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公开(公告)号：KR102227003B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020170054192A
申请日：2017-04-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02041 , H01L21/02172 , H01L21/0231
Abstract: 본 발명은 산화갈륨의 식각방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화갈륨 식각방법은 (a) 식각액(20)이 채워진 반응기(10)를 준비하는 단계(S100), (b) 식각액(20) 내에 산화갈륨(1)을 담지하는 단계(S200), (c) 산화갈륨(1)에 자외선을 조사하여 산화갈륨(1)의 표면을 식각하는 단계(S300)를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150093330A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140013960
申请日：2014-02-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 도전성 구조물의 제조 방법에 있어서, 그래핀 분말을 중성 용매에 분산시켜 그래핀 용액을 형성한 후, 상기 그래핀 용액을 한 쌍의 전극들이 형성된 기판 상에 공급한다. 상기 전극들을 이용하여 상기 그래핀 용액에 전기장을 인가함으로써 상기 기판 상에 그래핀 및 염화 금속, 금속 나노 와이어 또는 탄소 나노 튜브를 정렬시켜 상기 기판 상에 상대적으로 낮은 비저항의 그래핀 박막 패턴을 형성한다.
Abstract translation: 对于导电结构的制造方法，通过将石墨烯粉末分散在中性溶剂中，在形成石墨烯溶液之后形成的一对电极将石墨烯溶液供给到基板。 通过使用电极在石墨烯溶液中施加电场来对准石墨烯，金属氯化物，金属纳米线或碳纳米管，在基板上形成具有较低电阻率的石墨烯薄膜图案。 本发明的目的是提供能够容易地在基板上部分地形成石墨烯薄膜图案的导电结构体的制造方法。
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公开(公告)号：KR1020170082857A
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020160002126
申请日：2016-01-07
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 실시예에개시된발광소자는, 산화갈륨기반의반도체층; 상기반도체층상에금속전극; 및상기반도체층내에배치되며상기금속전극에접촉된오믹접촉층을포함하며, 상기오믹접촉층은상기금속전극을이루는원소를갖는산화조성물을포한다.
Abstract translation: 该实施例中公开的发光器件包括氧化镓基半导体层; 半导体层上的金属电极; 以及布置在半导体层中并与金属电极接触的欧姆接触层，其中欧姆接触层包括具有构成金属电极的元素的氧化组合物。
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公开(公告)号：KR101590709B1
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140070020
申请日：2014-06-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 그래핀구조물의제조방법에있어서, 금속박막상에예비그래핀박막을형성하고, 상기예비그래핀박막을기판상에전사시킨다. 이후, 자외선또는전자빔을이용하여상기예비그래핀박막을표면처리하여, 상기예비그래핀박막의상부에결함을형성한후, 상기예비그래핀박막에금속원소를도핑하여상기기판상에그래핀박막을형성한다. 이로써, 면저항이감소된그래핀박막구조물이형성된다.
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公开(公告)号：KR102227003B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020170054192
申请日：2017-04-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 본발명은산화갈륨의식각방법에관한것으로, 본발명에따른산화갈륨식각방법은 (a) 식각액(20)이채워진반응기(10)를준비하는단계(S100), (b) 식각액(20) 내에산화갈륨(1)을담지하는단계(S200), (c) 산화갈륨(1)에자외선을조사하여산화갈륨(1)의표면을식각하는단계(S300)를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150142107A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140070020
申请日：2014-06-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B2204/00
Abstract: 그래핀구조물의제조방법에있어서, 금속박막상에예비그래핀박막을형성하고, 상기예비그래핀박막을기판상에전사시킨다. 이후, 자외선또는전자빔을이용하여상기예비그래핀박막을표면처리하여, 상기예비그래핀박막의상부에결함을형성한후, 상기예비그래핀박막에금속원소를도핑하여상기기판상에그래핀박막을형성한다. 이로써, 면저항이감소된그래핀박막구조물이형성된다.
Abstract translation: 关于石墨烯结构的制造方法，该方法包括：在金属薄膜上形成预备石墨烯薄膜; 将预备的石墨烯薄膜转移到衬底上; 通过使用紫外线或电子束在预备石墨烯薄膜的上部形成缺陷并处理预备的石墨烯薄膜的表面; 以及通过在预备石墨烯薄膜上掺杂金属元素在衬底上形成石墨烯薄膜。 由此形成具有降低的表面电阻的石墨烯薄膜结构。
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