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公开(公告)号：KR102235692B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190162795A
申请日：2019-12-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 나노 발진 소자는, 기판 상에 배치된 강자성층; 상기 강자성층 상에 적층된 비자성 도전층; 상기 비자성 도전층 상에 적층된 반강자성층(또는 페리자성층); 및 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함한다. 상기 반강자성층(또는 페리자성층)은 막면에 대하여 수직 혹은 수평한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 강자성층은 상기 강자성층의 막면에서 수평한 방향으로 자화되고, 상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 반강자성층(또는 페리자성층)에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 반강자성층(또는 페리자성층)의 부격자의 자화 세차운동을 발생시킨다.
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公开(公告)号：WO2016182354A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2016/004964
申请日：2016-05-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 자기 메모리 소자는, 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며, 상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층 및 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체 및 상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고, 상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있다.
Abstract translation: 磁存储器件包括：具有固定磁性层，绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元，其依次堆叠; 导电线体，其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层，邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元，用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压，其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。
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公开(公告)号：KR20210033191A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190114593A
申请日：2019-09-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 소자는, 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 정의된 배치 평면 내에서 면내 전류를 흘리는 비자성 중금속층; 상기 비자성 중금속층의 일면에 배치되고 면내 자화 방향을 가지는 수평 자화 강자성층; 수직 자기 이방성을 가지고 상기 비자성 중금속층의 타면에 배치되고 자화 반전을 수행하는 수직 자화 강자성층; 및 반강자성층을 포함한다. 상기 수평 자화 강자성층은 상기 반강자성층과 상기 비자성 중금속층 사이에 배치된다.
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公开(公告)号：KR102235692B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190162795
申请日：2019-12-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기나노발진소자는, 기판상에배치된강자성층; 상기강자성층상에적층된비자성도전층; 상기비자성도전층상에적층된반강자성층(또는페리자성층); 및상기강자성층과상기비자성도전층의양측면에각각접촉하는제1, 제2 전극들을포함한다. 상기반강자성층(또는페리자성층)은막면에대하여수직혹은수평한방향으로자화되는물질로이루어진박막이며, 상기강자성층은상기강자성층의막면에서수평한방향으로자화되고, 상기제1, 제2 전극들을통해상기강자성층과상기비자성도전층에주입된면내전류는상기반강자성층(또는페리자성층)에전달되는박막의두께방향의스핀을포함하는스핀전류를제공하여상기반강자성층(또는페리자성층)의부격자의자화세차운동을발생시킨다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101683440B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150066853
申请日：2015-05-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.
Abstract translation: 一种磁存储器元件，所述固定磁性层，绝缘层和自由磁性层，分别顺序地堆叠在隧道结单元电池，以提供面内电流在单元电池中，半布置成邻近所述自由磁性层的铁磁性（反铁磁性）层 以及电压施加单元，所述电压施加单元与所述基于相位的铁磁层相邻设置并且独立地将选择电压施加到每个所述隧道结单元电极，其中，所述面内电流和所述选择电压 每个隧道结单元的磁化方向可以选择性地改变。
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公开(公告)号：KR1020160134598A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160125429
申请日：2016-09-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160133821A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066853
申请日：2015-05-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 자기메모리소자는, 고정자성층, 절연층및 자유자성층이각각순차적으로적층된터널접합단위셀들, 상기단위셀들에면내전류를공급하며, 상기자유자성층에인접하게배치된반강자성(antiferromagnetic)층및 상기반강자성층에인접하게배치되며면내자기이방성을갖는강자성층을갖는도선체및 상기터널접합단위셀들각각에독립적으로선택전압을인가하는전압인가부를포함하고, 상기면내전류및 상기선택전압에의해서터널접합단위셀들각각의자화방향을선택적으로변화시킬수 있다.
Abstract translation: 磁存储器件包括：具有固定磁性层，绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元，其依次堆叠; 导电线体，其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层，邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元，用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压，其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。
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公开(公告)号：WO2018074724A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/KR2017/009212
申请日：2017-08-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 스핀 오핏 토크(SOT: Spin Orbit Torque) 효과 기반의 반도체 소자(1000)는, 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 연결된 제1 셀 및 제2 셀;을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 각각 상기 제1 전극 상에 배치되고, 절연층을 사이에 두고 자유 자성층 및 고정 자성층이 배치된 자기터널접합(MTJ: magnetic Tunnel Junction)을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 전극의 면내에 인가된 전류가 각 셀의 임계전류값을 초과하는 경우 각각의 상기 자유 자성층의 자화 방향이 변경되고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 임계전류값은 서로 다른 것을 특징으로 한다.
Abstract translation:
本发明涉及，根据本发明的一个实施例的自旋扭矩ohpit所述的半导体装置：基于效应半导体器件的（SOT自旋力矩轨道）1000具有第一电极; 以及第一单元和第二单元，连接到第一电极，其中第一单元和第二单元分别设置在第一电极上，并且自由磁层和固定磁层 其中第一单元和第二单元被布置为使得当施加在第一电极的平面中的电流超过每个单元的阈值电流值时， 磁层的磁化方向改变，并且第一单元和第二单元的阈值电流值彼此不同。
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