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公开(公告)号：WO2021206219A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/KR2020/007864
申请日：2020-06-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예 따른 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 제공된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 제공되며, 전자를 갖는 유기 물질로 구성되는 유기 도펀트층, 상기 유기 도펀트층 상에 제공된 2차원 반도체층, 상기 2차원 반도체층 상에 제공된 소스 전극 및 상기 2차원 반도체층 상에 제공되며, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함한다. 본 발명은 유기 도펀트층을 포함하는 2차원 반도체 트랜지스터를 통해 2차원 반도체 트랜지스터의 히스테리시스를 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022181889A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/KR2021/007067
申请日：2021-06-07
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/66
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 터널링 소자는, 제1 산화물 기판 상부에 형성된 제1 반도체 조각; 상기 제1 반도체 조각 위에 적층되어 형성된 제2 반도체 조각; 및 상기 제1 반도체 조각 및 상기 제2 반도체 조각 사이에 형성된 중간층을 포함하며, 상기 중간층은 상기 제2 반도체 조각의 일면에서 소정 시간 자연 산화되어 형성된 자연 산화막이다.
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公开(公告)号：KR101948606B1
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：KR1020170024410
申请日：2017-02-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C12Q1/68
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