하이브리드 불순물 활성화 방법
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020009281A1

    公开(公告)日:2020-01-09

    申请号:PCT/KR2018/013140

    申请日:2018-10-31

    Inventor: 유현용 김승근

    Abstract: 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법이 개시된다. 상기 불순물 활성화 방법은 (a) 반도체 기판에 불순물을 주입하는 단계, (b) 상기 반도체 기판을 500℃ 내지 550℃에서 열처리하여 상기 불순물을 제1차 활성화하는 단계, 및 (c) 상기 불순물이 주입된 반도체 기판의 표면에 가시광 레이저를 조사하여 상기 불순물을 제2차 활성화하는 단계를 포함한다.

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