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公开(公告)号:WO2020009281A1
公开(公告)日:2020-01-09
申请号:PCT/KR2018/013140
申请日:2018-10-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/22
Abstract: 반도체 소자에서의 불순물 활성화 방법이 개시된다. 상기 불순물 활성화 방법은 (a) 반도체 기판에 불순물을 주입하는 단계, (b) 상기 반도체 기판을 500℃ 내지 550℃에서 열처리하여 상기 불순물을 제1차 활성화하는 단계, 및 (c) 상기 불순물이 주입된 반도체 기판의 표면에 가시광 레이저를 조사하여 상기 불순물을 제2차 활성화하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR102260697B1
公开(公告)日:2021-06-07
申请号:KR1020190081098
申请日:2019-07-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/0224
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公开(公告)号:KR20210004532A
公开(公告)日:2021-01-13
申请号:KR20190081098
申请日:2019-07-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/032
Abstract: 수광소자및 이를이용한광 측정방법에관한것으로, 수광소자는넓은밴드갭을갖는물질을포함하는채널부및 상기채널부가직접또는간접적으로형성되는조절전극부를포함하되, 상기조절전극부의전부또는일부는좁은밴드갭을갖는협밴드갭물질을포함하여형성된것일수 있다.
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