KR102235692B1 - Low-Power Terahertz Magnetic Nano-oscillators

    公开(公告)号:KR102235692B1

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:KR1020190162795A

    申请日:2019-12-09

    CPC classification number: H01L43/08 H01L43/02 H01L43/10

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 나노 발진 소자는, 기판 상에 배치된 강자성층; 상기 강자성층 상에 적층된 비자성 도전층; 상기 비자성 도전층 상에 적층된 반강자성층(또는 페리자성층); 및 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함한다. 상기 반강자성층(또는 페리자성층)은 막면에 대하여 수직 혹은 수평한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 강자성층은 상기 강자성층의 막면에서 수평한 방향으로 자화되고, 상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 반강자성층(또는 페리자성층)에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 반강자성층(또는 페리자성층)의 부격자의 자화 세차운동을 발생시킨다.

    자기 메모리 소자
    2.
    发明申请
    자기 메모리 소자 审中-公开
    磁记忆装置

    公开(公告)号:WO2016182354A1

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:PCT/KR2016/004964

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 자기 메모리 소자는, 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며, 상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층 및 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체 및 상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고, 상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있다.

    Abstract translation: 磁存储器件包括:具有固定磁性层,绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元,其依次堆叠; 导电线体,其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层,邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元,用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压,其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。

    저전력 테라헤르쯔 자기 나노 발진 소자

    公开(公告)号:KR102235692B1

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:KR1020190162795

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기나노발진소자는, 기판상에배치된강자성층; 상기강자성층상에적층된비자성도전층; 상기비자성도전층상에적층된반강자성층(또는페리자성층); 및상기강자성층과상기비자성도전층의양측면에각각접촉하는제1, 제2 전극들을포함한다. 상기반강자성층(또는페리자성층)은막면에대하여수직혹은수평한방향으로자화되는물질로이루어진박막이며, 상기강자성층은상기강자성층의막면에서수평한방향으로자화되고, 상기제1, 제2 전극들을통해상기강자성층과상기비자성도전층에주입된면내전류는상기반강자성층(또는페리자성층)에전달되는박막의두께방향의스핀을포함하는스핀전류를제공하여상기반강자성층(또는페리자성층)의부격자의자화세차운동을발생시킨다.

    자기 메모리 소자
    5.
    发明授权
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆元件

    公开(公告)号:KR101683440B1

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:KR1020150066853

    申请日:2015-05-13

    Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.

    Abstract translation: 一种磁存储器元件,所述固定磁性层,绝缘层和自由磁性层,分别顺序地堆叠在隧道结单元电池,以提供面内电流在单元电池中,半布置成邻近所述自由磁性层的铁磁性(反铁磁性)层 以及电压施加单元,所述电压施加单元与所述基于相位的铁磁层相邻设置并且独立地将选择电压施加到每个所述隧道结单元电极,其中,所述面内电流和所述选择电压 每个隧道结单元的磁化方向可以选择性地改变。

    자기 메모리 소자
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020160134598A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:KR1020160125429

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.

    자기 메모리 소자
    7.
    发明公开
    자기 메모리 소자 有权
    磁记忆装置

    公开(公告)号:KR1020160133821A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:KR1020150066853

    申请日:2015-05-13

    Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.

    Abstract translation: 磁存储器件包括:具有固定磁性层,绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元,其依次堆叠; 导电线体,其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层,邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元,用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压,其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。

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