연속적 탈분지 및 재결정화 처리를 이용한 난소화성 덱스트린의 제조방법

    公开(公告)号:WO2021182905A1

    公开(公告)日:2021-09-16

    申请号:PCT/KR2021/003064

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 본 발명은 난소화성 덱스트린을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전분 입자에 대한 연속적 탈분지(debranching) 및 재결정화(recrystallization) 공정을 수행하여 나노 크기의 난소화성 덱스트린을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 연속적인 탈분지 효소 및 전분 사슬의 재결정화처리를 통하여 고수율로 저항 전분(RS) 함량이 높고, 열 및 효소 안정성이 우수하며, 고결정성을 갖는 난소화성 덱스트린을 제조할 수 있다. 또한, 연속적인 탈분지 효소 및 재결정화 처리 후, 추가적인 산 처리 내지 효소 처리를 통해 매우 작은 나노 크기의 난소화성 덱스트린을 제조할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따라 제조한 난소화성 덱스트린은 식이섬유, 지방대체제, 코팅제, 보강제 등 의약, 화장품, 식품 신소재, 식품 첨가물 및 화학제품 등 다양한 분야에서 효과적으로 활용될 것으로 기대된다.

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