유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101768155B1

    公开(公告)日:2017-08-16

    申请号:KR1020140131193

    申请日:2014-09-30

    Abstract: 본발명은게이트전극; 유기막; 및소스전극및 드레인전극을포함하는유기발광트랜지스터에관한것으로, 상기유기막은전자수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭디이미드화합물을, 상기홀 수송층은구리프탈로시아닌화합물을포함하는것을특징으로함으로써, 공기중에서도전계이동도및 정공과전자의이동도균형이우수할뿐만아니라, 안정성이더욱향상되었다.

    유기 시모스 인버터 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101862976B1

    公开(公告)日:2018-05-31

    申请号:KR1020170001378

    申请日:2017-01-04

    Inventor: 최종호 김대규

    CPC classification number: H01L21/8238 H01L21/02148 H01L27/092 H01L51/0508

    Abstract: 본발명은유기시모스인버터및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른유기시모스인버터는기판(10), 기판(10)의일면에하프늄티타늄옥사이드(HfTiO)로형성된기저층(21), 및기저층(21) 상에엔-도데실포스포닉엑시드(n-dodecylphosphonic acid, PA-C12)로형성된자기조립층(22)을포함하는절연층(20), 절연층(20) 상의소정의영역에, 제1 유기물이증착되어형성되는제1 채널층(30), 절연층(20) 상에, 제1 채널층(30)의일측에에접촉하여배치되도록, 제2 유기물이증착되어형성되는제2 채널층(40), 및제1 전극(51), 제2 전극(55), 및제3 전극(58)을포함하고, 제1 채널층(30), 및제2 채널층(40) 상에배치되는전극부(50)을포함한다.

    유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법
    5.
    发明公开
    유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    有机发光场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160038353A

    公开(公告)日:2016-04-07

    申请号:KR1020140131193

    申请日:2014-09-30

    Abstract: 본발명은게이트전극; 유기막; 및소스전극및 드레인전극을포함하는유기발광트랜지스터에관한것으로, 상기유기막은전자수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭디이미드화합물을, 상기홀 수송층은구리프탈로시아닌화합물을포함하는것을특징으로함으로써, 공기중에서도전계이동도및 정공과전자의이동도균형이우수할뿐만아니라, 안정성이더욱향상되었다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光晶体管,包括:栅电极; 有机膜; 源电极和漏电极,其中有机膜具有包含N,N'-二(三联苯基)苝-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺化合物的电子转移层和包含铜酞菁化合物的空穴转移层 从而即使在空气中也不仅具有优异的场效应迁移率和空穴和电子迁移率的平衡,而且具有改进的稳定性。

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