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公开(公告)号：WO2019078460A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/KR2018/008604
申请日：2018-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/62
Abstract: 본 발명은 LED 플립칩을 제공한다. 이 LED 플립칩은, 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판 상에 배치되고 메사 구조를 가지는 n형 GaN층; 상기 n형 반도체층과 정렬된 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층과 정렬되고 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층; 투명 전도성 산화물로 구성되고 상기 p형 GaN층과 정렬되고 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 가시광선 영역에서 제1 반사도를 가지고 상기 전류 퍼짐층 상에 국부적으로 배치된 p-패드; 상기 p-패드와 동일한 물질로 형성되고 상기 전류 퍼짐층 상에 배치되고 상기 p-패드와 이격되어 배치된 복수의 제1 전류 주입 금속 닷들; 및 상기 제1 반사도 보다 높은 제2 반사도를 가지고 상기 p-패드에 접촉하면서 상기 p-패드를 노출시키고 상기 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 연장되어 배치되고 상기 활성층에서 발광된 광을 상기 사파이어 기판 방향으로 반사하는 복수의 p-핑거들;을 포함한다.
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