公开(公告)号：WO2012102559A3

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/KR2012/000615

申请日：2012-01-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  이종권 ,  김규태 ,  김용하

Inventor： 이종권 ,  김규태 ,  김용하

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  B82B3/00

Abstract: 그래핀을 이용한 반도체 소자는 기판, 기판상에 미리 설정된 형태로 형성된 패턴층, 및 패턴층상에 미리 설정된 방향으로 형성된 그래핀층을 포함한다. 그래핀층을 미리 형성된 패턴층상에 형성함으로써 그래핀의 구조가 물리적으로 변형이 생기게 되어 그래핀이 반도체적 성질을 띠게 되어 그래핀을 이용한 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자는 기판 상에 형성된 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층, 패턴층상에 형성된 절연막층, 및 절연막층상에 형성된 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 포함한다. 게이트 시그널(Gate signal)을 가하는 게이트 패턴(gate pattern)만을 미리 설정된 형태로 제작함으로써, 탄소 나노 물질이 반도체 성질을 띠게 할 수 있으므로 탄소 나노 물질을 이용하여 우수한 특성의 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 전자 또는 광전자 소자인 반도체 소자는 기판, 기판상의 미리 설정된 위치에 형성된 미리 설정된 형태의 패턴 영역, 및 패턴 영역 상에 형성된 그래핀층을 포함한다. 이와 같이, 그래핀층을 미리 형성된 패턴 영역상에 형성함으로써 그래핀의 구조가 물리적으로 변형이 생기게 되어 그래핀이 반도체적 성질을 띠게 되어 그래핀을 이용한 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 특히, 패턴 영역은 서로 다른 주기의 반복 형태의 패턴들을 포함하며, 큰 주기를 가지는 반복 형태의 패턴이 작은 주기를 가지는 반복 형태의 패턴 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 그래핀을 이용해 양자 우물 구조를 가지는 광전자 소자를 제조할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101150270B1

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020110007951

申请日：2011-01-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종권 ,  김규태 ,  김용하

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78684

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device which uses graphene and a manufacturing method thereof are provided to arrange a graphene layer on a pattern layer which is manufactured beforehand, thereby improving on/off current ratio and mobility. CONSTITUTION: A pattern layer(120) is formed on a substrate(110) into a predetermined shape. A graphene layer(130) is formed on the pattern layer in a predetermined direction. A passivation layer(140) is formed on the graphene layer. An electrode layer(150) is formed on a predetermined region of the graphene layer. An insulating film layer(160) is formed between the substrate and the graphene layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用石墨烯的半导体器件及其制造方法，以在预先制造的图案层上布置石墨烯层，从而提高导通/截止电流比和迁移率。 构成：将图案层（120）形成在基板（110）上成预定形状。 在图案层上沿预定方向形成石墨烯层（130）。 钝化层（140）形成在石墨烯层上。 在石墨烯层的预定区域上形成电极层（150）。 在基板和石墨烯层之间形成绝缘膜层（160）。

公开(公告)号：KR101297434B1

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020120000131

申请日：2012-01-02

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종권

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/14

Abstract: 그래핀 소자를 이용한 반도체 소자, 및 반도체 소자 어레이가 개시된다. 전자 또는 광전자 소자인 반도체 소자는 기판, 기판상의 미리 설정된 위치에 형성된 미리 설정된 형태의 패턴 영역, 및 패턴 영역 상에 형성된 그래핀층을 포함한다. 이와 같이, 그래핀층을 미리 형성된 패턴 영역상에 형성함으로써 그래핀의 구조가 물리적으로 변형이 생기게 되어 그래핀이 반도체적 성질을 띠게 되어 그래핀을 이용한 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 특히, 패턴 영역은 서로 다른 주기의 반복 형태의 패턴들을 포함하며, 큰 주기를 가지는 반복 형태의 패턴이 작은 주기를 가지는 반복 형태의 패턴 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 그래핀을 이용해 양자 우물 구조를 가지는 광전자 소자를 제조할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020130078951A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020120000131

申请日：2012-01-02

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종권

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/107

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a semiconductor device array using graphene are provided to omit processes for manufacturing array shaped single elements and to secure a display and a memory chip having excellent performance at low costs. CONSTITUTION: A preset pattern region (120) is formed at a preset position on a substrate. A graphene layer (130) is formed on the same pattern region. The same pattern region includes repeat patterns with different periods. Long period repeat patterns are placed between short period repeat patterns. The repeat pattern is a line grid shape.

Abstract translation: 目的：提供使用石墨烯的半导体器件和半导体器件阵列，以省略用于制造阵列形单个元件的工艺，并以低成本确保显示器和具有优异性能的存储器芯片。 构成：在基板上的预设位置处形成预设图案区域（120）。 石墨烯层（130）形成在相同的图案区域上。 相同的图案区域包括具有不同周期的重复图案。 长周期重复模式放置在短周期重复模式之间。 重复图案是线网格形状。

公开(公告)号：KR101173115B1

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：KR1020110007973

申请日：2011-01-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종권

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법이 개시된다. 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자는 기판 상에 형성된 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층, 패턴층상에 형성된 절연막층, 및 절연막층상에 형성된 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 포함한다. 게이트 시그널(Gate signal)을 가하는 게이트 패턴(gate pattern)만을 미리 설정된 형태로 제작함으로써, 탄소 나노 물질이 반도체 성질을 띠게 할 수 있으므로 탄소 나노 물질을 이용하여 우수한 특성의 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1020120086618A

公开(公告)日：2012-08-03

申请号：KR1020110007973

申请日：2011-01-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종권

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0048

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using a carbon nano material and a manufacturing method thereof are provided to simplify a device manufacturing process and reduce manufacturing costs by forming only a gate pattern, to which a gate signal is added, into a nano scale. CONSTITUTION: A pattern layer(120) having a preset shape is formed on a substrate(110). A dielectric film layer(130) is formed on the pattern layer. A carbon nano material layer(140) is formed on the dielectric film layer. The carbon nano material layer is formed in a preset direction according to the shape of the pattern layer. An electrode layer(150) is formed on the carbon nano material layer.

Abstract translation: 目的：提供使用碳纳米材料的半导体器件及其制造方法，以通过仅将栅极信号添加到纳米级的栅极图案来简化器件制造工艺并降低制造成本。 构成：在衬底（110）上形成具有预设形状的图案层（120）。 在图案层上形成电介质膜层（130）。 在电介质膜层上形成碳纳米材料层（140）。 碳纳米材料层根据图案层的形状沿预设方向形成。 在碳纳米材料层上形成电极层（150）。