전도성 고분자 나노튜브의 제조방법
    1.
    发明授权
    전도성 고분자 나노튜브의 제조방법 失效
    制备导电聚合物纳米管的方法

    公开(公告)号:KR100714466B1

    公开(公告)日:2007-05-04

    申请号:KR1020040107113

    申请日:2004-12-16

    Abstract: 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법을 제공한다.
    본 발명에 따른 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법은 (a) 석영튜브 내의 기화영역에서, 염소가 치환되어 있는 단위체를 기화시키는 단계; (b) 상기 기화된 단위체를 운반기체에 의해 열분해 영역으로 이동시킨 다음, 열분해하여 중간체를 형성하는 단계; (c) 상기에서 생성된 중간체를 운반기체에 의해 증착영역으로 이동시킨 다음, 다공성 기재를 거치면서 전구 고분자를 형성하는 단계; 및 (d) 열처리를 통해 탈염화수소화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 용매를 사용할 필요가 전혀 없기 때문에 고순도의 전도성 고분자 나노튜브를 제조할 수 있고, 이처럼 제조된 전도성 고분자 나노튜브는 나노단위의 소자는 물론 광센서에도 사용할 수 있다.
    전도성 고분자 나노튜브

    광전도성 이층 복합나노튜브, 그 제조방법 및 상기 이층 복합나노튜브를 이용한 나노 광전소자
    2.
    发明公开
    광전도성 이층 복합나노튜브, 그 제조방법 및 상기 이층 복합나노튜브를 이용한 나노 광전소자 失效
    光电双层复合纳米管,其制备方法和使用其的纳米光电元件

    公开(公告)号:KR1020060083037A

    公开(公告)日:2006-07-20

    申请号:KR1020050003917

    申请日:2005-01-14

    Inventor: 진정일 김경곤

    CPC classification number: C01B32/16 C01B32/168 C01B2202/06 H01L31/04 Y02E10/50

    Abstract: 광전도성 이층 복합나노튜브가 제공된다.
    본 발명에 따른 광전도성 이층 복합나노튜브는 전도성 탄소질의 외부 나노튜브층과; 상기 전도성 탄소질의 외부 나노튜브의 내부에 동심을 가지면서 접촉하며, PPV 또는 PTV로 이루어진 내부 나노튜브층으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 광전도성 이층 복합나노튜브는 나노 단위임에도 자외선/가시광선 영역에서 외부양자효율이 우수하며 높은 광전도성을 나타내기 때문에 자외선/가시광선 영역에서 작동될 수 있고, 광다이오드, 광센서는 물론 광전지에도 유용하게 사용될 수 있다.
    광전도성, 이층 복합나노튜브

    고온 강자성을 갖는 액정 복합체 및 이를 포함하는 자기 저장 장치
    3.
    发明公开
    고온 강자성을 갖는 액정 복합체 및 이를 포함하는 자기 저장 장치 有权
    具有高温氟化物的液晶和包含液晶的磁性存储装置

    公开(公告)号:KR1020120048893A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:KR1020100110344

    申请日:2010-11-08

    Abstract: PURPOSE: A diamagnetic discotic liquid crystal composite and a magnetic storage device including thereof are provided to have high-temperature ferromagnetism and be dissolved in organic solvents. CONSTITUTION: A diamagnetic discotic liquid crystal composite is discotic liquid crystal composite in which Fe(III)-phthalocyanine is sloppily intercalated. A molar ratio of the discotic liquid crystal to Fe(III)-phthalocyanine is 3.5:1-235:1. The diamagnetic discotic liquid crystal composite shows ferromagnetism at temperature higher than room temperature. A manufacturing method of discotic liquid crystal composite in which Fe(III)-phthalocyanine is sloppily intercalated in comprises the following steps: adding discotic liquid crystal having diamagnetic after dissolving Fe(III)-phthalocyanine having paramagnetic; stirring the added mixture; and desiccating the mixture under vacuum.

    Abstract translation: 目的:提供具有高温铁磁性的抗静电盘状液晶复合体及其磁性储存装置,并溶解于有机溶剂中。 构成:抗磁盘状液晶复合材料是盘状液晶复合材料,其中Fe(III) - 酞菁被大量插入。 盘状液晶与Fe(III) - 酞菁的摩尔比为3.5:1-235:1。 反磁性盘状液晶复合材料在高于室温的温度下显示出铁磁性。 其中Fe(III) - 酞菁被大量插入的盘状液晶复合体的制造方法包括以下步骤:在溶解具有顺磁性的Fe(III) - 酞菁之后添加具有反磁性的盘状液晶; 搅拌加入的混合物; 并在真空下干燥混合物。

    인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자
    4.
    发明公开
    인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자 有权
    磷光体材料及其制造方法及其有机发光二极管器件

    公开(公告)号:KR1020080080765A

    公开(公告)日:2008-09-05

    申请号:KR1020070020900

    申请日:2007-03-02

    Abstract: A phosphorescence material is provided to improve a melting property of a dopant and a miscibility between a dopant and a host, and to form an organic light emitting layer through a vacuum deposition process or wet process. A phosphorescence material has a structure represented by the following formula 1, wherein each of R1 to R10 is any one selected from hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted C1-18 alkyl groups, and C1-18 alkoxy groups, at least any one of R1 to R10 is any one of C1-18 alkyl groups containing a carbazole group and C1-18 alkoxy groups containing a carbazole group, M is a transition metal, and n is an integer of 1-4.

    Abstract translation: 提供磷光材料以改善掺杂剂的熔融性质和掺杂剂与主体之间的混溶性,并通过真空沉积工艺或湿法形成有机发光层。 磷光材料具有由下式1表示的结构,其中R 1至R 10各自为选自氢,卤素,取代或未取代的C 1-18烷基和C 1-18烷氧基中的任一个,R 1至R 10中的至少任一个 至R 10是含有咔唑基的C1-18烷基和含有咔唑基的C1-18烷氧基中的任一个,M为过渡金属,n为1-4的整数。

    신규한 발광 덴드리머, 이의 중간체 및 이의 제조 방법.
    5.
    发明授权
    신규한 발광 덴드리머, 이의 중간체 및 이의 제조 방법. 有权
    新发光发光二极管,发光二极管的中间装置和制造SAMES的方法

    公开(公告)号:KR100783273B1

    公开(公告)日:2007-12-06

    申请号:KR1020060134596

    申请日:2006-12-27

    Abstract: A light emitting dendrimer intermediate, a method for preparing the light emitting dendrimer intermediate, a novel light emitting dendrimer, a method for preparing the light emitting dendrimer, and an organic light emitting diode device prepared from the dendrimer are provided to improve luminous efficiency and to allow an organic light emitting layer to be prepared by a wet process. A light emitting dendrimer intermediate comprises any one selected from an azine-based derivative, a carbazole-based derivative and their mixture and is represented by the formula 1 or 2, wherein X is S or O, and R is a C1-C10 alkyl group. The light emitting dendrimer comprises a core which comprises a light emitting compound; and a dendron which comprises the light emitting dendrimer intermediate of the formula 1 or 2, and surrounds the core.

    Abstract translation: 发光树枝状聚合物中间体,制备发光树枝状聚合物中间体的方法,新型发光树枝状聚合物,制备发光树枝状聚合物的方法和由树枝状聚合物制备的有机发光二极管器件被提供以提高发光效率和 允许通过湿法制备有机发光层。 发光树枝状大分子中间体包含选自吖嗪基衍生物,咔唑类衍生物及其混合物中的任一种,并由式1或2表示,其中X为S或O,R为C1-C10烷基 。 发光树枝状聚合物包括包含发光化合物的核心; 以及包含式1或2的发光树枝状大分子中间体并包围芯的树突。

    탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴
    6.
    发明授权
    탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴 失效
    用于制造碳纳米图案和由其制备的碳纳米图案的方法

    公开(公告)号:KR100642719B1

    公开(公告)日:2006-11-10

    申请号:KR1020040106792

    申请日:2004-12-16

    Inventor: 진정일 권영완

    Abstract: 본 발명은 고분자막을 스핀코팅한 후, 일정량 이상의 전자빔을 조사함으로써 상기 고분자를 탄소화하여 탄소 나노 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.
    본 발명에 따르면 매우 간단한 공정으로 탄소 나노 패턴을 얻을 수 있기 때문에, 고집적화된 소자에 패턴화된 도전성 또는 반도전성 막을 용이하게 제조할 수 있으며, 상기 패턴의 두께 조절도 자유롭게 할 수 있기 때문에, 그 응용분야가 매우 넓다.
    탄소 나노 패턴

    고분자 안정화 강유전성 액정 시스템을 이용한 액정 소자
    7.
    发明授权
    고분자 안정화 강유전성 액정 시스템을 이용한 액정 소자 失效
    液晶装置聚合物稳定铁电液晶体系

    公开(公告)号:KR100879396B1

    公开(公告)日:2009-01-20

    申请号:KR1020050058376

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 고분자 안정화 강유전성 액정 시스템을 이용한 액정소자가 제공된다.
    본 발명에 따른 액정소자는 티올 화합물 및 엔 화합물의 혼합물로 이루어진 모노머를 고분자화하여 이루어진 고분자 네트워크 사이에 강유전성 액정 분자가 배열되어 있는 고분자 안정화 강유전성 액정 시스템; 상기 액정에 전압을 인가하는 전극; 및 상기 액정을 배향하는 배향막이 구비되어 있는 기판을 포함하며, 상기 고분자 안정화 강유전성 액정 시스템 내의 고분자의 주쇄는 액정 레이어 사이에 위치하고, 측쇄는 상기 액정 레이어 사이에 위치하거나 액정 분자들 사이에 끼어 있으며, 다이나믹 상태에서 균일한 중간계조를 가지고, 메모리 상태에서는 단안정, 쌍안정 또는 다안정 상태를 가질 수 있는 것을 특징으로 하며, 다이나믹 모드에서의 임의의 계조 구현이 가능할 뿐만 아니라 메모리 모드에서 원하는 방식의 투과특성을 선택적으로 구현할 수 있기 때문에 고속 응답 동영상용 액정디스플레이 및 저전력 소모용 메모리형 액정디스플레이에 사용할 수 있다. 또한, 종래의 PSFLC과 비교할 때 대비비 및 투과도가 높으며, 외부충격에 더 안정하고 다이나믹 모드와 메모리 모드의 특성을 하나의 장치로 동시에 구현할 수 있다는 장점이 있다.
    다안정성, 고분자 안정화 강유전성 액정 시스템

    전도성 고분자 나노튜브의 제조방법
    8.
    发明公开
    전도성 고분자 나노튜브의 제조방법 失效
    制备聚合物纳米管的方法

    公开(公告)号:KR1020060068424A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:KR1020040107113

    申请日:2004-12-16

    CPC classification number: C08J5/005 B05D1/60 B82Y40/00 C08J7/00 C08J2300/12

    Abstract: 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법을 제공한다.
    본 발명에 따른 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법은 (a) 석영튜브 내의 기화영역에서, 염소가 치환되어 있는 단위체를 기화시키는 단계; (b) 상기 기화된 단위체를 운반기체에 의해 열분해 영역으로 이동시킨 다음, 열분해하여 중간체를 형성하는 단계; (c) 상기에서 생성된 중간체를 운반기체에 의해 증착영역으로 이동시킨 다음, 다공성 기재를 거치면서 전구 고분자를 형성하는 단계; 및 (d) 열처리를 통해 탈염화수소화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 용매를 사용할 필요가 전혀 없기 때문에 고순도의 전도성 고분자 나노튜브를 제조할 수 있고, 이처럼 제조된 전도성 고분자 나노튜브는 나노단위의 소자는 물론 광센서에도 사용할 수 있다.
    전도성 고분자 나노튜브

    광전도성 이층 복합나노튜브, 그 제조방법 및 상기 이층 복합나노튜브를 이용한 나노 광전소자
    9.
    发明授权
    광전도성 이층 복합나노튜브, 그 제조방법 및 상기 이층 복합나노튜브를 이용한 나노 광전소자 失效
    光导双层复合纳米管,其制备方法和使用其的纳米光电元件

    公开(公告)号:KR100663326B1

    公开(公告)日:2007-01-02

    申请号:KR1020050003917

    申请日:2005-01-14

    Inventor: 진정일 김경곤

    Abstract: 광전도성 이층 복합나노튜브가 제공된다.
    본 발명에 따른 광전도성 이층 복합나노튜브는 전도성 탄소질의 외부 나노튜브층과; 상기 전도성 탄소질의 외부 나노튜브의 내부에 동심을 가지면서 접촉하며, PPV 또는 PTV로 이루어진 내부 나노튜브층으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 광전도성 이층 복합나노튜브는 나노 단위임에도 자외선/가시광선 영역에서 외부양자효율이 우수하며 높은 광전도성을 나타내기 때문에 자외선/가시광선 영역에서 작동될 수 있고, 광다이오드, 광센서는 물론 광전지에도 유용하게 사용될 수 있다.
    광전도성, 이층 복합나노튜브

    탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴
    10.
    发明公开
    탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴 失效
    制备碳纳米图案的方法及其制备的碳纳米图案

    公开(公告)号:KR1020060068176A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:KR1020040106792

    申请日:2004-12-16

    Inventor: 진정일 권영완

    CPC classification number: G03F7/004 B82B3/0014

    Abstract: 본 발명은 고분자막을 스핀코팅한 후, 일정량 이상의 전자빔을 조사함으로써 상기 고분자를 탄소화하여 탄소 나노 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.
    본 발명에 따르면 매우 간단한 공정으로 탄소 나노 패턴을 얻을 수 있기 때문에, 고집적화된 소자에 패턴화된 도전성 또는 반도전성 막을 용이하게 제조할 수 있으며, 상기 패턴의 두께 조절도 자유롭게 할 수 있기 때문에, 그 응용분야가 매우 넓다.
    탄소 나노 패턴

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