公开(公告)号：KR101583701B1

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020140050007

申请日：2014-04-25

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 임상규 ,  도영락 ,  류일환 ,  박후근

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 본발명은본 발명은수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터에관한것으로, 보다상세하게는투명재질의기재상에형성되며 1차원나노기둥형태를갖는집전체물질과상기집전체물질상에순환전착법에의해 5 내지 30 나노미터두께로형성되는캐패시터물질이코팅된것을특징으로하는수퍼캐패시터용투명전극및 그제조방법에관한것으로, 본발명은 1차원나노구조를갖는 ITO 기둥에캐패시터물질을효과적으로코팅하여충방전특성및 내구성을높이면서투명도를유지하고경제성도확보할수 있는수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터를제공한다.

公开(公告)号：KR1020150123528A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020140050007

申请日：2014-04-25

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 임상규 ,  도영락 ,  류일환 ,  박후근

IPC: H01G11/36 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 본발명은본 발명은수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터에관한것으로, 보다상세하게는투명재질의기재상에형성되며 1차원나노기둥형태를갖는집전체물질과상기집전체물질상에순환전착법에의해 5 내지 30 나노미터두께로형성되는캐패시터물질이코팅된것을특징으로하는수퍼캐패시터용투명전극및 그제조방법에관한것으로, 본발명은 1차원나노구조를갖는 ITO 기둥에캐패시터물질을효과적으로코팅하여충방전특성및 내구성을높이면서투명도를유지하고경제성도확보할수 있는수퍼캐패시터용투명전극, 그제조방법및 상기투명전극을포함한수퍼캐패시터를제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于超级电容器的透明电极及其制造方法以及包括该透明电极的超级电容器。 更具体地说，本发明涉及一种用于超级电容器的透明电极，该透明电极形成在透明基板上，并且涂覆有通过循环电沉积法形成的一维纳米柱型集电体材料和电容器材料，并且具有 厚度为5〜30nm，及其制造方法。 本发明提供一种用于超级电容器的透明电极，其通过在具有一维结构的ITO柱上有效地涂覆电容器材料，保持透明性和确保经济可行性来改善充电/放电特性和耐久性，其制造方法和 超级电容器包括透明电极。