公开(公告)号：KR1020110092758A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012367

申请日：2010-02-10

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  박영수 ,  김수진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: PURPOSE: A non-volatile organic memory device with a charge trap layer is provided to reduce the number of interfaces that a charge passes, thereby drastically enhancing the recording features of the organic memory device. CONSTITUTION: One side of a blocking insulating layer(120) faces one side of a tunneling insulating layer(140). A charge trap layer(130) is interposed between the tunneling insulating layer and the blocking insulating layer. The charge trap layer comprises a polymer electrolyte membrane(135) and nano particles(137). An organic semiconductor layer(150) is arranged on the other side of the tunneling insulating layer. A gate(110) is arranged on the other side of the blocking insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供具有电荷陷阱层的非易失性有机存储器件，以减少电荷通过的界面数量，从而大大提高有机存储器件的记录特征。 构成：阻挡绝缘层（120）的一侧面向隧道绝缘层（140）的一侧。 在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间插入电荷陷阱层（130）。 电荷捕获层包括聚合物电解质膜（135）和纳米颗粒（137）。 在隧道绝缘层的另一侧设置有机半导体层（150）。 栅极（110）布置在阻挡绝缘层的另一侧上。

公开(公告)号：KR101061053B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100012367

申请日：2010-02-10

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  박영수 ,  김수진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 본 발명은 유기 반도체층을 이용하여 효과적인 비휘발성 유기 메모리 소자를 구현하기 위하여, 터널링절연층과, 일면이 상기 터널링절연층의 일면에 대향하도록 배치된 블로킹절연층과, 상기 터널링절연층과 상기 블로킹절연층 사이에 개재되며 고분자 전해질막과 상기 고분자 전해질막의 상기 터널링절연층 방향의 면 상에 배치된 나노입자들을 포함하는 적어도 한 층의 전하트랩층과, 상기 터널링절연층의 타면 측에 배치된 유기 반도체층과, 상기 블로킹절연층의 타면 측에 배치된 게이트를 구비하는 비휘발성 유기 메모리 소자를 제공한다.