公开(公告)号：KR101267780B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020110071009

申请日：2011-07-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 배민경 ,  김용식 ,  김동명 ,  김대환

IPC: G06F19/00 ,  G06F9/455

Abstract: 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 커패시턴스 모델링 방법은 밴드갭 내 상태밀도(subgap DOS)에 속박되어 있는 전하밀도를 계산하는 단계; 게이트 전압의 기 설정된 범위에 따라 채널 내에 존재하는 전하밀도를 주요(dominant) 캐리어 성분으로 근사화하는 단계; 상기 근사화된 상기 전하밀도에 기초하여 단위면적당 총 전하를 계산하는 단계; 및 상기 밴드갭 내 상태밀도, 상기 계산된 상기 단위면적당 총 전하 및 기 입력된 복수의 파라미터들에 대한 정보에 기초하여 커패시턴스 모델을 생성하는 단계를 포함함으로써, 비정질 산화물 반도체 TFT 기반의 해석적인 커패시턴스 모델을 제공하고, 이를 통해 커패시턴스 계산 속도를 향상시켜 시뮬레이션 모델로 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130010518A

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：KR1020110071009

申请日：2011-07-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 배민경 ,  김용식 ,  김동명 ,  김대환

IPC: G06F19/00 ,  G06F9/455

CPC classification number: G06F17/5045 ,  G06F17/5009

Abstract: PURPOSE: A capacitance modeling method of an amorphous oxide semiconductor TFT and an apparatus thereof are provided to improve the calculating speed of the capacitance by indicating a capacitance model as an analytical formula. CONSTITUTION: An input unit(1010) receives information about a parameter. An approximating unit(1030) approximates electric charge density as a main carrier component according to the setting range of a gate voltage. A calculation unit(1020) calculates total charge by unit surface based on the approximated charge density. A capacitance model generator(1040) generates a capacitance model based on parameter information. [Reference numerals] (1010) Input unit; (1020) Calculation unit; (1030) Approximating unit; (1040) Capacitance model generator

Abstract translation: 目的：提供一种非晶氧化物半导体TFT的电容建模方法及其装置，通过将电容模型表示为分析公式来提高电容的计算速度。 构成：输入单元（1010）接收关于参数的信息。 近似单元（1030）根据栅极电压的设定范围近似电荷密度作为主载流子成分。 计算单元（1020）基于近似的电荷密度计算单位面积的总电荷。 电容模型发生器（1040）基于参数信息生成电容模型。 （附图标记）（1010）输入单元; （1020）计算单位; （1030）近似单位; （1040）电容模型发生器

公开(公告)号：KR101105273B1

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020110070958

申请日：2011-07-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 배민경 ,  김용식 ,  김동명 ,  김대환

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A current modeling method and apparatus of an amorphous oxide semiconductor thin film transistor are provided to improve a current calculation speed by supplying an analytical current model. CONSTITUTION: Charge density which is restricted in state density within a band gap is calculated(S310). The charge density is approximated to a major carrier component in case voltage between gate-sources is less than threshold voltage and is over than the threshold voltage(S320). Total electric charge per unit area is calculated(S330). The mobility of a channel which depends on gate voltage is calculated(S340). A first current model and a second current model are created(S350). A total current model is created using the first current model and the second current model(S360).

Abstract translation: 目的：提供非晶氧化物半导体薄膜晶体管的当前建模方法和装置，以通过提供分析电流模型来提高当前的计算速度。 构成：计算在带隙内的状态密度受限的电荷密度（S310）。 在栅极源之间的电压小于阈值电压并超过阈值电压时，电荷密度近似于主载流子分量（S320）。 计算每单位面积的总电荷（S330）。 计算取决于栅极电压的通道的迁移率（S340）。 创建第一个当前模型和第二个当前模型（S350）。 使用第一个当前模型和第二个当前模型创建总电流模型（S360）。