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公开(公告)号：KR101792569B1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020160023327
申请日：2016-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은복수의셀을포함하는하나이상의자기나노와이어, 자기나노와이어의제 1 지점에결합된기록-독출겸용헤드및 자기나노와이어의제 2 지점에결합된독출전용헤드를포함하며, 기록-독출겸용헤드에포함된기록헤드를통해저장된데이터는후입선출방식에따라기록-독출겸용헤드에포함된독출헤드를통해순차적으로독출된다.
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2.发明公开도메인 월 메모리 기반의 메모리 장치, 메모리 장치를 이용한 메모리 기록 및 독출 방법, 및 디지털 신호 처리기 有权域月存储器写入和读出方法，使用一个基于存储器的存储器装置，存储器装置，和一个数字信号处理器
公开(公告)号：KR1020170041607A
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020160023327
申请日：2016-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은복수의셀을포함하는하나이상의자기나노와이어, 자기나노와이어의제 1 지점에결합된기록-독출겸용헤드및 자기나노와이어의제 2 지점에결합된독출전용헤드를포함하며, 기록-독출겸용헤드에포함된기록헤드를통해저장된데이터는후입선출방식에따라기록-독출겸용헤드에포함된독출헤드를통해순차적으로독출된다.
Abstract translation: 本发明包括一种或多种磁性纳米线，记录耦合到包括多个单元的磁性纳米线的第一分支，包括耦合到所述读出的组合的头部和磁性纳米线，记录的第二分支的只读头 - 读取由记录头存储包括根据记录插入出的方式组合头的数据 - 它是通过读出磁头包括一个读取头组合依次读出。
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公开(公告)号：KR1020180089701A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：KR1020170014365
申请日：2017-02-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은연산로직을내장한 MTJ(magnetic tunnel junction) 메모리장치에관한것으로서, N 개(N은자연수)의자기장메모리셀이직렬연결된적어도하나이상의메모리스트링; 각자기장메모리셀에병렬연결되고, 입력데이터에따라스위칭상태가조절되는 N개의스위칭소자; 및메모리스트링의데이터독출동작을위한복수의기준전압을생성하는기준전압생성부를포함한다. 이때, 자기장메모리는상기입력데이터에의하여결정되는스위칭상태및 상기메모리스트링에저장된데이터에의하여결정되는메모리스트링의저항값에기반하여입력데이터와메모리스트링에저장된데이터의스칼라곱 연산을출력한다.
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