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公开(公告)号：KR1020090041100A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106630
申请日：2007-10-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: A transparent thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to prevent the deterioration of the element due to a high voltage and to reduce power consumption by thickening the width of a channel of a transistor. An active layer(23) made of a semiconductor material is formed on a substrate(21). A source and drain electrode(22) is made of metal compound to contact both sides of the active layer. A gate insulation layer(24) is formed on the active layer. A gate electrode(25A) is formed on the gate insulating layer. The active layer, the gate electrode, the gate insulating layer, and the source and drain electrode are made of the transparent material which the light penetrates into.
Abstract translation: 提供一种透明薄膜晶体管及其制造方法，以防止由于高电压导致的元件的劣化，并且通过增加晶体管的沟道的宽度来降低功耗。 在基板（21）上形成由半导体材料制成的有源层（23）。 源极和漏极（22）由金属化合物制成以接触有源层的两侧。 在有源层上形成栅极绝缘层（24）。 在栅极绝缘层上形成栅电极（25A）。 有源层，栅极电极，栅极绝缘层以及源极和漏极由光穿透的透明材料制成。
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公开(公告)号：KR1020070088921A
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020060018794
申请日：2006-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: Provided is a nanotube chemical sensor having a simple structure which is readily produced by its simple structure and is able to be used as a gas sensor and a bio sensor by its excellent sensitivity. A nanotube chemical sensor comprises: an insulating layer(2) deposited on a glass, silicone or ceramic substrate(1); at least one pair of electrodes(3) deposited on the insulating layer to face each other; and a sensing part(7) having a plurality of carbon nanotubes distributed in the space between the pair of electrodes while forming a network structure. The plurality of carbon nanotubes are electrically connected with each other and the pair of electrodes are electrically connected with ends of the carbon nanotubes in the sensing part.
Abstract translation: 本发明提供一种具有简单结构的纳米管化学传感器，其易于通过其简单的结构产生并且能够通过其优异的灵敏度用作气体传感器和生物传感器。 纳米管化学传感器包括：沉积在玻璃，硅树脂或陶瓷衬底（1）上的绝缘层（2）; 至少一对电极（3）沉积在所述绝缘层上以面对彼此; 以及具有分布在所述一对电极之间的空间中的多个碳纳米管的感测部分（7），同时形成网络结构。 多个碳纳米管彼此电连接，并且一对电极与感测部分中的碳纳米管的端部电连接。
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公开(公告)号：KR1020090100684A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020080026003
申请日：2008-03-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A wearable apparatus equipped with an energy collection type power source is provided to supply the power to the wearable apparatus by oneself without a separate external device by using a solar battery. CONSTITUTION: A wearable apparatus equipped with an energy collection type power source includes a flexible substrate, a display unit(200), a solar cell unit(400) and a storage unit(500). The display unit is formed at an upper side of the flexible substrate. The solar cell unit is formed at a lower side of the flexible substrate. The storage unit stores the power generated through the solar cell unit, and supplies the power when driving the display unit.
Abstract translation: 目的：提供一种装有能量收集型电源的可穿戴式设备，通过使用太阳能电池，通过自己无需单独的外部设备即可向可穿戴设备供电。 构成：配备有能量收集型电源的可佩戴装置包括柔性基板，显示单元（200），太阳能电池单元（400）和存储单元（500）。 显示单元形成在柔性基板的上侧。 太阳能电池单元形成在柔性基板的下侧。 存储单元存储通过太阳能电池单元产生的电力，并且在驱动显示单元时提供电力。
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公开(公告)号：KR1020090039145A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070104613
申请日：2007-10-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y40/00 , G11C11/15
Abstract: A manufacturing method of a nonvolatile magnetoresistive memory device using a nano imprinting lithography is provided to reduce a production cost by using a nano imprinting lithography technique. A first interlayer insulation film(110) is formed on a front of a substrate. A source line(111) is formed on a top of the first interlayer insulation film. A second interlayer insulation film(112) is formed on a front of the substrate. A digit line(113) is formed on a top of the second interlayer insulation film. A third interlayer insulation film(114) is formed on a front of a film including the digit line. A bottom electrode(115) is contacted with a third plug(108C), and is formed on a top of the third interlayer insulation film. A pinning layer(116) and a fixed layer(117) are formed on a top of the bottom electrode. A magnetic tunnel junction cell(121) is formed on a top of the bottom electrode. A bit line(123) is contacted with a top surface of the magnetic tunnel junction cell.
Abstract translation: 提供使用纳米压印光刻的非易失性磁阻存储器件的制造方法，以通过使用纳米压印光刻技术来降低生产成本。 第一层间绝缘膜（110）形成在基板的前面。 源极线（111）形成在第一层间绝缘膜的顶部上。 在基板的前面形成第二层间绝缘膜（112）。 数字线（113）形成在第二层间绝缘膜的顶部。 第三层间绝缘膜（114）形成在包括数字线的膜的前面。 底电极（115）与第三插头（108C）接触，并形成在第三层间绝缘膜的顶部。 在底部电极的顶部上形成钉扎层（116）和固定层（117）。 磁性隧道结电池（121）形成在底部电极的顶部。 位线（123）与磁性隧道结单元的顶表面接触。
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公开(公告)号：KR100890211B1
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070114542
申请日：2007-11-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/0046 , B82Y40/00 , H01L27/115 , Y10S977/887
Abstract: A non-volatile memory device producing method is provided to form the minute pattern on the semiconductor substrate by transferring the fine pattern on the semiconductor substrate through the nano imprinting technology. A resist layer(320) is formed on a substrate(310). A stamp(330) is contacted with the resist layer and the unevenness pattern of stamp is transferred onto the resist layer. The memory layer is formed on the resist layer on the substrate. The resist layer positioned between the memory layers is removed. The ion injection process is performed to the substrate and the source and drain regions are formed between the memory layers.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件的制造方法，用于通过纳米压印技术在半导体衬底上转印精细图案，在半导体衬底上形成微小图案。 在基板（310）上形成抗蚀剂层（320）。 印模（330）与抗蚀剂层接触，印模的凹凸图案转印到抗蚀剂层上。 存储层形成在基板上的抗蚀剂层上。 位于存储层之间的抗蚀剂层被去除。 对衬底进行离子注入处理，并且在存储层之间形成源区和漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100821699B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020060018794
申请日：2006-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 탄소나노튜브 화학센서가 제공된다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 화학센서는 유리, 실리콘 또는 세라믹 기판 상에 적층된 절연층; 상기 절연층의 상부에 상호 대향하도록 적층되어 있는 적어도 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 전극이 이격되어 있는 부위에 다수의 탄소나노튜브가 분산되어 있는 감지부로 이루어지며, 상기 다수의 탄소나노튜브들 및 상기 한 쌍의 전극감지부와 상기 감지부의 탄소나노튜브 말단은 전기적으로 통전되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 화학센서는 간단한 구조를 가짐에도 미세한 pH 변화 및 극소량의 물질을 우수한 감도로 검출해 낼 수 있으며, 제조원가를 절감하여 양산성을 향상시킬 수 있다.Abstract translation: 提供碳纳米管化学传感器。
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公开(公告)号：KR100986148B1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：KR1020080031549
申请日：2008-04-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 활성층 내 전하의 이동도를 향상시키기 위하여 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조의 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 박막 트랜지스터는, 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에서 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 형성된 소스전극 및 드레인전극을 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조를 갖는 활성층을 구비함으로써, 활성층 내 전하의 이동도를 향상시킬 수 있다.
탄소나노튜브, 유기반도체, 트랜지스터, 호핑, 이동도-
公开(公告)号：KR1020090092079A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017366
申请日：2008-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0055 , H01L51/105
Abstract: A manufacturing method of organic thin film transistor is provided to prevent the electric property of device from being degraded by manufacturing the organic thin film transistor using the solution process. An active layer(17) is formed into the TIPS-pentacene. The TIPS-pentacene is formed in a substrate(11) using the drop casting method. A gate isolation layer(13) is formed into the SOG(Spin On Glass). The active layer and the gate isolation layer are formed by the solution process. The gate electrode(12) is formed on the top of the substrate. The gate electrode is formed to have the thickness of 150nm ~ 300nm range. A protective layer(18) is formed on the front side of outcome including the active layer. The gate electrode is formed of the metal material or the metal compound.
Abstract translation: 提供有机薄膜晶体管的制造方法，以通过使用溶液处理制造有机薄膜晶体管来防止器件的电特性劣化。 在TIPS-并五苯中形成有源层（17）。 使用滴铸法在基板（11）中形成TIPS-并五苯。 栅极隔离层（13）形成为SOG（旋转玻璃）。 通过溶液法形成有源层和栅极隔离层。 栅电极（12）形成在基板的顶部。 栅电极的厚度为150nm〜300nm。 在包括有源层的结果的前侧上形成保护层（18）。 栅电极由金属材料或金属化合物形成。
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公开(公告)号：KR1020090051439A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070117828
申请日：2007-11-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L51/0529 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 낮은 전압레벨을 높일 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에 나노 입자들로 이루어진 나노 물질층; 상기 나노 물질층을 포함하는 전체 구조 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하여 게이트절연층과 활성층 사이에 나노 물질층을 형성함으로써 전하 이동도가 높고, 구동 전압 및 문턱전압이 낮으며, 후속 공정에 높은 안정성을 갖는 효과, 비휘발성 메모리 효과와 자기장 효과를 증폭시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 효과, 나노 물질층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터는 그렇지 않은 유기 박막 트랜지스터보다 포화영역(Saturation region) 특성이 우수한 효과 및 게이트전극과 소스 및 드레인 전극을 투명한 전극으로 적용하는 경우 투명 박막 트랜지스터로 응용할 수 있는 효과가 있다.
유기 박막 트랜지스터, 나노 물질, 도핑-
公开(公告)号：KR101868557B1
公开(公告)日：2018-07-23
申请号：KR1020160117940
申请日：2016-09-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02D70/40
Abstract: 다중사용자다중입출력에기반한랜덤유니터리빔포밍시, 커버리지내 데이터전송을요구하는복수의후보사용자단말들로파일럿신호를전송하고, 후보사용자단말별로파일럿신호에대응하는부분채널정보를피드백받고, 후보사용자단말별 부분채널정보에기초하여적어도하나의사용자단말을선택하고, 선택된사용자단말들의부분채널정보에기초하여스트림개수및 전송전력의값을각각최적화하는에너지효율성함수의최적해를산출하고, 산출된최적해에따른스트림개수및 전송전력을적용하여선택된사용자단말들로스트림을전송하되, 부분채널정보는파일럿신호에기초하여선택된빔포밍인덱스, 수신신호크기, 및간섭의크기를포함하고, 사용자단말별 수신신호의크기및 간섭의크기는파일럿신호를이용하여신호대간섭및잡음비(SINR)에기초하여산출된다.
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