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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020140108920A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130022813
申请日：2013-03-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: The present invention relates to a polypropylene carbonate composite manufactured by adding maleic anhydride graft acrylonitrile-styrene copolymer to the blend of polypropylene carbonate, which is synthesized using carbon dioxide, and polymethyl methacrylate. The polypropylene carbonate composite according to the present invention can be applied to molded products requiring impact resistance, high tensile force, etc., can be manufactured at low costs, and is eco-friendly as the polypropylene carbonate composite has increased tensile strength, excellent dispersibility and excellent thermal stability while maintaining the characteristics of polypropylene carbonate with flexibility and excellent processability.
Abstract translation: 本发明涉及通过将马来酸酐接枝丙烯腈 - 苯乙烯共聚物加入到使用二氧化碳合成的聚碳酸丙烯酯和聚甲基丙烯酸甲酯的共混物中制造的聚碳酸丙烯酯复合物。 本发明的聚碳酸丙烯酯复合体可以应用于需要耐冲击性，高拉伸力等的成型品，可以低成本地制造，并且由于聚碳酸亚丙酯复合材料具有增加的拉伸强度，优异的分散性，因此是环保的 并具有优异的热稳定性，同时保持聚碳酸酯的特性，具有柔韧性和优异的加工性能。
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公开(公告)号：KR101494326B1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020140001821
申请日：2014-01-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 원편광 이색성 측정 방법과 장치를 제공한다. 본 발명에서는 유효 음굴절률을 가지며 비카이럴(achiral) 구조인 메타 물질을 광학 이성질체 분자 검출에 이용하도록 한다. 본 발명의 방법 및 장치에 따르면, 신호 오염 문제가 없고 나노 구조 전체 범위에서 증강된 카이럴장을 발생시킬 수 있어 극미량의 광학 이성질체 분자 검출이 가능해진다.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于测量圆偏振二色性的方法和装置。 该方法使用具有有效负折射率和非手性结构的超材料来检测光学异构体分子。 该方法和设备可以通过没有信号污染问题和在整个纳米结构内产生增强的手性场来检测最小的光学异构体分子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110016347A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090074008
申请日：2009-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50 , H01L21/203
CPC classification number: H01L21/02689 , H01L23/145 , H01L51/0008 , H01L51/442 , H01L2251/558
Abstract: PURPOSE: An electron material layer forming method, an electron device manufacturing method using the same, and an apparatus thereof are provided to obtain the electron material layer of high quality by forming the unit electron material layer through the neutral particle beam of the solid element. CONSTITUTION: A sputtering device(202) is included within a plasma chamber(200). A neutral particle beam apparatus(500) having a neutral particle beam chamber(501) is arranged on the upper part of the plasma chamber. A metallic reflector(502) biased to the predetermined negative pressure is arranged within the neutral particle beam chamber.
Abstract translation: 目的：提供电子材料层形成方法，使用该电子材料层形成方法的电子器件制造方法及其装置，以及通过固体元件的中性粒子束形成单位电子材料层来获得高质量的电子材料层。 构成：溅射装置（202）包括在等离子体室（200）内。 具有中性粒子束室（501）的中性粒子束装置（500）布置在等离子体室的上部。 偏置到预定负压的金属反射器（502）布置在中性粒子束室内。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR101466911B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130022813
申请日：2013-03-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은이산화탄소를이용하여합성된폴리프로필렌카보네이트와폴리메틸메타크릴레이트를블렌딩에말레산무수물그래프트아크릴로니트릴-스티렌공중합체가첨가된폴리프로필렌카보네이트복합체에관한것이다. 본발명에따른폴리프로필렌카보네이트복합체는유연성, 우수한가공성을가지는폴리프로필렌카보네이트의특징을유지하면서도인장강도가증가되고, 분산성및 열적안정성이우수한효과가있어, 내충격성, 고인장력등이요구되는성형품에적용이가능하며, 저비용으로생산이가능하고, 환경친화적이다.
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公开(公告)号：KR1020100105194A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090024094
申请日：2009-03-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 신비앤텍 주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02274 , H01L21/2053 , H01L29/04
Abstract: PURPOSE: The thin film is formed from the neutral particle having the energy which the thin film transistor and manufacturing method thereof are similar through the thin film whole. The thin film transistor having the high charge transfer, and, the low-threshold voltage is offered. CONSTITUTION: A gate electrode(20) is formed on the substrate(10). The gate insulating layer(30) is formed on the gate electrode. The bottom half conductor(40) piled up one is formed on the gate insulating layer with the gate electrode. The top semiconductor(45) is formed on the bottom half conductor.
Abstract translation: 目的：薄膜由具有薄膜晶体管的能量的中性粒子和其制造方法通过薄膜整体形成。 具有高电荷转移的薄膜晶体管，以及低阈值电压。 构成：在基板（10）上形成栅电极（20）。 栅极绝缘层（30）形成在栅电极上。 堆叠在一起的下半导体（40）与栅电极形成在栅极绝缘层上。 顶部半导体（45）形成在下半导体上。
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公开(公告)号：KR101145343B1
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020090074008
申请日：2009-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50 , H01L21/203
Abstract: 스퍼터링을 기반으로 하는 전자, 전기 소자용도의 박막의 형성방법에 관해 기술된다. 기판이나 기판상에 형성된 하부 적층 또는 구조물을 플라즈마에 의한 손상으로부터 보호할 수 있으면서도 양질의 전기/물질적 특성을 가지는 막질을 얻을 수 있다. 대상물질로서는 도전성, 반도체, 저항성 물질이 포함될 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질이 포함될 수 있다. 증착법은 스퍼터링에 의한 단위 전자 물질막 또는 단위 전극층 형성과 비반응성 원소로부터 얻어진 중성 입자빔에 의한 단위 전자 물질막 또는 전극층의 표면처리를 포함 한다.
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公开(公告)号：KR101024631B1
公开(公告)日：2011-03-25
申请号：KR1020090024094
申请日：2009-03-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 신비앤텍 주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 미세 결정질 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 기판을 플라스마 방전 공간에 배치하는 단계, 상기 플라스마 방전 공간에 상기 게이트 절연막 또는 상기 미세 결정질 반도체를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌시켜 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
미세 결정질 반도체, 플라스마, 기상화학증착, 스퍼터링, 중성 입자, 박막
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