公开(公告)号：WO2015142038A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/KR2015/002587

申请日：2015-03-17

Applicant: 경희대학교 산학협력단

Inventor： 장진 ,  아비스크리스토프 빈센트 ,  김형필

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L29/78693 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/422 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, CuS, 및 SnO, ITO, IZTO, IGZO 및 IZO에서 선택되어지는 1종 이상의 결합에 Ga이 추가적으로 결합되어 있는 p형 산화물 반도체가 제공된다.

Abstract translation: 本发明公开了一种包括镓的p型非晶氧化物半导体及其制造方法，以及包括其的太阳能电池以及太阳能电池的制造方法。 根据本发明，提供了一种p型氧化物半导体，其中Ga与CuS和选自SnO，ITO，IZTO，IGZO和IZO中的一种或多种的化合物另外组合。