宽度窄 源极和漏极。

公开(公告)号：WO2013109071A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/KR2013/000378

申请日：2013-01-17

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  마티브 웬가말로리 ,  강동환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판상에 게이트 층을 증착 및 패터닝 하여게이트 전극을 형성하는 제1 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물반도체와 에치 스토퍼를 순차적으로 증착하는 제2 단계; 상기 산화물 반도체를 패터닝하는 제3 단계; 상기 패터닝된 산화물 반도체 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제4 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 증착하고, 상기 보호층에 컨택 홀을 형성하는 제5 단계;를 포함하되, 상기 산화물 반도체의 두께가 4nm 이하로 형성된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法以及使用它的主动操作显示装置和主动操作传感器装置。 根据本发明的制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法包括：在衬底上沉积和图案化栅极层以形成栅电极的第一步骤; 在栅电极上依次沉积栅极绝缘膜，氧化物半导体和蚀刻阻挡层的第二步骤; 图案化氧化物半导体的第三步骤; 在图案化氧化物半导体上形成源电极和漏电极的第四步骤; 以及在所述源电极和所述漏电极上沉积保护层并在所述保护层中形成接触孔的第五步骤，其中所述氧化物半导体的厚度为4nm以下。

公开(公告)号：WO2016039585A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/KR2015/009586

申请日：2015-09-11

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  김정기 ,  크리스토프 빈센트아비스

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5088 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D11/033 ,  C09D11/037 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  C09K11/06 ,  H01B1/08 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303

Abstract: 본 발명은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用含有镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制备方法。 根据本发明，提供了一种包括阴极，空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和阳极的有机发光二极管，其中空穴注入层是p型 含有Ga的氧化物半导体。

公开(公告)号：WO2011145814A2

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/KR2011/003248

申请日：2011-04-29

Applicant: 경희대학교 산학협력단 ,  이선희 ,  김성훈 ,  장진

Inventor： 이선희 ,  김성훈 ,  장진

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/1292

Abstract: 본 발명은 (a) 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; (b) 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 게이트 절연막 위에 은과 탄소가 함유된 소스 및 드레인 전극을 서로 이격시켜 형성하는 단계; (d) 상기 게이트 절연막 상에 상기 소스 및 드레인 전극을 연결하는 반도체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 이에 의해, 고 해상도의 전극 패턴을 갖는 박막 트랜지스터를 저가격, 대면적으로 제조할 수 있다. 또한, 이와 같이 제조된 박막 트랜지스터는 기존의 은 또는 금 전극을 사용했을 때보다 전달 특성, 출력 특성, 및 히스테리시스 특성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法，该方法包括：（a）在基板上形成栅电极; （b）在栅电极上形成栅极绝缘层; （c）在栅极绝缘层上形成含有银和碳的分离的源极和漏极; 以及（d）在所述栅极绝缘层上形成连接所述源极和漏极的半导体。 因此，可以以低成本和大面积制造具有高分辨率电极图案的薄膜晶体管。 此外，与使用典型的银或金电极的那些相比，制造的薄膜晶体管具有改进的输送，输出和滞后特性。

公开(公告)号：WO2015142038A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/KR2015/002587

申请日：2015-03-17

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  아비스크리스토프 빈센트 ,  김형필

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L29/78693 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/422 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, CuS, 및 SnO, ITO, IZTO, IGZO 및 IZO에서 선택되어지는 1종 이상의 결합에 Ga이 추가적으로 결합되어 있는 p형 산화물 반도체가 제공된다.

Abstract translation: 本发明公开了一种包括镓的p型非晶氧化物半导体及其制造方法，以及包括其的太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。 根据本发明，提供了一种p型氧化物半导体，其中Ga与CuS和选自SnO，ITO，IZTO，IGZO和IZO中的一种或多种的化合物另外组合。

公开(公告)号：KR102032012B1

公开(公告)日：2019-10-14

申请号：KR1020150071761

申请日：2015-05-22

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  김형필

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/0256

公开(公告)号：KR101812896B1

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：KR1020160123173

申请日：2016-09-26

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  황은사 ,  김효민

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은전하생성접합층을포함하는양자점발광소자의구조및 그제조방법을개시한다. 본발명의일 실시예에따른음극, p형반도체층및 n형반도체층을포함하는제1 전하생성접합층, 양자점발광층, 정공수송층, p형반도체층및 n형반도체층을포함하는제2 전하생성접합층및 양극을포함하고, 상기제1 전하생성접합층및 제2 전하생성접합층을용액공정으로형성하여전하의생성및 주입을안정화하고, 공정시간을단축시키며, 양자점발광소자의양극또는음극의일함수 (Work-function)에대한문제점을개선할수 있는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种包括电荷产生接合层的量子点发光器件的结构及其制造方法。 第二电荷包括第一电荷产生粘接层，所述量子点发光层，空穴传输层，p型半导体层和n型半导体层，其包括根据本发明的一个实施例的负电极，p型半导体层和n型半导体层 一代接合层与所述正电极和所述第一电荷产生粘接层和所述第二由此形成由溶解工艺的电荷产生粘接层，以稳定的产生和电荷的注入，减少处理时间，量子点发光器件的阳极或 有可能改善阴极功函数的问题。

公开(公告)号：KR101727851B1

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020160000412

申请日：2016-01-04

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  김용환 ,  엄재광

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

Abstract: 플렉서블디스플레이장치및 그의제조방법을제공한다. 본발명의플렉서블디스플레이장치는캐리어기판상에폴리이미드계용액을코팅하여제1 폴리이미드계층을형성하는단계, 제1 폴리이미드계층 상에산화물박막트랜지스터어레이를형성하는단계, 산화물박막트랜지스터어레이상에폴리이미드계용액을코팅하여제2 폴리이미드계층을형성하는단계, 제2 폴리이미드계층 상에유기발광다이오드를형성하는단계및 캐리어기판을제거하는단계를포함하며, 산화물박막트랜지스터어레이를형성하는단계는상기제1 폴리이미드계층과상기제2 폴리이미드계층 사이에위치하도록상기산화물박막트랜지스터어레이를형성하는산화물박막트랜지스터어레이를형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150108168A

公开(公告)日：2015-09-25

申请号：KR1020140031015

申请日：2014-03-17

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  크리스토프아비스

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78672

Abstract: 본 발명은, 갈륨 농도 비율에 따른 용액공정으로 간편하게 제조할 수 있는 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세히는, CuS, 및 SnO, ITO, IZTO 및 IZO에서 선택되어지는 1종 이상의 결합에 Ga이 추가적으로 결합되어 있는 p형 산화물 반도체 및 이의 제조방법이다. 본 발명의 p형 산화물 반도체는, 용액공정에 의해 용이하게 제조할 수 있어 저온·저비용 제조가 가능할 뿐 아니라, 갈륨의 농도 비율에 따라 결정 또는 비정질 상태의 박막을 얻을 수 있으며, 높은 이동도의 고성능 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包含镓的p型非晶氧化物半导体及其制造方法，其能够通过镓浓度比的溶液处理简单地制造包括镓的p型非晶氧化物半导体。 更具体地，本发明涉及另外组合Ga与选自Cus，SnO，ITO，IZTO和IZO中的一种或多种键的p型氧化物半导体及其制造方法。 根据本发明的p型氧化物半导体通过溶液法容易地制造p型氧化物半导体，通过镓浓度比获得结晶或非晶薄膜，实现了低温低成本的制造工艺，并实现了 具有高性能和高移动性的薄膜晶体管。