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1.发明专利
公开(公告)号：KR102230354B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190147779A
申请日：2019-11-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/307 , G06N20/00 , G06T5/00 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC classification number: G01R31/307 , G06N20/00 , G06T5/007 , H01L21/67242 , H01L22/14 , H01L22/34 , G06T2207/20081
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 출력 특성과 TEM/SEM 이미지에 대한 기계 학습을 수행하여 반도체 소자의 열화 조건을 결정 및 테스트하는 기술적 사상에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명은 다양한 조건에서 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하고, 전기적 특성이 측정될 시 TEM/SEM 이미지를 획득하여 측정된 전기적 특성과 TEM/SEM 이미지에 대하여 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 열화 조건을 보다 정확하게 결정하는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102225817B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190146191A
申请日：2019-11-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G01R31/26 , G01R31/31711 , G06F16/00 , G06N20/00 , G10H2210/041 , G10H2250/015
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 주파수 출력 특성을 기계 학습하여 반도체 소자를 테스트하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자를 통해 출력된 전류 또는 전압의 파동을 측정하고, 측정된 파동에 MFCC 유사 필터를 적용하여 벡터 데이터를 2차원 어레이 데이터로 데이터 베이스를 구축하고, 구축된 데이터 베이스에 대한 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 조건을 결정에 대한 테스트 정확도를 향상시키는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2022075806A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013888
申请日：2021-10-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 표시 패널의 검사 방법이 제공된다. 상기 표시 패널의 검사 방법은, 복수의 화소 셀을 갖는 피시험 표시 패널을 준비하는 단계, 상기 피시험 표시 패널에 포함된 상기 복수의 화소 셀 중에서 피시험 화소 셀을 선택하는 단계, 상기 피시험 화소 셀에 검사 신호를 인가하는 단계, 상기 검사 신호에 대한 상기 피시험 화소 셀의 출력 신호를 측정하는 단계, 및 시간에 따른 상기 출력 신호의 변동량을 특징화하여, 상기 피시험 화소 셀의 특징화 정보를 도출하고, 열화 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021096076A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：PCT/KR2020/014011
申请日：2020-10-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/317 , G01R23/16 , G06N20/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 주파수 출력 특성을 기계 학습하여 반도체 소자를 테스트하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자를 통해 출력된 전류 또는 전압의 파동을 측정하고, 측정된 파동에 MFCC 유사 필터를 적용하여 벡터 데이터를 2차원 어레이 데이터로 데이터 베이스를 구축하고, 구축된 데이터 베이스에 대한 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 조건을 결정에 대한 테스트 정확도를 향상시키는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020122501A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/KR2019/017055
申请日：2019-12-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N27/12 , G01N27/30 , G01N33/00
Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1영역 및 제2영역을 갖는 제1전극 상기 제1전극의 제1영역 상에 배치되는 유전층; 상기 유전층 상에 배치되는 제2전극; 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제2전극과 이격된 제3전극; 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제2전극 및 상기 제3전극 각각과 이격된 제4전극; 상기 제2전극과 상기 제3전극을 전기적으로 연결하는 제1채널층; 상기 제2전극과 상기 제4전극을 전기적으로 연결하는 제2채널층; 및 상기 제1채널층을 덮도록 상기 유전층 상에 배치된 패시베이션층; 을 포함하는 투명하고 구부림이 가능한 인버터 타입의 볼티지 소형 센서를 개시한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2011112059A2
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/KR2011/001769
申请日：2011-03-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김규태 , 나준홍 , 허정환
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G01N27/127 , B82Y30/00 , G01N27/4146
Abstract: 본 발명은 나노 물질을 브리지 회로의 저항으로 적용한 센서 시스템을 공개한다. 본 발명은 환경 변화에 대한 반응성이 뛰어난 나노 물질을 반응 물질로 이용함으로써, 보다 미세한 환경 변화에 대해서도 신뢰할 수 있는 측정 결과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 나노 물질을 센서에 많이 이용되는 브리지회로의 저항으로 이용하고, 대상 물질의 측정에 이용되는 나노 물질 영역을 제외한 나머지 영역은 유전체로 매립하여 외부 환경에 노출되지 않도록 보호함으로써, 시간이 지남에 따라서 발생하는 센서의 성능 열화를 최소화하였다. 또한, 본 발명은 나노 물질 위에 형성된 게이트에 전압을 인가하여 나노 물질에 전계를 형성함으로써, 나노 물질의 저항을 변화시킬 수 있다. 따라서, 휘트스톤 브리지 회로의 저항을 구성하는 나노 물질의 저항을 사용자의 의도대로 설정할 수 있으며, 이에 따라서 성능 열화에 대한 저항값을 보정함으로써, 성능 열화 및 외부 잡음에 의한 측정값의 변화를 배제하고, 실제로 외부 환경 변화에 의해서 변화된 저항값만을 측정하고, 저항값에 대응되는 대상 물질의 존재 여부 및 농도를 측정할 수 있으므로, 보다 신뢰성 있는 측정이 가능하다. 또한, 본 발명은 휘트스톤 브리지 회로의 내부 평형 조건을 자동으로 조절할 수 있는 회로 장치와 하나의 반도체칩에 일체로 구현되어, 사용자가 일일이 조건을 설정할 필요없이 자동으로 오차를 보정할 수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种传感器系统，其中应用纳米材料作为电桥电路的电阻。 通过使用对环境变化具有优异反应性的纳米材料作为反应材料，即使对于微观环境变化也可获得可靠的测量结果。 另外，本发明通过从被用作桥接电路，其被广泛使用的纳米材料对传感器的电阻器保护，并且被用于测量的物质比纳米材料区域之外的剩余区域被嵌入在电介质被暴露于外部环境中，时间 随着时间的推移传感器的性能下降被最小化。 此外，本发明可以通过向在纳米材料上形成的栅极施加电压以在纳米材料中形成电场来改变纳米材料的电阻。 因此，有可能通过校正性能恶化的电阻值来设定构成惠斯登电桥电路的电阻的纳米材料的电阻，作为用户的意图，因此，和不包括在所测量的值由于性能劣化的变化，并且外部噪声 ，可以仅测量由外部环境变化而改变的电阻值，并且测量与电阻值相对应的物质的存在和浓度，从而可以进行更可靠的测量。 此外，本发明与惠斯登电桥电路一体地实现，其中的半导体芯片，其可以控制，用户的可校准自动误差而不需要内部平衡自动电路装置被设置为单独的状态。< / p>
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公开(公告)号：WO2021101069A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2020/014012
申请日：2020-10-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/307 , G06T5/00 , G01N21/95 , G01N21/88 , G06N20/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 출력 특성과 TEM/SEM 이미지에 대한 기계 학습을 수행하여 반도체 소자의 열화 조건을 결정 및 테스트하는 기술적 사상에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명은 다양한 조건에서 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하고, 전기적 특성이 측정될 시 TEM/SEM 이미지를 획득하여 측정된 전기적 특성과 TEM/SEM 이미지에 대하여 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 열화 조건을 보다 정확하게 결정하는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2017026827A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/KR2016/008864
申请日：2016-08-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/18 , Y02P70/521
Abstract: 광 위치 검출기는 복수의 영역들이 정의된 기판, 상기 기판의 일면 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되며, 입사광에 따른 전류가 변경되며 2차원 평면 구조를 갖는 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 영역들 각각에 형성되는 제2 전극들을 포함한다.
Abstract translation: 该光学位置检测器包括：具有限定在其上的多个区域的基板; 形成在所述基板的一个表面上的第一电极; 形成在所述第一电极上的有源层，具有根据入射光改变的电流，并具有二维平面结构; 以及形成在有源层上并形成在每个区域中的第二电极。
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公开(公告)号：WO2022075804A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013885
申请日：2021-10-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 반도체 소자의 검사 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 검사 방법은, 피시험 반도체 소자를 준비하는 단계, 상기 피시험 반도체 소자에서 출력되는 전류 신호를 측정하는 단계, 상기 전류 신호를 증폭하는 단계, 증폭된 상기 전류 신호로부터, 시간에 따른 전류 값의 변화량을 계산하는 단계, 상기 시간에 따른 전류 값의 변화량을 전류 값의 변화량에 대한 확률 밀도 함수로 변환하는 단계, 및 상기 확률 밀도 함수로부터, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2012102559A3
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/KR2012/000615
申请日：2012-01-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 이종권 , 김규태 , 김용하
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , B82B3/00
Abstract: 그래핀을 이용한 반도체 소자는 기판, 기판상에 미리 설정된 형태로 형성된 패턴층, 및 패턴층상에 미리 설정된 방향으로 형성된 그래핀층을 포함한다. 그래핀층을 미리 형성된 패턴층상에 형성함으로써 그래핀의 구조가 물리적으로 변형이 생기게 되어 그래핀이 반도체적 성질을 띠게 되어 그래핀을 이용한 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자는 기판 상에 형성된 미리 설정된 형태를 가지는 패턴층, 패턴층상에 형성된 절연막층, 및 절연막층상에 형성된 미리 설정된 탄소 나노 물질층을 포함한다. 게이트 시그널(Gate signal)을 가하는 게이트 패턴(gate pattern)만을 미리 설정된 형태로 제작함으로써, 탄소 나노 물질이 반도체 성질을 띠게 할 수 있으므로 탄소 나노 물질을 이용하여 우수한 특성의 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 전자 또는 광전자 소자인 반도체 소자는 기판, 기판상의 미리 설정된 위치에 형성된 미리 설정된 형태의 패턴 영역, 및 패턴 영역 상에 형성된 그래핀층을 포함한다. 이와 같이, 그래핀층을 미리 형성된 패턴 영역상에 형성함으로써 그래핀의 구조가 물리적으로 변형이 생기게 되어 그래핀이 반도체적 성질을 띠게 되어 그래핀을 이용한 반도체 소자의 제조가 가능하게 된다. 특히, 패턴 영역은 서로 다른 주기의 반복 형태의 패턴들을 포함하며, 큰 주기를 가지는 반복 형태의 패턴이 작은 주기를 가지는 반복 형태의 패턴 사이에 위치할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 그래핀을 이용해 양자 우물 구조를 가지는 광전자 소자를 제조할 수 있게 된다.
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