公开(公告)号：KR1020090124478A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080050723

申请日：2008-05-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  종위안

IPC: H01L33/38

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode in which electrode with mesh structure is formed and method for manufacturing the same is provided to control the size of the pattern of the columnar and to control the interval of the mesh structure and the width of the electrodes. CONSTITUTION: The semiconductor layer(500) generates the light. The electrode layer(700) is formed in the semiconductor layer into the mesh structure. The electrode layer is separated and is composed of a plurality of first electrode arrays(710) and parallelly formed a plurality of second electrode arrays(720). A plurality of second electrode is parallelly formed. First electrode and second electrode are formed in order to each other meet at right angle. The electrode layer is made of one among the Ni, Pt, Pd, Rh and Ag.

Abstract translation: 目的：提供一种其中形成有网状结构的电极的发光二极管及其制造方法，以控制柱状图案的尺寸并控制网格结构的间隔和电极的宽度。 构成：半导体层（500）产生光。 电极层（700）在半导体层中形成为网格结构。 电极层被分离并且由多个第一电极阵列（710）组成并平行地形成多个第二电极阵列（720）。 多个第二电极平行地形成。 第一电极和第二电极彼此成直角地形成。 电极层由Ni，Pt，Pd，Rh和Ag之一构成。

公开(公告)号：KR1020100005373A

公开(公告)日：2010-01-15

申请号：KR1020080065378

申请日：2008-07-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  이병규 ,  종위안

IPC: H01L33/10

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode with a photonic crystal structure and a method for manufacturing the same are provided to enhance light extracting efficiency by removing the factors lowering the enhance light extracting efficiency produced when the light is reflected off the semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting diode comprises a first semiconductor layer(220) which is formed on a substrate, an active layer(230) which is formed on the first semiconductor layer to generate light, and a second semiconductor layer(240) which is formed on the second semiconductor layer. In the peripheral region of the second semiconductor layer, a photonic crystal structure is formed to reflect the light, which enters from the active layer and propagates toward the peripheral region, to the central region.

Abstract translation: 目的：提供具有光子晶体结构的发光二极管及其制造方法，以通过去除降低当光从半导体层反射出来时产生的增强光提取效率的因素来提高光提取效率。 构成：发光二极管包括形成在基板上的第一半导体层（220），形成在第一半导体层上以产生光的有源层（230）和形成的第二半导体层（240） 在第二半导体层上。 在第二半导体层的外围区域中，形成光子晶体结构，以反射从有源层进入并向周边区域传播的光到中心区域。

公开(公告)号：KR1020090120588A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：KR1020080046472

申请日：2008-05-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김철민 ,  종위안

IPC: H01L33/40

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride light emitting diode with improved light emitting efficiency is provided to gradually increase the amount of an air gap from a lower part of a transparent electrode layer to an upper part, thereby reducing a refractive index from the lower part to the upper part over the entire transparent electrode layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nitride light emitting diode with improved light emitting efficiency and the nitride light emitting diode comprise a substrate, a nitride layer and a transparent electrode layer. The nitride layer generates light. The nitride layer is formed on a substrate(300). The transparent electrode layer(310) transmits the light generated in the nitride layer. The transparent electrode layer is formed on the nitride layer. The amount of forming the transparent electrode layer decreases from the lower part to the upper part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有改善的发光效率的氮化物发光二极管的方法，以从透明电极层的下部到上部逐渐增加气隙的量，从而降低来自下部的折射率 到整个透明电极层的上部。 构成：用于制造具有改善的发光效率的氮化物发光二极管的方法和氮化物发光二极管包括衬底，氮化物层和透明电极层。 氮化物层产生光。 氮化物层形成在基板（300）上。 透明电极层（310）透射在氮化物层中产生的光。 透明电极层形成在氮化物层上。 形成透明电极层的量从下部下降到上部。

公开(公告)号：KR100987358B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：KR1020080065378

申请日：2008-07-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  이병규 ,  종위안

IPC: H01L33/10

Abstract: 본 발명은 포토닉 크리스탈 구조가 형성된 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 활성층 위에 형성된 반도체층의 주변 영역에 반도체층을 둘러 싸도록 2차원 포토닉 크리스탈 구조를 형성하면, 2차원 포토닉 크리스탈 구조가 Laser diode 의 mirror 와 같이 작용하여, 반도체층의 측면으로 진행하는 광을 중심 영역으로 반사함으로써, 종래의 발광소자에서는 측면 영역으로 방출되었던 광을 중심 영역을 통해서 상부로 방출함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 활성층 위의 반도체층의 중심 영역에 2차원 포토닉 크리스탈 구조를 추가로 형성함으로써, 활성층에서 직접 유입된 광이나 주변 영역에 형성된 2차원 포토닉 크리스탈 구조에서 반사된 광을 회절시켜 상부 방향인 반도체층 표면으로 방출함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과와 표면에서의 전반사를 감소시키는 효과가 나타나고, 광이 방출되는 방향을 상방향으로 집중시킴으로써 보다 선명한 광원을 얻을 수 있는 효과가 나타난다.

公开(公告)号：KR100941136B1

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：KR1020080050723

申请日：2008-05-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김은홍 ,  종위안

IPC: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 메시 구조로 형성된 전극층을 구비하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체층 위에 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써 투과율이 향상되고, 접촉 저항이 감소됨으로써 전기적 특성이 양호한 발광 소자를 얻을 수 있는 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 반도체층(특히, P-GaN층) 위에 일함수가 높은 Ni, Pt, Pd, Rh 및 Ag 등을 사용하여 메시 구조를 갖는 전극층을 형성함으로써, 양호한 오믹콘택 특성을 확보할 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 이러한 소재는 종래기술에서 투명 전극층으로 많이 이용되는 ITO보다 가격이 저렴하여 발광소자의 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 메시 구조의 전극층 형성에 이용되는 기둥 모양의 패턴의 크기 및 간격을 조절함으로써 용이하게 메시 구조의 간격 및 전극열의 폭을 조절할 수 있으므로, 광 추출 효율과 전기적 특성을 고려하여 고효율의 발광 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100936058B1

公开(公告)日：2010-01-08

申请号：KR1020080046472

申请日：2008-05-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김철민 ,  종위안

IPC: H01L33/40

Abstract: 본 발명은 발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 경사 입사 증착법을 이용하여 발광 소자의 투명 전극층을 형성함에 있어서, 발광 소자가 형성된 반도체 기판을 고속으로 회전시키면서 증착 입사각을 점진적으로 변경하여 투명 전극층에 포함되는 투명 전극층 형성 물질의 양과 투명 전극층을 형성하는 구조들 사이에 형성되는 공극의 양을 조절함으로써 굴절율이 연속적으로 변화되도록 투명 전극층을 형성할 수 있다. 즉, 질화물 발광 소자의 투명 전극층 전체적으로 볼 때 그 내부에 공극이 포함되도록 형성하되, 투명 전극층을 형성하는 물질의 양은 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 감소되고, 공극의 양은 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 증가되도록 형성함으로써, 투명 전극층 전체적으로 하부에서 상부로 갈수록 굴절율이 감소하도록 형성하였다. 따라서, 본 발명은 투명 전극층에 포함되는 공극양을 점진적으로 조절하여 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있는 효과가 있고, 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있음으로 인해서 투명 전극층에 맞닿은 물질과의 계면에서 전반사가 발생하지 않도록 투명 전극층을 형성하여 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.