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公开(公告)号：WO2021112404A1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：PCT/KR2020/014708
申请日：2020-10-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02
Abstract: 비아 형성 방법, 이를 기반으로 하는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것으로, 비아 형성 방법은, 적어도 하나의 소자가 형성된 기판에 중간층이 형성되는 단계 및 상기 중간층의 일 면에 대해 요구 회전 속도로 미리 정의된 기간 동안 평탄화를 수행하여 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 부분을 상기 중간층으로부터 이탈시킴으로써, 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 비아를 상기 중간층에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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