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公开(公告)号：WO2017155340A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/KR2017/002589
申请日：2017-03-09
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 기적 계층적인 미세 표면 구조를 가지는 광학필름 및 이를 제조하기 위한 방법이 개시된다. 포토레지스트 패턴의 리플로우를 통해 반구형 마스크 패턴이 형성되고, 이에 대한 식각을 통해 기판 상에는 반구형 패턴이 형성된다. 또한, 나노구슬은 반구형 패턴이 형성된 기판의 전면에 배치되고, 식각을 통해 나노돌기가 형성되고, 이를 통해 마스터 기판이 형성된다. 마스터 기판 상에 몰드 재료가 도포되고 경화를 통해 역상의 복제용 기판이 형성된다. 복제용 기판의 도입을 통해 표면에 반구형 패턴과 나노돌기를 가지는 광학필름이 형성된다.
Abstract translation: 公开了具有神经分层微细表面结构的光学膜及其制造方法。 通过光致抗蚀剂图案的回流形成半球形掩模图案，并且通过蚀刻在衬底上形成半球形图案。 另外，将纳米珠设置在其上形成有半球图案的衬底的前表面上，并且通过蚀刻形成纳米突起，从而形成主衬底。 将模具材料施加到母盘衬底上并且通过固化形成反相复印衬底。 通过引入复制基板，形成了在其表面上具有半球形图案和纳米粒子的光学膜。
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公开(公告)号：KR101555864B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020130121322
申请日：2013-10-11
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 본발명은열전도강화층을포함하는질화물계발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는기판상에형성된제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에형성된광활성층, 상기광활성층상에형성된제2 도전형반도체층, 상기광활성층및 상기제2 도전형반도체층을관통하고, 상기제1 도전형반도체층의적어도일부영역이노출되도록형성된비아홀, 상기비아홀내주면에증착된열전도강화층, 상기제1 도전형반도체층에전기적으로접속되는제1 전극, 및상기제2 도전형반도체층에전기적으로접속되는제2전극을포함한다. 이에, 열전도강화층을포함하는질화물계발광다이오드는발광다이오드소자내의접합으로인한열 발생을감소시킬수 있고, 발광다이오드소자내부에서직접적으로열을외부로방출할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020150042549A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130121322
申请日：2013-10-11
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/642
Abstract: 본발명은열전도강화층을포함하는질화물계발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는기판상에형성된제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에형성된광활성층, 상기광활성층상에형성된제2 도전형반도체층, 상기광활성층및 상기제2 도전형반도체층을관통하고, 상기제1 도전형반도체층의적어도일부영역이노출되도록형성된비아홀, 상기비아홀내주면에증착된열전도강화층, 상기제1 도전형반도체층에전기적으로접속되는제1 전극, 및상기제2 도전형반도체층에전기적으로접속되는제2전극을포함한다. 이에, 열전도강화층을포함하는질화물계발광다이오드는발광다이오드소자내의접합으로인한열 발생을감소시킬수 있고, 발광다이오드소자내부에서직접적으로열을외부로방출할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包含热导率增强层的氮化物基发光二极管及其制造方法。 更具体地，包括导热性提高层的氮化物系发光二极管包括形成在基板上的第一导电半导体层，形成在第一导电半导体层上的光活性层，形成在第一导电半导体层上的第二导电半导体层 所述光敏层，穿过所述光活性层的通孔和所述第二导电半导体层，并且形成为暴露所述第一导电半导体层的至少一部分，所述导热性增强层沉积在所述通孔的内周上 电连接到第一导电半导体层的第一电极和与第二导电半导体层电连接的第二电极。 由此，包含导热性增强层的氮化物系发光二极管，由于发光二极管装置中的粘附而减少发热，并且在发光二极管装置中直接将热量排出到外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160047734A
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020140143988
申请日：2014-10-23
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/507 , H01L2933/0041
Abstract: 성장기판상에형성된발광다이오드를준비하는단계; 상기발광다이오드를유연기판에접합하는단계; 상기유연기판에접합된발광다이오드에기계적변형을가하는단계를포함하는, 유연기판을이용한가변파장발광다이오드의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 발광다이오드에기계적변형을주어발광층내부의스트레인을조절함으로써파장을변화시킬수 있으므로파장의미세조절이필요한산업용, 의료용광학장비등에적용할수 있고, 이를통해측정이나분석, 치료에있어서유용한효과를가져올수 있다.
Abstract translation: 提供了通过使用柔性基板具有可变波长的发光二极管的制造方法。 该方法包括：制备形成在生长衬底上的发光二极管的步骤; 将发光二极管接合到柔性基板的步骤; 以及机械地改变结合到柔性基板上的发光二极管的步骤。 根据本发明，机械地改变发光二极管以调节发光层的应变，从而改变波长。 因此，发光二极管可以应用于工业光学装置，医疗用光学装置等中，需要进行微细的波长调整。 因此，可以在测量，分析和治疗方面保证积极的效果。
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公开(公告)号：KR1020160091650A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020150012011
申请日：2015-01-26
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H05B41/282 , H01L41/04 , H01L33/50 , H01L41/187 , H05B39/08 , H01L21/033
CPC classification number: H05B41/2822 , H01L21/0331 , H01L33/505 , H01L41/044 , H01L41/1873 , H05B39/083
Abstract: 성장기판상에형성된발광다이오드를준비하는단계; 상기발광다이오드를압전기판에접합하는단계; 및상기압전기판에전압을인가하여상기발광다이오드의활성층내부에전계변화를유도하는단계를포함하는, 압전기판을이용한가변파장발광다이오드의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 압전기판을이용하여발광다이오드의활성층내부의스트레인을조절함으로써파장을변화시킬수 있으므로파장의미세조절이필요한산업용, 의료용광학장비등에적용할수 있고, 이를통해측정이나분석, 치료에있어서유용한효과를가져올수 있다.
Abstract translation: 提供一种使用压电基板的可变波长发光二极管的制造方法，包括：准备形成在生长基板上的发光二极管的步骤; 将发光二极管接合在压电基板上的步骤; 以及通过向压电基板施加电压而在发光二极管的有源层内感应电场的步骤。 根据本发明，可以通过使用压电基板来控制发光二极管的有源层内的应变来改变波长。 因此，可变波长发光二极管可以应用于精细控制波长所必需的工业和医疗光学设备。 因此，本发明可以在测量，分析和处理方面带来有益的效果。
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公开(公告)号：KR1020170105708A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160028605
申请日：2016-03-10
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 주기적계층적인미세표면구조를가지는광학필름및 이를제조하기위한방법이개시된다. 포토레지스트패턴의리플로우를통해반구형마스크패턴이형성되고, 이에대한식각을통해기판상에는반구형패턴이형성된다. 또한, 나노구슬은반구형패턴이형성된기판의전면에배치되고, 식각을통해나노돌기가형성되고, 이를통해마스터기판이형성된다. 마스터기판상에몰드재료가도포되고경화를통해역상의복제용기판이형성된다. 복제용기판의도입을통해표면에반구형패턴과나노돌기를가지는광학필름이형성된다.
Abstract translation: 公开了具有周期性分层微细表面结构的光学膜及其制造方法。 通过光刻胶图案的流动形成半球形掩模图案，并且通过蚀刻在衬底上形成半球形图案。 另外，将纳米珠设置在其上形成有半球图案的衬底的前表面上，并且通过蚀刻形成纳米突起，从而形成主衬底。 将模具材料施加到母盘衬底上并通过固化形成反相复制板。 通过引入复制容器板，形成在其表面上具有半球形图案和纳米突起的光学膜。
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公开(公告)号：KR1020160146015A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150082516
申请日：2015-06-11
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 외부로부터인가되는전압에따라파장을가변할수 있는발광소자및 이의제조방법이개시된다. 발광구조체하부에는본딩층이배치되고, 본딩층하부에는압전기판이배치된다. 압전기판은제1 압전층과제2 압전층을가진다. 제1 압전층과제2 압전층에인가되는전압에의해각각의압전층은무변형, 수축변형또는팽창변형이발생된다. 2개의압전층들의변형에의해압전기판은변형되고, 압전기판에의해발광구조체의활성층은팽창변형되거나수축변형된다. 활성층의변형에의해발광파장은변경된다.
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公开(公告)号：KR1020150045075A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020130124298
申请日：2013-10-18
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/145 , H01L2933/0075
Abstract: 본발명은열전도강화층을포함하는발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는기판, 상기기판상에형성된 n형반도체층, 상기 n형질화물상에형성된광활성층, 상기광활성층상에형성된 p형반도체층을포함하는발광셀, 상기 n형반도체층과전기적으로접속되도록형성된 n형전극, 상기 p형반도체층과전기적으로접속되도록형성된 p형전극, 상기발광셀을둘러싸고배치된열전도강화층, 및상기열전도강화층과연결된방열판을포함한다. 이에따라, 발광다이오드내부의열을효율적으로방출시킴으로서, 발광다이오드의광효율을향상시켜발광다이오드의수명을연장시킬수 있는효과가있다. 또한, 발광다이오드의측면에분포하는비발광재결합센터및 기생전류를차단하여광학적및 전기적특성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括导热性增强层的发光二极管。 更具体地说，本发明包括基板，包括在基板上形成的n型半导体层的发光单元，形成在n型氮化物材料上的光敏层和p型半导体层， 形成在光活性层上，与n型半导体层电连接的n型电极，与p型半导体层电连接的p型电极，导热性增强层被配置为 围绕发光单元，以及连接到导热性增强层的散热器。 由此，通过有效地从发光二极管放出热量来提高发光二极管的发光效率，可以提高发光二极管的寿命。 此外，通过阻挡分布在发光二极管一侧的寄生电流和非辐射复合中心来改善光学和电学特征。
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