마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법
    1.
    发明申请
    마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법 审中-公开
    如何在没有掩模的情况下用反应离子刻蚀容易地形成纳米图案

    公开(公告)号:WO2011105870A3

    公开(公告)日:2011-09-01

    申请号:PCT/KR2011/001388

    申请日:2011-02-28

    Abstract: 본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成纳米图案的方法,更具体地,1)在衬底上涂覆聚合物抗蚀剂,2)对涂覆有聚合物抗蚀剂的衬底施加氧等离子体工艺, 为了在下一步骤3)中形成自掩模形成期间能够赋予自掩模材料粘合选择性的聚合物母图案,以及3)通过进行含氟聚合物形成聚合物母图案的步骤, 以及选择性地将自掩模材料附着到母图案并通过反应离子蚀刻来制造纳米图案的步骤。 根据本发明的形成纳米图案的方法,可以通过没有光掩模和显影步骤的简单工艺在衬底上形成纳米图案。

    진공효과를 이용한 고분자 전구체의 나노기공 내 삽입방법 및 이를 이용한 나노패턴의 정밀 복제방법
    2.
    发明授权
    진공효과를 이용한 고분자 전구체의 나노기공 내 삽입방법 및 이를 이용한 나노패턴의 정밀 복제방법 有权
    使用真空效应将聚合物预处理剂插入纳米孔中,并使用其精确复制纳米图案

    公开(公告)号:KR101457185B1

    公开(公告)日:2014-10-31

    申请号:KR1020080098942

    申请日:2008-10-09

    CPC classification number: B81C99/008

    Abstract: 본 발명은 진공효과를 이용한 고분자 전구체의 나노기공 내 삽입방법 및 이를 이용한 나노패턴의 정밀 복제방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수 ~ 수십 나노미터의 크기의 미세 구멍에 고분자 전구체와 같은 점성유체를 자유로이 삽입하여 수십 ~ 수백 제곱 센티미터에 걸친 대면적 고분자 기판에 미세 패턴을 정밀하게 제어된 형태로 전이하는 기술에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 나노미터 수준의 미세 구멍을 가진 주형에 점성유체를 삽입하는 방법에 있어서, 상기 미세 구멍에 특정기체를 노출시켜 이를 충진 시킨 후 상기 특정기체에 대한 용해도가 높은 용매에 노출하여 상기 미세 구멍에 순간적으로 발생하는 음압효과(또는 진공효과)에 의해 상기 용매가 미세 구멍에 채워지고, 상기 용매와 잘 섞이는 또 다른 용매들을 순차적으로 노출시켜 최종적으로 상기 점성유체로 교환되는 것을 특징으로 하는 방법이다.
    나노패턴, 진공, 알루미늄 양극 산화

    유기 발광 소자 및 그 제조 방법
    3.
    发明公开
    유기 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
    OLED及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130021046A

    公开(公告)日:2013-03-05

    申请号:KR1020110083328

    申请日:2011-08-22

    CPC classification number: H01L51/5262 H01L51/0096

    Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce total reflection by forming a random pattern on an intermediate layer formed between a substrate and a first electrode layer. CONSTITUTION: A first electrode layer(220) touches a substrate. The first electrode layer is formed on the substrate having a random pattern. An organic layer(230) for generating light is formed on the first electrode layer. A second electrode layer(240) having the random pattern is formed on the organic layer. [Reference numerals] (AA,BB,CC,DD) Light

    Abstract translation: 目的:提供一种有机发光器件及其制造方法,以通过在形成于衬底和第一电极层之间的中间层上形成随机图案来减少全反射。 构成:第一电极层(220)接触衬底。 第一电极层形成在具有随机图案的衬底上。 在第一电极层上形成用于产生光的有机层(230)。 在有机层上形成具有无规图案的第二电极层(240)。 (附图标记)(AA,BB,CC,DD)光

    진공효과를 이용한 고분자 전구체의 나노기공 내 삽입방법 및 이를 이용한 나노패턴의 정밀 복제방법
    4.
    发明公开
    진공효과를 이용한 고분자 전구체의 나노기공 내 삽입방법 및 이를 이용한 나노패턴의 정밀 복제방법 有权
    聚合物预处理器使用真空效应和使用其的纳米图案的精密再现方法的纳米尺度孔的插入方法

    公开(公告)号:KR1020100039942A

    公开(公告)日:2010-04-19

    申请号:KR1020080098942

    申请日:2008-10-09

    CPC classification number: B81C99/008 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A method for inserting a polymer precursor into nano-scale holes with vacuum effect and a method for replicating a nano pattern using the same are provided to secure the precision of the nano pattern by conforming the affinity between a polymer precursor and the surface of a fine pattern. CONSTITUTION: A solvent(102) fills fine holes by a vacuum effect which is instantly generated. Additional solvents(103, 103') which is easily mixed to the solvent are successively exposed to be exchanged to a viscous fluid. The viscous fluid is inserted into a mold(100) with nano scale fine holes. The solvent is water. The additional solvents are selected from a group which is composed of the alcohols, the ketones and the eters.

    Abstract translation: 目的:提供将聚合物前体插入具有真空效应的纳米尺度孔中的方法,以及使用该方法复制纳米图案的方法,以通过使聚合物前体与表面之间的亲和力 一个很好的模式。 构成:溶剂(102)通过立即产生的真空效应填充细孔。 容易混合到溶剂中的另外的溶剂(103,103')依次暴露于与粘性流体交换。 将粘性流体插入具有纳米级细孔的模具(100)中。 溶剂是水。 另外的溶剂选自由醇,酮和酯组成的组。

    유기 발광 소자 및 그 제조 방법
    5.
    发明授权
    유기 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
    OLED和制造方法相同

    公开(公告)号:KR101286771B1

    公开(公告)日:2013-07-16

    申请号:KR1020110083328

    申请日:2011-08-22

    Abstract: 본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 기판 또는 기판과 제 1 전극층 사이에 형성된 중간층에 랜덤 패턴을 형성함으로써, 그 위에 형성되는 복수의 층들에 대해서 동일한 랜덤 패턴을 형성할 수 있고, 이로 인해서 발광층에서 발생된 광이 각 유기층 및 전극층들로 입사되는 각을 다양하게 변화시킬 수 있고, 이에 따라서 각 층간의 전반사를 현저하게 감소시킴으로써 외광 효율을 향상시킬 수 있다.

    마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법
    6.
    发明授权
    마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법 有权
    在没有掩蔽和反应离子蚀刻的情况下制备纳米图案的方法

    公开(公告)号:KR101189056B1

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:KR1020100101460

    申请日:2010-10-18

    Abstract: 본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.

    마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법
    7.
    发明公开
    마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법 有权
    在没有掩蔽和反应离子蚀刻的情况下制备纳米图案的方法

    公开(公告)号:KR1020110098601A

    公开(公告)日:2011-09-01

    申请号:KR1020100101460

    申请日:2010-10-18

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F1/60 G03F7/075 H01L21/32136

    Abstract: 본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.

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