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1.发明申请나노 기공, 메조 기공 및 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서 审中-公开包含纳米孔，多孔和大孔的多孔氧化物半导体三维互连，其制造方法和气体传感器包括相同的气体敏感物质
公开(公告)号：WO2017018674A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/KR2016/006997
申请日：2016-06-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 기공, 메조 기공 및 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 1 nm 내지 4 nm 미만의 직경을 갖는 나노 기공; 4 nm 내지 50 nm의 직경을 갖는 메조 기공; 및 100 nm 내지 1 ㎛ 미만의 직경을 갖는 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노, 메조 및 마크로 기공제어를 통해서 다양한 검출대상 가스에 대해서 초고감도 및 초고속 응답특성을 나타내는 산화물 반도체형 가스센서를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包含三维连接的纳米孔，中孔和大孔的多孔氧化物半导体，其制造方法以及包含该气体传感器的气体传感器，更具体地说，涉及多孔氧化物 半导体及其制造方法以及包含气体敏感物质的气体传感器，所述多孔氧化物半导体包含直径小于1nm〜4nm的纳米孔，直径为4nm〜50nm的中孔，以及大孔 具有小于100nm至1μm的直径以进行三维连接。 根据本发明，提供了一种氧化物半导体型气体传感器，其通过控制纳米孔，中孔和大孔，相对于待检测的各种气体具有超高灵敏度和超高速响应特性。
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公开(公告)号：KR101269777B1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：KR1020110062667
申请日：2011-06-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 테라헤르츠대역위상변화장치에관한기술이개시된다. 본발명의일 실시예에따른테라헤르츠대역위상변화장치는, 입력신호의주파수대역에서신호의누설이발생하는상태로동작하는 MOSFET 소자를이용하여상기 MOSFET 소자를통과하는상기입력신호의위상을변화킴으로써, 시스템설계및 제조의용이성과전력효율을개선함은물론초고주파대역에서발생하는신호누설및 삽입손실문제를해결할수 있다.
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公开(公告)号：KR101263927B1
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：KR1020110054663
申请日：2011-06-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H03H9/66
Abstract: 본발명은스위치-라인형태의반사부하를이용한반사형위상변환기를공개한다. 본발명은위상변환기의반사부하를 CMOS 스위치를이용하여스위치-라인형태로구성함으로써 360도위상변화를얻을수 있다. 또한, 본발명은스위치-라인형태를구성하는각 CMOS 스위치를디지털신호를이용하여제어가가능하므로, 위상조절용바이어스전압의제어가간편하다. 또한, 본발명은스위치라인형태의반사부하에포함되는 CMOS 스위치의게이트폭및 보상저항의크기와반사부하에포함되는지연소자의 임피던스와위상지연값(전기적길이)를조절함으로써, 반사계수의크기를일정하게유지하면서도, 반사계수의위상변화정도를이상적으로 90도씩변화시켜 360도위상변화가가능하다.
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公开(公告)号：KR1020130001805A
公开(公告)日：2013-01-07
申请号：KR1020110062667
申请日：2011-06-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A terahertz band phase changing device using signal leakage and a beam-forming system using the same are provided to change a phase of a signal by using a signal leakage phenomenon of an MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) element generated in a high frequency band. CONSTITUTION: A beam-forming system(100) includes a distributor unit(110), a phase changing device(120), and an antenna unit(130). The distributor unit distributes an input signal having a frequency of a terahertz band inputted from a predetermined signal source through a divider. The phase changing device changes a phase of the distributed signal passing through an MOSFET element by using the MOSFET element operating in a signal leakage state in the frequency band. The antenna unit forms a beam pattern in a predetermined direction. [Reference numerals] (110) Distributor unit; (120) Phase changing device; (122) Phase changing control unit; (124) Phase changing circuit unit; (130) Antenna unit; (AA) Terahertz band signal
Abstract translation: 目的：提供使用信号泄漏的太赫兹频带相位改变装置和使用该信号的波束形成系统，以通过使用在（a）中产生的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）元件的信号泄漏现象来改变信号的相位 高频带。 构成：波束形成系统（100）包括分配器单元（110），相变装置（120）和天线单元（130）。 分配器单元通过分频器分配从预定信号源输入的具有太赫兹频带的频率的输入信号。 相变装置通过使用在频带中处于信号泄漏状态的MOSFET元件来改变通过MOSFET元件的分布信号的相位。 天线单元沿预定方向形成波束图案。 （附图标记）（110）分配器单元; （120）相变装置; （122）相变控制单元; （124）相变电路单元; （130）天线单元; （AA）太赫兹波段信号
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公开(公告)号：KR101119267B1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020100033999
申请日：2010-04-13
Applicant: 삼성전기주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01Q1/40 , H01Q9/0485 , H01Q13/106 , H01Q13/18
Abstract: 본 발명은 대역폭 향상을 위해 매칭 기판을 이용한 유전체 공진기 안테나에 관한 것으로, 다층 기판에 내장되며, 상단에 개구부를 갖는 유전체 공진기 본체부; 및 상기 개구부 위에 적층되며 상기 다층 기판의 유전율보다 작고 공기의 유전율보다 큰 유전율을 갖는 절연체로 이루어진 적어도 하나 이상의 매칭 기판을 포함하며, 상기 유전체 공진기 본체부의 크기 조정 없이도 대역폭을 향상시킬 수 있고, 기판 모드에 의한 손실 및 방사패턴 변화를 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking6.发明授权나노 기공, 메조 기공 및 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서 有权包含NAPOPORES，MESOPORES和MACROPORERS的多孔氧化物半导体与三个相互连接的其他三维尺寸，其制备方法和包括它们的气体传感器作为气体传感材料
公开(公告)号：KR101588169B1
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020150106544
申请日：2015-07-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은나노기공, 메조기공및 마크로기공이 3차원적으로상호연결된다공성산화물반도체, 그제조방법및 이를가스감응물질로포함하는가스센서에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 1 nm 내지 4 nm 미만의직경을갖는나노기공; 4 nm 내지 50 nm의직경을갖는메조기공; 및 100 nm 내지 1 ㎛미만의직경을갖는마크로기공이 3차원적으로상호연결된다공성산화물반도체, 그제조방법및 이를가스감응물질로포함하는가스센서에관한것이다. 본발명에따르면, 나노, 메조및 마크로기공제어를통해서다양한검출대상가스에대해서초고감도및 초고속응답특성을나타내는산화물반도체형가스센서를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多孔氧化物半导体，其包括三维相互连接的纳米孔，中孔和大孔，其制造方法和包含该气体传感器的气体传感器，特别涉及多孔氧化物 半导体包括：直径在1nm和4nm之间的纳米孔; 直径在4nm和50nm之间的介孔; 以及三维直径在100nm和1μm之间的大孔，其制造方法和包含气敏剂的气体传感器。 根据本发明，提供一种氧化物半导体型气体传感器，其具有通过控制纳米孔，中孔和大孔的各种检测目标气体的超高灵敏度和超高速响应特性。
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公开(公告)号：KR101761920B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020110013793
申请日：2011-02-16
Applicant: 삼성전기주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은유전체도파관안테나에관한것이다. 본발명에따른유전체도파관안테나는급전부로부터인가된신호를전송하는유전체도파관; 상기유전체도파관으로부터전송된신호를제1 개구부를통해공중으로방사하는유전체도파관방사부; 및상기제1 개구부를통한신호방사시 상기제1 개구부에서발생되는반사를감소시키기위해상기유전체도파관일부에형성되어직렬리액턴스및 병렬리액턴스를조절하여상기유전체도파관방사부와공기사이의임피던스매칭을수행하는매칭부를포함하며, 상기매칭부의다양한구조를통해개구부에서의반사를감소시킴으로써유전체도파관안테나특성을개선하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种介质波导天线。 根据本发明的介质波导天线包括：用于传输来自馈电部分的信号的介质波导; 电介质波导发射部分，用于通过第一开口将从电介质波导传输的信号发射到空气; 并且在电介质波导来控制串联电抗和并联电抗的一部分形成通过第一开口信号辐射时，以减少在所述第一开口中发生的反射的第一之间进行阻抗匹配，所述电介质波导管的辐射和空气 并且通过匹配单元的各种结构减少开口处的反射来改善介质波导天线的反射特性。
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公开(公告)号：KR1020120135762A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054663
申请日：2011-06-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H03H9/66
Abstract: PURPOSE: A reflective phase shifter using a reflective load of a switch-line shape is provided to obtain a 360-degree phase change by forming the reflective load of the phase shifter to be a switch-line-shape using a CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) switch. CONSTITUTION: A reflective load comprises three delay elements(311,312,313) which are serially connected and three CMOS switches(321,322,323) which are connected to a just before node of each delay element. Two CMOS switches are connected between delay elements which are serially connected. One CMOS switch is connected to an input terminal which is connected with a hybrid coupler. The delay elements are formed into a microstrip line. Each delay element represents the resistance of 50 ohm and the phase delay of 45 degrees.
Abstract translation: 目的：提供一种使用开关线形状的反射负载的反射移相器，通过使用CMOS（互补金属 - 液晶）形成将移相器的反射负载形成开关线形状，以获得360度的相位变化， 氧化物半导体）开关。 构成：反射负载包括串联连接的三个延迟元件（311,312,313）和连接到每个延迟元件之前的节点的三个CMOS开关（321,322,323）。 两个CMOS开关连接在串联的延迟元件之间。 一个CMOS开关连接到与混合耦合器连接的输入端子。 延迟元件形成微带线。 每个延迟元件代表50欧姆的电阻和45度的相位延迟。
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公开(公告)号：KR1020170071955A
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020150180220
申请日：2015-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q5/25 , H01Q5/342 , H01Q13/18
Abstract: 본개시는안테나장치에관한것으로, 안테나장치는, 단일기판의윗면에배치되고, 개구면(aperture)을포함하는제1 도체판과, 상기단일기판을수직으로관통하도록삽입된다수의비아(via)들과, 상기단일기판의아랫면에배치된제2 도체판과, 상기제1 도체판, 상기제2 도체판, 및상기비아들에의해형성되는캐비티(cavity) 형태로내장된유전체공진기에방사될신호를인가하는피드라인(feed line)을포함한다. 여기서, 상기개구면은, 동작주파수에서다중공진(multiple resonance)을발생시키는크기를가진다.
Abstract translation: 本公开涉及一种天线装置，包括：第一导体板，设置在单个基板的上表面上并且包括孔;以及垂直插入单个基板的多个通孔， 布置在单个基板的下表面上的第二导体板以及嵌入由第一导体板，第二导体板和通孔形成的空腔中的介电谐振器， 还有一个用于施加信号的馈线。 这里，开口表面具有在工作频率下产生多重共振的尺寸。
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公开(公告)号：KR1020120094344A
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020110013793
申请日：2011-02-16
Applicant: 삼성전기주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A dielectric waveguide antenna is provided to reduce reflection generated from an opening portion by matching impedance between air and a dielectric guide antenna through various shaped matching portions. CONSTITUTION: A dielectric waveguide(20) transmits an applied signal from a power supply portion. The dielectric waveguide comprises a first conductor board(21), a second conductor board(23), and a first metal via hole(25). A dielectric waveguide radiation portion(30) radiates a signal transmitted from the dielectric waveguide through a first opening portion to the air. A matching portion(40) is formed in a part of the dielectric waveguide in order to reduce reflection generated from the first opening portion. The matching portion performs impedance matching between the air and the dielectric waveguide radiation portion.
Abstract translation: 目的：提供一种电介质波导天线，用于通过各种形状的匹配部分匹配空气和电介质引导天线之间的阻抗来减少从开口部分产生的反射。 构成：电介质波导（20）从电源部分传送施加的信号。 电介质波导包括第一导体板（21），第二导体板（23）和第一金属通孔（25）。 电介质波导辐射部分（30）将从电介质波导传输的信号通过第一开口部分辐射到空气。 在电介质波导的一部分中形成匹配部分（40），以减少从第一开口部分产生的反射。 匹配部分执行空气和电介质波导辐射部分之间的阻抗匹配。
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