公开(公告)号：KR101318823B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020110040495

申请日：2011-04-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  김아라

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 본원은 반도체 디바이스용 신규 플로팅 게이트, 그의 제조 방법 및 상기 플로팅 게이트를 포함하는 반도체 디바이스에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100979190B1

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：KR1020080037274

申请日：2008-04-22

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  박희정 ,  김아라 ,  이관우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 자기조립단분자막을 이용하여 증착 형성한 금속 나노크리스탈에 의해 전하를 저장하는 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트를 형성하기 위한 플로팅 게이트 형성방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기조립 방식으로 조립되는 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)으로서 금속 나노 크리스탈과 이온결합이 이루어질 수 있는 결합기를 제공하며 다수의 금속 나노 크리스탈이 터널링 산화막으로 확산되는 것을 방지하기 위한 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계와, 상기 씨드층(seed layer) 위에 불연속적인 입자형태로 증착되어 전하를 저장하는 다수의 금속 나노크리스탈을 형� �하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
플래쉬 메모리, 플로팅 게이트, SAMs, 금속 나노크리스탈, 증착

公开(公告)号：KR1020110121573A

公开(公告)日：2011-11-07

申请号：KR1020110040495

申请日：2011-04-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  김아라

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: PURPOSE: A floating gate which includes hetero metal nano crystal, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device which includes the floating gate are provided to control the particle size and density of the metal nano crystal, thereby easily controlling charge capacity. CONSTITUTION: A floating gate for a semiconductor device stores charge by being arranged between a tunneling oxide film and control oxide film. A plurality of first metal nano crystals(30) is arranged in the tunneling oxide film. A first self-assembled monolayer(SAM,40) is arranged in the tunneling oxide film in which the first metal nano crystal is arranged. A plurality of second metal nano crystals(50) is arranged in the first self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供包括异质金属纳米晶体的浮栅，其制造方法和包括浮置栅极的半导体器件，以控制金属纳米晶体的粒度和密度，从而容易控制充电容量。 构成：用于半导体器件的浮动栅极通过布置在隧道氧化物膜和控制氧化物膜之间来存储电荷。 多个第一金属纳米晶体（30）布置在隧道氧化膜中。 在其中布置有第一金属纳米晶体的隧道氧化膜中布置第一自组装单层（SAM，40）。 多个第二金属纳米晶体（50）布置在第一自组装单层中。

公开(公告)号：KR1020090111588A

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：KR1020080037274

申请日：2008-04-22

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  박희정 ,  김아라 ,  이관우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273

Abstract: PURPOSE: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device are provided to secure the thermal stability of the metal nano crystal by the chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device comprises as follows. The tunneling oxide film(12) is formed on the semiconductor substrate(10). A binder is provided that is bonded with the metal nano crystal and ionic bond in the tunneling oxide film. The seed layer(14) for preventing the diffusion of tunneling oxide film is formed on the metal nano crystal(16). The metal nano crystal for storing the electric charge is formed.

Abstract translation: 目的：提供浮动栅极，浮栅形成方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法，以通过化学气相沉积来确保金属纳米晶体的热稳定性。 构成：浮栅，形成浮栅的方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法包括如下。 隧道氧化膜（12）形成在半导体衬底（10）上。 提供了与隧道氧化膜中的金属纳米晶体和离子键结合的粘合剂。 用于防止隧道氧化膜扩散的种子层（14）形成在金属纳米晶体（16）上。 形成用于存储电荷的金属纳米晶体。