公开(公告)号：KR100959290B1

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020080007690

申请日：2008-01-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  김동호

IPC: H01L33/12

Abstract: 본 발명은 격자 결함을 최소화시키면서 질화물의 에피 성장이 용이하도록 버퍼층을 형성한 질화물 반도체 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 단결정 코발트 실리사이드층(CoSi
2 ) 또는 단결정 티나늄 나이트라이드층(TiN)을 실리콘 기판과 질화물층 사이에 버퍼층으로서 형성한다. 또한, 본 발명의 버퍼층은 질화물층과 격자 부정합이 작고, 높은 용융점을 가지므로, 종래기술의 격자 상수의 차이로 인한 질화물 성장시 결함 발생을 억제하고, 고온에서 실리콘 확산으로 인해서 질화물층이 오염되는 것을 차단하여 실리콘 기판 상에 질화물을 용이하게 에피 성장시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 버퍼층은 전기 전도도가 우수한 고융점 금속(refractory metal)으로서, 질화물층과 저항성 접촉(ohmic contact)을 형성하여 빌트인(built-in) 소자 제작이 용이한 효과가 있다. 또한, 본 발명은 열전도도가 우수한 금속 기반의 물질을 사용하여 소자에서 발생하는 열을 보다 빠르게 외부로 방출하여 높은 광효율 및 신뢰성을 갖는 고출력의 발광소자를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에서 기판으로 사용되는 실리콘 단결정 웨이퍼는 사파이어나 SiC, GaAs 보다 저렴하기 때문에, 질화갈륨 박막 에피층의 생산에 있어 생산원가를 크게 절감할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100926280B1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020070131493

申请日：2007-12-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  이병규 ,  신영철 ,  김은홍

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38

Abstract: 본 발명은 광추출 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 질화물 발광 소자 제조 방법은, (a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 동일한 곡률을 갖는 복수의 요홈부가 형성되도록 상기 질화물층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 투명 전극층의 표면에 동일한 곡률을 갖는 요홈부를 형성함으로써, 활성층에서 발생된 빛이 투명 전극층으로 입사된 후, 투명 전극층의 표면에서 산란되어 외부로 방출된다. 따라서, 표면산란 효과를 통한 빛 추출 효율을 향상시키기 위하여 이용되는 종래 기술의 Surface texturing 방식과 동일한 빛 추출 효율 향상 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 투명 전극층 표면 패턴을 조절함으로써 투명 전극층으로부터 2D 포토닉 크리스탈(photonic crystal) 효과를 얻을 수 있는데, 이는 기존의 단일층 투명 전극층과 공기(또는 epoxy) 층에서 발생하는 전반사로 인해 빛의 추출 효율이 감소되었던 종래 기술과는 달리, 투명 전극층의 평면 방향으로 향하는 빛을 회절시켜 표면에 대해서 수직 방향으로 방출시킴으로써 빛 추출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다.

Abstract translation: 本发明公开了一种具有改善的光提取效率的氮化物发光器件及其制造方法。 根据本发明的制造氮化物发光器件的方法包括以下步骤：（a）在衬底上形成氮化物层; 并且（b）在氮化物层上形成透明电极层以形成具有相同曲率的多个凹部。 本发明中，通过形成具有透明电极层的表面相同的曲率的槽，从有源层产生的光进入由透明电极层，从透明电极层的表面散射后向外部射出。 因此，光提取效率改善效果与用于通过表面散射效应改善光提取效率的相关技术的表面纹理化方法相同。 进一步地，本发明可以通过调整由单层透明电极层的整体和空气（或环氧树脂）中产生的全反射导致的透明电极层的表面图案，从透明电极层获得二维光子晶体效应， 通过衍射在透明电极层的平面方向上的光并沿垂直于透明电极层的表面的方向发射光来提高光提取效率。

公开(公告)号：KR100941136B1

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：KR1020080050723

申请日：2008-05-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  종위안

IPC: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 메시 구조로 형성된 전극층을 구비하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체층 위에 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써 투과율이 향상되고, 접촉 저항이 감소됨으로써 전기적 특성이 양호한 발광 소자를 얻을 수 있는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 반도체층(특히, P-GaN층) 위에 일함수가 높은 Ni, Pt, Pd, Rh 및 Ag 등을 사용하여 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써, 양호한 오믹콘택 특성을 확보할 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 이러한 소재는 종래기술에서 투명 전극층으로 많이 이용되는 ITO보다 가격이 저렴하여 발광소자의 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 메시 구조의 전극층 형성에 이용되는 기둥 모양의 패턴의 크기 및 간격을 조절함으로써 용이하게 메시 구조의 간격 및 전극열의 폭을 조절할 수 있으므로, 광 추출 효율과 전기적 특성을 고려하여 고효율의 발광 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020090063954A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020070131493

申请日：2007-12-14

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  이병규 ,  신영철 ,  김은홍

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38

Abstract: A nitride light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to disperse the light generated in an active layer to the outside by forming a surface of a transparent electrode layer with an inverted opal structure. The light is generated from an active layer formed in a semiconductor substrate(300). The light generated from the active layer is inputted to a transparent electrode layer(330) through a P-GaN layer. The light is dispersed in the surface of the transparent electrode layer with the inverted opal structure. The light dispersed in the surface of the transparent electrode layer is discharged to the outside. The light extraction efficiency is improved by the surface dispersion effect in the transparent electrode layer.

Abstract translation: 提供氮化物发光器件及其制造方法，通过形成具有反蛋白石结构的透明电极层的表面，将产生在有源层中的光分散到外部。 光从形成在半导体衬底（300）中的有源层产生。 从有源层产生的光通过P-GaN层输入到透明电极层（330）。 光以反蛋白石结构分散在透明电极层的表面。 分散在透明电极层的表面的光被排出到外部。 通过透明电极层中的表面分散效应提高光提取效率。

公开(公告)号：KR1020090124478A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080050723

申请日：2008-05-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  종위안

IPC: H01L33/38

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode in which electrode with mesh structure is formed and method for manufacturing the same is provided to control the size of the pattern of the columnar and to control the interval of the mesh structure and the width of the electrodes. CONSTITUTION: The semiconductor layer(500) generates the light. The electrode layer(700) is formed in the semiconductor layer into the mesh structure. The electrode layer is separated and is composed of a plurality of first electrode arrays(710) and parallelly formed a plurality of second electrode arrays(720). A plurality of second electrode is parallelly formed. First electrode and second electrode are formed in order to each other meet at right angle. The electrode layer is made of one among the Ni, Pt, Pd, Rh and Ag.

Abstract translation: 目的：提供一种其中形成有网状结构的电极的发光二极管及其制造方法，以控制柱状图案的尺寸并控制网格结构的间隔和电极的宽度。 构成：半导体层（500）产生光。 电极层（700）在半导体层中形成为网格结构。 电极层被分离并且由多个第一电极阵列（710）组成并平行地形成多个第二电极阵列（720）。 多个第二电极平行地形成。 第一电极和第二电极彼此成直角地形成。 电极层由Ni，Pt，Pd，Rh和Ag之一构成。

公开(公告)号：KR1020090081693A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：KR1020080007690

申请日：2008-01-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  김동호

IPC: H01L33/12

Abstract: A nitride semiconductor and a manufacturing method thereof are provided to discharge the heat generated in the device by using metal based material with high thermal conductivity. A buffer layer(212) is formed in order to be lattice-matched with a nitride epitaxial layer on a substrate. The nitride epitaxial layer(300) is formed on the buffer layer. A surface of the buffer layer is processed by using a predetermined etching process. The nitride epitaxial layer is formed in the buffer layer whose surface is processed.

Abstract translation: 提供氮化物半导体及其制造方法，以通过使用具有高导热性的金属基材料来排出器件中产生的热量。 形成缓冲层（212）以便与衬底上的氮化物外延层晶格匹配。 氮化物外延层（300）形成在缓冲层上。 通过使用预定的蚀刻工艺处理缓冲层的表面。 氮化物外延层形成在其表面被处理的缓冲层中。