公开(公告)号：WO2021101242A1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：PCT/KR2020/016261

申请日：2020-11-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 성태연 ,  윤광로

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 다층 채널 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 제1 채널층; 상기 제1 채널층의 상에 형성되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극; 상기 제1 채널층, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극 상에 형성되는 제1 게이트 절연막; 상기 제1 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성되는 제2 게이트 절연막; 상기 제2 게이트 절연막 상에 형성되는 제2 채널층; 및 상기 제2 채널층 상에 형성되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극;을 포함하고, 상기 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극은 소스 전극 연결부를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제1 드레인 전극 및 제2 드레인 전극은 드레인 전극 연결부를 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.