公开(公告)号：KR1020090081924A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：KR1020080008104

申请日：2008-01-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  양기연 ,  변경재 ,  한강수 ,  황선용

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0274 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0272

Abstract: A method for fabricating nano-patterns using nano imprint lithography and lift-off process are provided to easily perform high etching selectivity against imprint resin in the sub-layer under the imprint resin and lift off process. A nano pattern fabricating method is as follows. A polyvinyl alcohol(PVA) layer(102) is formed on the substrate(101). A resin layer for imprint is formed on the polyvinyl alcohol layer. A nano structure is irradiated on the resin layer for imprint by imprinting the resin layer(104) for imprint by using a mold having nano structure in the surface. The resin layer for imprint and polyvinyl alcohol layer is selectively removed through the dry etch after removing the mold. The multilayer polymer pattern(106) is formed which selectively exposes the upper surface of substrate. Metal or insulating material is deposited on the multilayer polymer pattern and exposed top of the substrate as described above.

Abstract translation: 提供了使用纳米压印光刻和剥离工艺制造纳米图案的方法，以便在压印树脂和剥离工艺下在子层中容易地对压印树脂施加高蚀刻选择性。 纳米图案制造方法如下。 在基板（101）上形成聚乙烯醇（PVA）层（102）。 在聚乙烯醇层上形成用于压印的树脂层。 通过在表面上使用具有纳米结构的模具，将用于印记的树脂层（104）压印在用于印记的树脂层上照射纳米结构。 去除模具后，通过干蚀刻选择性地去除用于压印的树脂层和聚乙烯醇层。 形成多层聚合物图案（106），其选择性地暴露衬底的上表面。 如上所述，金属或绝缘材料沉积在多层聚合物图案上并暴露于基底的顶部。

公开(公告)号：KR100918850B1

公开(公告)日：2009-09-28

申请号：KR1020080008104

申请日：2008-01-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  양기연 ,  변경재 ,  한강수 ,  황선용

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명의 일 측면은, 기판 상에 폴리비닐알콜(PVA)층을 형성하는 단계; 상기 폴리비닐알콜층 상에 임프린트용 수지층을 형성하는 단계; 표면에 나노 구조를 갖는 몰드를 이용하여 상기 임프린트용 수지층에 임프린팅함으로써, 상기 임프린트용 수지층에 나노 구조를 전사하는 단계; 상기 몰드를 제거한 후 건식 식각을 통해 상기 임프린트용 수지층 및 폴리비닐알콜층을 선택적으로 제거하여 상기 기판 상면을 선택적으로 노출시키는 다층 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 다층 고분자 패턴 및 상기 노출된 기판 상에 금속 또는 절연 물질을 증착하는 단계; 및 상기 다층 고분자 패턴을 리프트 오프하는 단계;를 포함하는, 나노 패턴 형성 방법을 제공한다.