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公开(公告)号:KR102126774B1
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:KR1020180043412
申请日:2018-04-13
Applicant: 주식회사 케이씨씨 , 고려대학교 산학협력단
IPC: C09D201/02 , C09D201/06 , C09D7/43
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公开(公告)号:KR102121813B1
公开(公告)日:2020-06-11
申请号:KR1020180043411
申请日:2018-04-13
Applicant: 주식회사 케이씨씨 , 고려대학교 산학협력단
IPC: C09D201/02 , C09D201/06 , C09D7/63 , C08G59/50
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公开(公告)号:KR1020070088355A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:KR1020070017149
申请日:2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor: 최종호 , 피.스예드아브타지르 , 정선화 , 서훈석
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0012 , H01L51/0516 , H01L51/0529
Abstract: A method for manufacturing an organic TFT and the TFT manufactured thereby are provided to enhance the crystallinity of an organic thin film by using a cluster beam deposition and to improve the uniformity of organic thin film by using a surfactant. A surfactant is coated on a flat silicon substrate(110) to form a self-assembled monolayer. An aromatic hydrocarbon compound is arranged in a crucible while the silicon substrate is prepared as a target, wherein the crucible has a nozzle with a diameter range of 0.5 to 1.5 mm. The aromatic hydrocarbon compound is vaporized by applying a predetermined voltage of 2 to 15 V to the crucible. A cluster is formed by passing the vapor of the aromatic hydrocarbon compound through the nozzle of the crucible. An organic film is formed by depositing the vapor on the silicon substrate in the room temperature range of 20 to 30 °C. A source electrode(141) and a drain electrode(140) are formed on the organic film.
Abstract translation: 提供一种用于制造有机TFT的方法和由此制造的TFT,以通过使用簇束沉积来提高有机薄膜的结晶度,并通过使用表面活性剂来提高有机薄膜的均匀性。 将表面活性剂涂覆在平坦硅衬底(110)上以形成自组装单层。 在制备硅基板作为目标的同时,在坩埚中配置芳族烃化合物,其中坩埚具有直径范围为0.5〜1.5mm的喷嘴。 通过向坩埚施加2至15V的预定电压来使芳烃化合物汽化。 通过使芳族烃化合物的蒸气通过坩埚的喷嘴而形成簇。 通过在20〜30℃的室温范围内在硅基板上沉积蒸气来形成有机膜。 源极电极(141)和漏电极(140)形成在有机膜上。
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公开(公告)号:KR100824045B1
公开(公告)日:2008-04-22
申请号:KR1020060041736
申请日:2006-05-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor: 최종호 , 피.스예드아브타지르 , 정선화 , 서훈석
IPC: H01L29/786
Abstract: 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 크루서블의 내부에 있는 펜타센을 가열하는 단계(S1단계);
상기 가열된 펜타센이 승화되어 상기 크루서블의 상부에 구비된 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계(S2단계); 및
상기 기판은 상온으로 유지되는 동시에 그 하부에 상기 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계(S3단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터빔 증착방법을 이용하여 피증착물을 가열하지 않고 또한, 별도의 추가적인 공정 없이 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 유전층의 표면에 결정도가 높은 유기박막이 균일하게 증착될 수 있다.-
公开(公告)号:KR100858930B1
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:KR1020070017149
申请日:2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor: 최종호 , 피.스예드아브타지르 , 정선화 , 서훈석
IPC: H01L29/786
Abstract: 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 실리콘 기판을 타겟(target)으로 준비하여 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물을 직경 0.5 내지 1.5mm의 노즐을 구비한 도가니 내부에 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 공액 방향족 탄화수소 화합물를 증기화하는 단계; 상기 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판의 상부에 상기 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터빔 증착방법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 테트라센, 펜타센, 클러스터 빔 증착-
公开(公告)号:KR1020070088226A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:KR1020060041736
申请日:2006-05-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor: 최종호 , 피.스예드아브타지르 , 정선화 , 서훈석
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0026 , H01L51/0002
Abstract: A method of manufacturing a pentacene organic TFT is provided to improve the crystallinity of an organic thin film without additional processes by using a cluster beam deposition and to improve the uniformity of the organic thin film by using a surfactant. A substrate(110) is loaded at an inner upper side of a vacuum chamber. Pentacene stored in a crucible is heated, wherein the crucible is arranged at an inner lower side of the vacuum chamber. The pentacene is sublimated and passed through a nozzle, wherein the nozzle is installed at an upper portion of the crucible. At this time, a pentacene cluster of a beam type is formed. An organic thin film is uniformly deposited on the substrate while the substrate is kept in room temperature. A surfactant made of HMDS(HexaMethylDiSilazane) is deposited on the substrate.
Abstract translation: 提供并五苯有机TFT的制造方法,通过使用簇束沉积而不需要额外的工艺来提高有机薄膜的结晶度,并且通过使用表面活性剂来提高有机薄膜的均匀性。 衬底(110)装载在真空室的内侧上侧。 储存在坩埚中的并五苯被加热,其中坩埚布置在真空室的内下侧。 并五苯升华并通过喷嘴,其中喷嘴安装在坩埚的上部。 此时,形成了束型的并五苯簇。 在将基板保持在室温的同时,将有机薄膜均匀地沉积在基板上。 将由HMDS(六甲基二硅氮烷)制成的表面活性剂沉积在基材上。
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