公开(公告)号：KR101190570B1

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：KR1020100121350

申请日：2010-12-01

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  김수진

IPC: H01L51/00 ,  H01L27/10

Abstract: 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 플렉서블 유기 메모리 소자는 플렉서블 기판을 포함한다. 제어 게이트 전극은 상기 플렉서블 기판 상에 제공된다. 블로킹 유기 절연층은 상기 제어 게이트 전극 상에 제공된다. 전하 트랩층은 상기 블로킹 유기 절연층 상에 배치되고, 복수의 나노입자들을 포함한다. 터널링 유기 절연층은 상기 전하 트랩층 상에 제공된다. 유기 반도체층은 상기 터널링 유기 절연층 상에 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120059865A

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：KR1020100121350

申请日：2010-12-01

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  김수진

IPC: H01L51/00 ,  H01L27/10

Abstract: PURPOSE: A flexible organic memory device and a fabricating method thereof are provided to manufacture an organic memory device on a flexible printed circuit board without transferring through an organic substrate by applying a low temperature process. CONSTITUTION: A control gate electrode(110) is formed on a flexible printed circuit board(105). A blocking organic insulating layer(115) is formed on the control gate electrode. A charge trapping layer(130) including a plurality of nano particles is formed on the blocking organic insulating layer. A tunneling organic insulating layer(135) is formed on the charge trapping layer. An organic semiconductor layer(140) is formed on the tunneling organic insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种柔性有机存储器件及其制造方法，以在柔性印刷电路板上制造有机存储器件，而不通过施加低温工艺转移通过有机基底。 构成：在柔性印刷电路板（105）上形成控制栅电极（110）。 在控制栅电极上形成阻挡有机绝缘层（115）。 在阻挡有机绝缘层上形成包含多个纳米粒子的电荷俘获层（130）。 隧道式有机绝缘层（135）形成在电荷捕获层上。 在隧道式有机绝缘层上形成有机半导体层（140）。

公开(公告)号：KR1020110091235A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020100010972

申请日：2010-02-05

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식

IPC: H01L27/108 ,  G11C16/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7923 ,  H01L29/42348

Abstract: PURPOSE: A method for operating the non-volatile memory device of a nano particle system and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of multi bit operation by a multi-level cell operation mode and saturate the flat band voltage or charge injection of a memory cell according to a data program and an erase voltage level. CONSTITUTION: Data is recorded by injecting at least one level of an electric charge into at least one layer of the charge trapping layer of a nano particle system in a non-volatile memory device(S10). The step of recording data saturates the injection of each level of the electric charge into at least one layer of the charge trapping layer of a nano particle system. The level of a charge depends on the level of a program which is applied to a control gate electrode. A flat band charge is saturated at least one level of the program. An erase step erases data by eliminating at least one level of the charge(S20).

Abstract translation: 目的：提供一种用于操作纳米粒子系统的非易失性存储器件的方法及其制造方法，以通过多级单元操作模式提高多位操作的可靠性并使平坦带电压或电荷注入饱和 根据数据程序和擦除电压电平的存储单元。 构成：通过在至少一层的非易失性存储器件中的纳米粒子系统的电荷俘获层中注入至少一层电荷来记录数据（S10）。 记录数据的步骤使每个电荷水平的注入饱和到纳米颗粒系统的至少一层电荷捕获层中。 电荷的电平取决于施加到控制栅电极的程序的电平。 平带电荷饱和程序的至少一个级别。 擦除步骤通过消除至少一个电荷电平来擦除数据（S20）。

公开(公告)号：KR1020100119428A

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR1020090038534

申请日：2009-04-30

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  손병혁 ,  김용무 ,  권정화 ,  신현정 ,  이재갑

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A charge storage layer, a forming method thereof, a nonvolatile memory device thereof, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the density and size of the charge storage layer of a nonvolatile memory device. CONSTITUTION: A tunneling oxide film(11) is formed on the semiconductor substrate. The charge storage layer is discontinuously formed on the tunneling oxide film and includes at least two dissimilar metal nano crystals. A control oxide film(13) is formed on the metal nano crystal of the charge storage layer and the tunneling oxide film. A control gate(14) is formed on the control oxide film.

Abstract translation: 目的：提供一种电荷存储层，其形成方法，其非易失性存储器件及其制造方法，以容易地控制非易失性存储器件的电荷存储层的密度和尺寸。 构成：在半导体衬底上形成隧道氧化膜（11）。 电荷存储层不连续地形成在隧道氧化膜上，并且包括至少两种不同的金属纳米晶体。 在电荷存储层的金属纳米晶体和隧道氧化膜上形成控制氧化膜（13）。 控制栅极（14）形成在控制氧化膜上。

公开(公告)号：KR100900569B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020070030850

申请日：2007-03-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이장식 ,  손병혁 ,  이치영

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/42324 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 본 발명은 밀도 및 크기를 용이하게 조절할 수 있는 나노 크기의 나노 크리스탈을 고온의 열처리 공정 없이 마이셀을 이용하여 합성하여, 비휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트로 사용할 수 있도록 하는 플로팅 게이트 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방에 관한 것이다.
이러한, 본 발명은 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기 조립 방식으로 형성되는 나노 구조에 금속염을 합성할 수 있는 선구 물질이 도입된 마이셀 템플릿을 포함하는 게이트 형성 용액을 코팅하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 마이셀 중합체, 나노 크리스탈, 자기 조립

公开(公告)号：KR1020090032352A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020070097519

申请日：2007-09-27

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  조진한 ,  이재갑

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L21/0223

Abstract: A floating gate having multiple charge storing layers, a method for fabricating the floating gate, a non-volatile memory device and a method for fabricating the non-volatile memory device using the same are provided to improve the charge storage capacity of the non-volatile memory device by laminating polyelectrolyte and metal nano crystal in multilayer. A gate structure is formed on the upper side of a silicon substrate(10). The gate structure comprises a tunneling oxide film(11), a floating gate(20) having charge storage layers(12a,13a-12n,13n) of multilayer, a control oxide film(14), and a control gate(15). A source region and a drain region doped with the impurity are formed in the silicon substrate. A channel region is formed between the source region and the drain region. The floating gate is formed on the top of the tunneling oxide film through the self-assembly method. The floating gate is made of the charge storage layer of multilayer.

Abstract translation: 提供具有多个电荷存储层的浮动栅极，用于制造浮置栅极的方法，非易失性存储器件和使用其的非易失性存储器件的制造方法，以提高非易失性存储器件的电荷存储容量 存储器件通过在多层膜中层压聚电解质和金属纳米晶体。 栅极结构形成在硅衬底（10）的上侧。 栅极结构包括隧道氧化膜（11），具有多层电荷存储层（12a，13a-12n，13n）的浮栅（20），控制氧化膜（14）和控制栅极（15）。 在硅衬底中形成掺杂有杂质的源区和漏区。 在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。 浮动栅极通过自组装方法形成在隧道氧化膜的顶部。 浮栅由多层电荷存储层制成。

公开(公告)号：KR101234225B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020110038769

申请日：2011-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  김수진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/12 ,  H01L21/786

Abstract: 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 플렉서블 기판이 제공되고, 제어 게이트 전극은 상기 플렉서블 기판 상에 투명 도전체를 포함하여 제공된다. 블로킹 유기 절연층은 상기 제어 게이트 전극 상에 제공된다. 전하 트랩층은 상기 블로킹 유기 절연층 상에 복수의 나노입자들을 포함하여 제공된다. 터널링 유기 절연층은 상기 전하 트랩층 상에 제공된다. 유기 반도체층은 상기 터널링 유기 절연층 상에 제공된다. 투명 도전체를 포함하는 소오스 전극은 상기 제어 게이트 전극의 일측 상에 상기 유기 반도체층과 연결되게 배치된다. 투명 도전체를 포함하는 드레인 전극은 상기 제어 게이트 전극의 타측 상에 상기 유기 반도체층과 연결되게 배치된다.

公开(公告)号：KR101234222B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020100059922

申请日：2010-06-24

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  유시훈

IPC: C25D11/00 ,  B82B3/00

Abstract: 기판, 기판 상에 있으며 기공을 갖는 패턴층 및 기공이 좁혀지도록 기공의 표면에 증착된 증착층을 포함하며, 기공은 기판 반대쪽의 패턴층의 표면 상으로 노출된 개구부를 갖는 나노 템플릿 및 그 제조 방법이 공개된다.

公开(公告)号：KR1020120121042A

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020110038769

申请日：2011-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  김수진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/12 ,  H01L21/786

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/11568

Abstract: PURPOSE: A flexible organic memory device and a manufacturing method thereof are provided to have flexibility by forming a whole configuration with an organic compound. CONSTITUTION: A charge trapping layer(130) is arranged on a blocking organic insulating layer. A tunneling organic insulating layer(135) is formed on the charge trapping layer. An organic semiconductor layer(140) is formed on the tunneling organic insulating layer. A source electrode(145) is arranged on one side of a control gate electrode. A drain electrode(150) is arranged on the other side of the control gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种柔性有机记忆装置及其制造方法，通过与有机化合物形成整体结构来具有柔性。 构成：电荷捕获层（130）布置在阻挡有机绝缘层上。 隧道式有机绝缘层（135）形成在电荷捕获层上。 在隧道式有机绝缘层上形成有机半导体层（140）。 源电极（145）布置在控制栅电极的一侧。 漏电极（150）设置在控制栅电极的另一侧。

公开(公告)号：KR101105645B1

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：KR1020100010972

申请日：2010-02-05

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식

IPC: H01L27/108 ,  G11C16/10 ,  H01L21/8247

Abstract: 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 동작방법 및 제조방법이 제공된다. 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 적어도 한 레벨의 전하들을 주입하여 데이터를 기록한다. 상기 데이터를 기록하는 단계는 상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 각 레벨의 전하들의 주입이 포화되도록 수행한다.