Abstract:
본 발명은 TiO 2 /Ag/TiO 2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명전극에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 금속층; 및 상기 Ag 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 TiO 2 층을 포함하는 플렉시블 투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의 두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 TiO 2 층의 두께는 20 nm 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 ITO 전극에 비견할 만한 높은 투과도를 지니면서도, 낮은 면저항값을 갖고, 상온 증착 공정에 의해서 제조되어 고온 열처리가 필요 없이 폴리머 기판에 그대로 제조가 가능한 플렉시블 투명전극을 제공할 수 있다.
Abstract translation:本发明涉及具有TiO 2 / Ag / TiO 2多层薄膜结构的柔性透明电极,更具体地,涉及柔性透明电极,其包括:Ag金属层; 以及层叠在Ag金属层的上侧和下侧的二氧化钛层,其中,Ag金属层的厚度为11nm〜25nm,TiO 2层的厚度为20nm〜80nm 纳米。 本发明可以提供一种柔性透明电极,其具有较低的薄层电阻值,而与常规的ITO电极相比具有高的透光率,并且可以直接在聚合物基材上制造而不需要高温热处理,因为相同的是 通过室温沉积工艺制造。
Abstract:
본 발명은 AZO/Ag/AZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 금속층; 및 상기 Ag 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 Al이 도핑된 ZnO층을 포함하는 플렉시블 투명 전극으로서, 상기 Ag 금속층의 두께는 15 nm 내지 23 nm이며, 상기 Al이 도핑된 ZnO층의 두께는 15 nm 내지 60 nm인 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명 전극에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래 ITO 전극에 비견할 만한 높은 투과도를 지니면서도, 낮은 면저항값을 갖고, 상온 증착 공정에 의해서 제조되어 고온 열처리가 필요 없이 폴리머 기판에 그대로 제조가 가능한 플렉시블 투명전극을 제공할 수 있다.
Abstract translation:本发明涉及具有AZO / Ag / AZO多层薄膜结构的柔性透明电极,更具体地说,涉及柔性透明电极,其包括:Ag金属层; 和分别层压在Ag金属层的上表面和下表面上的Al掺杂的ZnO层,其中Ag金属层的厚度为15nm至23nm,并且Al掺杂的ZnO层的厚度为 15nm至60nm。 本发明能够提供具有与常规ITO电极相当的高透射率并且具有低表面电阻值的柔性透明电极。 此外,柔性透明电极通过室温沉积工艺制造,因此可以在聚合物基材上制造而不需要高温热处理。
Abstract:
본 발명은, 상지( Ramulus mori ) 주정추출물을 유효성분으로 포함하는, 비만 예방 또는 치료용 조성물에 관한 것으로서, 천연물인 상지로부터 추출된 상지 주정 추출물을 유효성분으로 포함하므로, 인체에 부작용 없이 지방세포 내 지방축적을 억제하거나, 지방전구세포가 지방세포로 분화하는 것을 억제하여, 비만을 예방하거나 치료할 수 있다.
Abstract:
본발명은 TiO/Ag/TiO다층박막구조를갖는플렉시블투명전극에관한것으로서, 더욱구체적으로는, Ag 금속층; 및상기 Ag 금속층의상면및 하면에각각적층된 TiO층을포함하는플렉시블투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 TiO층의두께는 20 nm 내지 80 nm인것을특징으로하는플렉시블투명전극에관한것이다. 본발명에따르면, 종래 ITO 전극에비견할만한높은투과도를지니면서도, 낮은면저항값을갖고, 상온증착공정에의해서제조되어고온열처리가필요없이폴리머기판에그대로제조가가능한플렉시블투명전극을제공할수 있다.
Abstract translation:本发明涉及具有TiO / Ag / TiO多层薄膜结构的柔性透明电极,更具体地涉及Ag金属层; 并且,在Ag金属层的上下表面层叠有TiO层,Ag金属层的厚度为11nm〜25nm,TiO层的厚度为20nm〜80nm 到柔性透明电极。 根据本发明,当精灵高渗透性显着常规媲美ITO电极,具有低的薄层电阻,由室温下沉积工艺制造可被提供给可以被制造为聚合物基板,而不需要高温热处理的柔性透明电极。
Abstract:
본발명은 IGZO/Ag/IGZO 다층박막구조를갖는플렉시블투명전극에관한것으로서, 더욱구체적으로는, Ag 금속층; 및상기 Ag 금속층의상면및 하면에각각적층된 IGZO층을포함하는플렉시블투명전극으로서, 상기 Ag 금속층의두께는 11 nm 내지 25 nm이며, 상기 IGZO층의두께는 13 nm 내지 70 nm인것을특징으로하는플렉시블투명전극에관한것이다. 본발명에따르면, 종래 ITO 전극에비견할만한높은투과도를지니면서도, 낮은면저항값을갖고, 상온증착공정에의해서제조되어고온열처리가필요없이폴리머기판에그대로제조가가능한플렉시블투명전극을제공할수 있다.